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功率MOSFET并聯均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數和外圍電路聯系起來，得出較大的Q值和適當的Ls/Lx有利于并聯均流。大量的仿真和小功率實驗結果均表明該方法的正確性。
關鍵詞：功率MOSFETS；多管并聯；高頻；Q軌跡
引言
1 影響功率MOSFET并聯均流的因素
??? 1.1 內部參數對并聯均流的影響
圖2
2 Q值對并聯均流的影響
??? 從圖1中實線可以看出，Q值越大，換向時間越短，開通損耗越低但關斷損耗增大；從圖1中虛線可以看出在線路中引入源極電感，器件的開關軌跡發生很大變化，開通損耗增加而關斷損耗減小。在高頻情況下，器件的開關時間和開關損耗對整個系統效率的提高至關重要。從上面的分析可知器件理想的工作條件應該是在相對較高的Q值下。以下基于不同Q值，通過仿真軟件PSPICE分析外圍線路中各種寄生參數對并聯均流的影響。
圖3
??? 2.2 Q值對雙管并聯均流影響的仿真分析
??? 從圖4可以看出，引入源極電感Ls，并聯不均流得到改善，但Ls越大器件關斷時間越長。在設計中，并聯器件源極電感保持一致是必須的，尋找最優的Ls（即Ls/Lx）使得并聯均流特性最好。表1為閾值電壓Vth相差10％，其它參數均一致情況下，分別取不同Q和Ls/Lx，器件開通和關斷過程中電流不均衡的仿真分析結果。其中Δi=iD1－iD2，為并聯兩管漏電流相差最大處的差值。
表1 內部特性參數不一致下，Q和Ls/Lx不同對器件動態電流分布的影響
3 實驗驗證
??? 2）使Rg=10.0Ω，其它條件不變，漏極電流iD波形如圖6所示。
4 結語
- 功率MOSFET(22989)
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2025-03-17 11:45:362478
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并聯MOSFET設計指南：均流、寄生參數與熱平衡
的整體可靠性。然而，MOSFET并聯設計并非簡單的“多加幾個”過程，必須考慮到均流、寄生參數與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實際設計中有效應對這些挑戰，優化并
2025-07-04 10:03:51670
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快恢復二極管串聯與并聯設計：均壓均流與應用挑戰
實現更高的耐壓或電流能力。然而，FRD在串并聯應用中會面臨均壓、均流以及熱穩定性的挑戰。一、串聯應用：提高耐壓能力問題背景單顆快恢復二極管的反向耐壓（VRRM）通常
2025-07-23 09:56:29776
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超快恢復二極管器件串并聯導致均壓均流問題分析
，工程師往往采用器件串聯或并聯的方式。然而，若忽視器件之間的特性差異及配套設計，容易引發均壓均流問題，最終造成電路效率降低甚至器件失效。一、串聯應用中的均壓挑戰當需要承
2025-07-31 09:29:42731
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SiC MOSFET并聯均流及串擾抑制驅動電路的研究
SiC MOSFET在并聯應用中的安全性和穩定性提出了挑戰當SiC MOSFET應用在橋式電路時高速開關動作引發的串擾問題嚴重影響了系統的可靠性.為了使SiC MOSFET在電路系統中穩定運行本文主要針對并聯均流和串擾抑制問題展開研究.第一部分首先對SiC MOSFET電氣特性
2025-08-18 15:36:271
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