三星打破行業(yè)極限推出128GB NAND存儲芯片

　　云端的存儲解決方案并不是適用于所有的移動平臺用戶，部分用戶還是需要大存儲具備高速傳輸能力的存儲芯片，三星最近打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。

　　該款芯片的最高讀寫速度分別為140MB/s和50MB/s，這種新的嵌入式芯片能夠為智能手機(jī)和平板這些移動電子平臺提供15部以上的Full HD，平均8GB一部的高清視頻。目前三星并沒有明確未來會搭載到那些設(shè)備中，預(yù)計將會被整合到Galaxy S系列和iPhone產(chǎn)品中。

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嵌入式(330840) 嵌入式(330840)
NAND(140714) NAND(140714)
三星電子(182956) 三星電子(182956)
云存儲(47289) 云存儲(47289)

存儲芯片廠商上市熱潮來了！

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； H26T87001CMR EMMC 128GB 33K； PC28F128P33BF60D 128M 27K； MT41K512M4DA-125:K 46K； RTL8370N-VB-CG 7200

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2025年10月，存儲芯片市場再度迎來一波凌厲漲勢。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，DDR516G、DDR416Gb等產(chǎn)品價格持續(xù)上揚；更引人矚目的是，三星、SK海力士等巨頭已正式宣布，第四季度DRAM合同價最高

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三星、美光暫停 DDR5 報價引發(fā)的供應(yīng)鏈焦慮，正加速國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)能擴(kuò)張 —— 長鑫存儲合肥新晶圓廠已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，2026 年一季度將實現(xiàn) 30 萬片 / 月的 DDR5 晶圓產(chǎn)能，全球

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存儲芯片SiP封裝量產(chǎn)，PCB密度要求翻3倍，國內(nèi)產(chǎn)能缺口達(dá)30%

三星、美光暫停 DDR5 報價的背后，是存儲芯片產(chǎn)業(yè)向高附加值封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)型 ——SiP（系統(tǒng)級封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉(zhuǎn)型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術(shù)，其核心驅(qū)動力，仍是國內(nèi)存儲芯片封裝環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化進(jìn)程加速。

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2025-11-05 10:29:56

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芯天下的Parallel NAND

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雷軍都喊貴！存儲芯片漲價風(fēng)暴，手機(jī)電腦集體漲價#芯片#存儲芯片#AI

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三星推出全新P9 Express固態(tài)存儲卡，為次世代游戲與專業(yè)創(chuàng)意工作而生

2025年10月28日，三星電子正式發(fā)布全新microSDExpress存儲卡——P9Express固態(tài)存儲卡。該系列以次世代游戲體驗為目標(biāo)打造，針對包括NintendoSwitch?1等主流游戲

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2025年中國存儲芯片行業(yè)市場前景預(yù)測研究報告

2025年中國存儲芯片行業(yè)市場前景預(yù)測研究報告 存儲芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分，涵蓋動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和NAND閃存兩大核心領(lǐng)域。在人工智能（AI）、云計算、大數(shù)據(jù)和移動互聯(lián)網(wǎng)

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存儲芯片從無到有的全過程，這些技術(shù)細(xì)節(jié)你肯定沒聽說過

、能耗、性能和可靠性方面面臨日益嚴(yán)格的要求。今天，我們將從設(shè)計到出廠的全流程切入，深入剖析存儲芯片（如 DRAM、NAND Flash）制造的制程原理、關(guān)鍵技術(shù)與挑戰(zhàn)。一、設(shè)計階段：從概念到版圖 # 1. 架構(gòu)與工藝節(jié)點選擇 DRAM ：以 1T1

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大為股份存儲業(yè)務(wù)占比超9成，進(jìn)軍高性能存儲芯片

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2025-10-17 09:15:58

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2025-09-24 08:45:00

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康盈半導(dǎo)體AI應(yīng)用存儲新品震撼發(fā)布，elexcon 2025 現(xiàn)場引爆行業(yè)關(guān)注

AI眼鏡等AI終端領(lǐng)域應(yīng)用產(chǎn)品：ePOP嵌入式存儲芯片，擁有多容量組合，如8GB+8Gb、32GB+16Gb、32GB+32Gb、64GB+16Gb、64GB +32Gb，產(chǎn)品通過了主流平臺認(rèn)證

2025-08-28 10:01:48

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三星手機(jī)無線充電器搭載美芯晟無線充電發(fā)射端芯片MT5820

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一文讀懂 SD NAND，小白也能秒變存儲技術(shù)大神

SD NAND 是一種貼片式存儲芯片，內(nèi)部集成 NAND Flash 和 SD 控制器，兼容 SD 協(xié)議，可直接焊接在 PCB 上，無需插卡槽。相比傳統(tǒng) TF 卡，SD NAND 具有以下優(yōu)勢：

2025-08-19 14:40:11

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CS SD NAND 在AI領(lǐng)域的應(yīng)用和注意事項

隨著ChatGPT，DeepSeek等AI模型的火熱，AI的應(yīng)用硬件也發(fā)展迅速。很多廠商針對特定市場推出了AI產(chǎn)品。在研發(fā)這些產(chǎn)品的時候，有不少客戶選擇了CS SD NAND作為AI產(chǎn)品的存儲芯片

2025-08-15 17:56:21

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在存儲芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個芯片（Die）的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變薄（尤其對于高容量3DNAND），傳統(tǒng)劃片工藝帶來

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三星最新消息：三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片三星和海力士不會被征收100%關(guān)稅

給大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">三星的最新消息：三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片據(jù)外媒報道，三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋果公司的下一代芯片。而蘋果公司在新聞稿中也印證了這個一消息，在新聞稿中

2025-08-07 16:24:08

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曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單

我們來看看三星的最新消息：曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測試階段，計劃在今年10月完成基于HPB（High

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成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動 HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措無疑將在存儲芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景：HBM 發(fā)展的必然趨

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預(yù)定破百萬！三星推出史上最輕薄折疊手機(jī)，破解市場放緩魔咒

7月9日，三星正式發(fā)布了新一代折疊屏旗艦手機(jī)Galaxy Z Fold7、Galaxy Z Flip7同步亮相的還有面向大眾市場的Galaxy Z Flip7 FE。相比上一代產(chǎn)品，Galaxy

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三星Q2凈利潤暴跌56%：代工遇冷，HBM業(yè)務(wù)受挫

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如何將#1Gbit #貼片SD卡穩(wěn)定適配于#電子秤的#存儲系統(tǒng) ？ #貼片tf卡 #存儲芯片 #sd卡

存儲芯片

深圳市雷龍發(fā)展有限公司發(fā)布于 2025-07-08 17:54:54

看點：三星電子Q2利潤預(yù)計重挫39% 星動紀(jì)元宣布完成近5億元A輪融資

給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊：三星電子Q2利潤預(yù)計重挫39% 由于三星向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)存儲芯片延遲，三星預(yù)計將公布4-6月營業(yè)利潤為6.3萬億韓元（約46.2億美元；三星電子打算在周二公布初步的業(yè)績數(shù)據(jù)

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深入解析#智能燈具中與#創(chuàng)世 #貼片式TF卡 #NAND #Flash 的協(xié)同應(yīng)用 #存儲芯片

存儲芯片

深圳市雷龍發(fā)展有限公司發(fā)布于 2025-06-23 18:14:17

貞光科技代理紫光國芯存儲芯片(DRAM)，讓國產(chǎn)替代更簡單

貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商，現(xiàn)已成為紫光國芯存儲芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲芯片國產(chǎn)化的關(guān)鍵時期，這一合作為推動DRAM等關(guān)鍵器件的國產(chǎn)替代開辟了新的渠道。紫光國芯在存儲芯片領(lǐng)域

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外媒稱三星與英飛凌/恩智浦達(dá)成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片

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劃片機(jī)在存儲芯片制造中的應(yīng)用

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2025-06-03 18:11:11

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SD NAND存儲芯片獨家解惑是如何個人在家輕松完成燒錄的^_^#芯片燒錄

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jf_99460966發(fā)布于 2025-05-26 15:11:48

華強北TF卡回收內(nèi)存卡回收

深圳帝歐電子求購內(nèi)存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡，舊卡，拆機(jī)卡都有收，價高同行回收三星內(nèi)存TF卡、金士頓TF卡、閃迪TF卡、東芝TF卡

2025-05-21 17:48:25

回收三星S21指紋排線適用于三星系列指紋模組

深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋排線。回收三星S系列指紋排線，回收指紋模組，回收三星

2025-05-19 10:05:30

詳細(xì)解讀三星的先進(jìn)封裝技術(shù)

集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計、芯片制造、封裝測試三大領(lǐng)域。其中，芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門檻最高的行業(yè)，目前在高端芯片的制造上也只剩下臺積電（TSMC）、三星（SAMSUNG）和英特爾（Intel）三家了。

2025-05-15 16:50:18

1521

2025存儲國產(chǎn)化進(jìn)程加速：存儲芯片主要廠商介紹

在全球供應(yīng)鏈緊張和國產(chǎn)替代需求推動下，國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，形成設(shè)計到封測一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲等六大上市公司在NOR/NANDFlash

2025-05-12 16:01:11

4743

三星貼片電容的選型指南與應(yīng)用場景

電路或系統(tǒng)對電容的具體要求，包括電容值、額定電壓、工作溫度和頻率等。電容值決定了電容的存儲電荷能力，而額定電壓則決定了電容在正常工作條件下能夠承受的最大電壓。選擇封裝尺寸：三星貼片電容按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)，提供了

2025-05-07 14:24:43

650

心電監(jiān)測設(shè)備的存儲優(yōu)化：Nordic、TI、ST、NXP主芯片與SD NAND存儲芯片的應(yīng)用案例

Nordic nRF52832 集成 64MHz 的 32 位 Arm?Cortex?M4處理器，運算能力強。MKDV2GIL-AST 2Gb SLC SD NAND存儲芯片在低功耗、數(shù)據(jù)存儲可靠

2025-05-06 14:55:02

2292

三星電子Q1營業(yè)利潤小幅增長但人工智能芯片同比下降達(dá)到42%

受一些智能終端消費者和企業(yè)客戶因為擔(dān)憂美國關(guān)稅而提前采購三星智能手機(jī)和通用芯片的影響，三星電子Q1營業(yè)利潤小幅增長；三星電子在2025年第一季度營業(yè)利潤達(dá)到6.7萬億韓元，同比增長1.5%，高于

2025-04-30 15:34:33

637

創(chuàng)世CS SD NAND 8GByte產(chǎn)品特性介紹#芯片 #SDNAND #8GB #CS創(chuàng)世 #存儲

NAND

深圳市雷龍發(fā)展有限公司發(fā)布于 2025-04-24 17:50:09

普冉存儲芯片助力三相電表性能升級

在智能電網(wǎng)建設(shè)不斷推進(jìn)的當(dāng)下，三相電表作為電力數(shù)據(jù)采集與監(jiān)測的關(guān)鍵設(shè)備，其性能優(yōu)劣直接影響電力系統(tǒng)的高效運行。而其中的存儲芯片，就如同三相電表的 “記憶中樞”，至關(guān)重要。鈞敏科技深刻洞察行業(yè)需求，主推普冉的一系列 EEPROM/FLASH 產(chǎn)品，為三相電表領(lǐng)域帶來了卓越解決方案。

2025-04-21 15:09:40

1108

三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率

較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。 4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于

2025-04-18 10:52:53

曝三星芯片部門獲準(zhǔn)每周工作64小時

韓國法律有規(guī)定每周工作不得超過 52 小時，但是在上個月修訂了法規(guī)，放寬了對半導(dǎo)體行業(yè)的工時限制。修訂法規(guī)是因為包括三星在內(nèi)的一些韓國企業(yè)投訴工時法規(guī)嚴(yán)重影響了生產(chǎn)效率。據(jù)科技媒體

2025-04-16 11:20:32

799

DeepSeek與存儲芯片為AI眼鏡注入新動能

在人工智能技術(shù)飛速發(fā)展的2025年，AI眼鏡正從科幻概念走向現(xiàn)實生活。而這一進(jìn)程中，國產(chǎn)大模型DeepSeek與存儲芯片技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新，正在為智能眼鏡的智能化、輕量化與實用化注入新動能。本文將從技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動與未來趨勢三個維度，解析這三者的深度關(guān)聯(lián)。

2025-04-14 09:44:46

1263

三星辟謠晶圓廠暫停中國業(yè)務(wù)

對于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國業(yè)務(wù)，三星下場辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國部分公司新項目合作”的說法屬誤傳，三星仍在正常開展與這些公司的合作。而且有媒體報道稱瑞芯微公司等合作客戶也表示與三星的相關(guān)工作在正常推進(jìn)。

2025-04-10 18:55:33

770

AI眼鏡的未來：SoC芯片與SD NAND的協(xié)同優(yōu)化

AI眼鏡正以驚人的速度從概念走向現(xiàn)實。據(jù)行業(yè)預(yù)測，全球AI眼鏡出貨量將在2026年突破1000萬副，2030年更將飆升至8000萬副，市場規(guī)模超百億美元。這一變革的背后，是兩大核心技術(shù)——MK米客方德SD NAND存儲芯片與紳聚高性能SOC芯片的深度融合。

2025-04-08 09:00:00

1401

STM32L431RCT6主芯片搭配 SD NAND-動態(tài)心電圖設(shè)備存儲解決方案

貼片式SD卡存儲解決方案，通過硬件與軟件的深度協(xié)同，全面提升了動態(tài)心電圖設(shè)備的性能。 1）大容量存儲，滿足數(shù)據(jù)需求 MKDV08GCL-STPA存儲芯片提供了8Gb的存儲容量，能夠輕松應(yīng)對動態(tài)心電圖設(shè)備

2025-03-27 10:56:02

三星貼片電容封裝與體積大小對照詳解

在現(xiàn)代電子制造業(yè)中，貼片電容作為電子元件的重要組成部分，其封裝形式與體積大小對于電路板的布局、性能及生產(chǎn)效率具有重要影響。三星作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商，其貼片電容產(chǎn)品系列豐富，封裝多樣，滿足了

2025-03-20 15:44:59

1928

NAND Flash與SD NAND的存儲扇區(qū)架構(gòu)差異

NAND Flash?和?SD卡（SD NAND）的存儲扇區(qū)分配表都是用于管理存儲設(shè)備中扇區(qū)的分配信息。它們記錄了哪些扇區(qū)已被使用、哪些是空閑的，以及文件或數(shù)據(jù)與扇區(qū)的對應(yīng)關(guān)系，以便實現(xiàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確讀寫和存儲空間的有效管理。

2025-03-13 15:20:28

1686

曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝

2025-03-12 16:07:17

13207

視頻記錄儀_音視頻記錄儀定制_工作記錄儀整機(jī)及方案

11.0智能操作系統(tǒng)，用戶可以選擇不同存儲配置，包括4GB或8GB的LPDDR4內(nèi)存，以及64GB或128GB的eMMC存儲選項，最大支持128GB的TF卡擴(kuò)展，滿足多

2025-03-03 20:10:35

707

三星電容的耐壓與容量，如何滿足不同電路需求？

三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關(guān)鍵因素。以下是對三星電容耐壓與容量的詳細(xì)分析，以及如何根據(jù)電路需求進(jìn)行選擇的方法：一、三星電容的耐壓值識別與選擇 1、耐壓值的概念：電容長期可靠地工作

2025-03-03 15:12:57

975

三星電機(jī)推出車規(guī)MLCC新品CL55B105KEU6PN#，革新汽車電子元件 | 貞光科技代理

MLCC2220inchX7R1?250V新品問世，為這場革命注入了新的活力。作為全球電子元件行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，三星電機(jī)此次推出的高端產(chǎn)品CL55B105KEU6PN#

2025-02-27 16:44:35

1621

三星推出抗量子芯片正在準(zhǔn)備發(fā)貨

三星半導(dǎo)體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設(shè)計用以保護(hù)移動設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，用以抵御量子計算可能帶來的安全威脅。據(jù)悉，三星

2025-02-26 15:23:28

2481

三星與英偉達(dá)高層會晤，商討HBM3E供應(yīng)

其高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產(chǎn)品向英偉達(dá)供應(yīng)的相關(guān)事宜進(jìn)行了深入討論。此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關(guān)注。據(jù)推測，三星8層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量認(rèn)證工作已接近尾聲，這標(biāo)志著三星即將正式邁入英偉達(dá)的HBM供應(yīng)鏈。對于三星而言

2025-02-18 11:00:38

978

三星西安NAND閃存工廠將建第九代產(chǎn)線

還將進(jìn)一步邁出重要一步——建設(shè)第九代V-NAND(286層技術(shù))產(chǎn)線。報道指出，為了實現(xiàn)這一目標(biāo)，三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產(chǎn)第九代V-NAND所需的新設(shè)備。這些先進(jìn)設(shè)備的導(dǎo)入，將為產(chǎn)線建設(shè)提供堅實的基礎(chǔ)，確保技術(shù)升級順利進(jìn)行。據(jù)悉，三星西安NAND廠的目標(biāo)

2025-02-14 13:43:27

1088

三星Galaxy S25系列國行價格揭曉

在萬眾矚目的三星Galaxy S25系列手機(jī)發(fā)布會上，消費者們終于迎來了國行價格的正式公布。此次發(fā)布的Galaxy S25系列手機(jī)涵蓋了Galaxy S25、Galaxy S25+以及旗艦級

2025-02-12 11:23:39

1249

三星Galaxy S25系列中國市場正式發(fā)布

近日，三星電子面向中國市場正式推出了備受期待的新一代高端旗艦智能手機(jī)——Galaxy S25系列。此次發(fā)布的系列包含三款機(jī)型，分別是三星Galaxy S25 Ultra、三星Galaxy S25+

2025-02-12 11:18:22

1292

三星與SK海力士實施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

據(jù)外媒最新報道，為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題，三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施，通過工藝轉(zhuǎn)換實現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，自去年年底以來，三星電子和SK海力士正積極

2025-02-12 10:38:13

856

三星電機(jī)推出全球首款超小型高容量MLCC

近日，三星電機(jī)（Samsung Electro-Mechanics）宣布成功推出全球首款專為自動駕駛激光雷達(dá)設(shè)計的1005尺寸超小型高容量多層陶瓷電容器（MLCC）。

2025-02-10 17:37:20

1099

三星電子第四季度凈利潤超預(yù)期

——7.05萬億韓元，顯示出三星電子在經(jīng)營和盈利能力上的穩(wěn)健。在資本支出方面，三星電子在2024年的總支出為53.6萬億韓元，其中芯片資本支出占據(jù)了大部分，達(dá)到了46.3萬億韓元。這一大手筆的投資不僅彰顯了三星電子對于芯片業(yè)務(wù)的重視，也反映出其在半導(dǎo)體

2025-02-05 14:56:10

811

三星電子與谷歌聯(lián)手研發(fā)AR眼鏡

近日，三星電子在美國加州圣何塞成功舉辦了其一年一度的“Galaxy Unpacked”發(fā)布會。會上，三星電子不僅推出了備受期待的新旗艦“Galaxy S25”系列手機(jī)，還展示了與谷歌共同研發(fā)

2025-01-24 10:22:43

1240

Arm漲價計劃或影響三星Exynos芯片未來

據(jù)外媒報道，芯片巨頭Arm計劃大幅度提高授權(quán)許可費用，漲幅最高可達(dá)300%。這一消息對三星Exynos芯片的未來發(fā)展構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

2025-01-23 16:17:48

770

高通推出專為三星定制的驍龍8至尊版移動平臺

今日，高通技術(shù)公司宣布推出驍龍8至尊版移動平臺(for Galaxy)，該平臺與三星合作定制，將在全球范圍為三星Galaxy S25、S25 Plus和S25 Ultra提供支持。采用強大的、全球

2025-01-23 10:20:46

1741

三星否認(rèn)重新設(shè)計1b DRAM

據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認(rèn)。此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能

2025-01-23 10:04:15

1360

三星計劃2025年推出四款折疊屏手機(jī)

據(jù)外媒SAMMY FANS報道，三星計劃在2025年推出四款折疊屏手機(jī)，在折疊屏領(lǐng)域再展宏圖。此次新品中，三星會照例更新Flip和Fold產(chǎn)品線，推出Galaxy Z Flip 7和Galaxy

2025-01-22 17:01:36

2991

三星或于2025年推出首款內(nèi)向三折疊手機(jī)

據(jù)外媒報道，三星計劃在2025年推出一系列創(chuàng)新的折疊屏手機(jī)，其中最為引人注目的是其首款“三折疊”機(jī)型——Galaxy Z Tri-Fold。

2025-01-22 15:40:54

1374

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計，應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)

nm DRAM。這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P，其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。據(jù)了解，在決定啟動D1B-P項目時，三星現(xiàn)有的12nm級DRAM工藝良率

2025-01-22 14:04:07

1408

三星SF4X先進(jìn)制程獲IP生態(tài)關(guān)鍵助力

半導(dǎo)體互聯(lián)IP企業(yè)Blue Cheetah于美國加州當(dāng)?shù)貢r間1月21日宣布，其新一代BlueLynx D2D裸晶對裸晶互聯(lián)PHY物理層芯片在三星Foundry的SF4X先進(jìn)制程上成功流片。三星

2025-01-22 11:30:15

962

德明利高端存儲芯片eMMC通過紫光展銳移動芯片平臺認(rèn)證

近期，德明利嵌入式存儲芯片eMMC，通過主流5G通訊方案商紫光展銳新一代芯片移動平臺的產(chǎn)品認(rèn)證許可，成為德明利首批通過紫光展銳認(rèn)可并應(yīng)用于其主流5G生態(tài)系統(tǒng)的高端存儲芯片，在5G智能終端、物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域

2025-01-21 16:35:11

2135

國內(nèi)首顆！支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲芯片

2025-01-21 16:33:05

914

SK海力士計劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應(yīng)對市場下滑

產(chǎn)品價格。繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉，SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報告，SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)

2025-01-20 14:43:55

1095

雷龍SD NAND試用

、CSNP32GCR01-AOW分別為8GB、4GB雷龍二代SD NAND.前者樣片幫焊接在轉(zhuǎn)接板上，后者單芯片可以在需要SD NAND的開發(fā)板上焊接上直接替換SD卡。了解雷龍SD Nand 首先對芯片做些

2025-01-19 13:26:38

臺積電拒絕為三星代工Exynos芯片

近日，有關(guān)三星考慮委托臺積電量產(chǎn)其Exynos芯片的消息引起了廣泛關(guān)注。據(jù)悉，這一消息最初由知名博主Jukanlosreve于2024年11月13日在X平臺上發(fā)布。該博主在推文中透露，三星正在尋求

2025-01-17 14:15:52

887

SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

問題，再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心！ SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣，都是嵌入式系統(tǒng)中常見的用來存儲數(shù)據(jù)所使用的存儲芯片。 SD

2025-01-15 18:16:49

1578

SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較

問題，再也不用為SD卡的接觸穩(wěn)定性操心！　　SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣，都是嵌入式系統(tǒng)中常見的用來存儲數(shù)據(jù)所使用的存儲芯片

2025-01-15 18:15:53

三星推出全新無線充電芯片S2MIW06，支持最高50W無線快充

2025年1月14日，全球科技巨頭三星正式宣布推出其最新的無線充電芯片S2MIW06。這款芯片以其突破性的性能與全面兼容性迅速引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。S2MIW06不僅支持最高50W的無線快充，還具

2025-01-15 11:06:00

2394

三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。當(dāng)前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預(yù)計今年NAND閃存

2025-01-14 14:21:24

866

三星削減中國西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對市場變化

近日，三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產(chǎn)措施，以應(yīng)對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報》報道，三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過10%，預(yù)計每月

2025-01-14 10:08:09

851

科技先鋒聯(lián)動！三星與世嘉合力打造 microSD PRO Plus索尼克游戲存儲卡

經(jīng)官方正版授權(quán)，此系列卡共推出四種容量規(guī)格，最大容量高達(dá) 1TB，將索尼克的獨特元素融入三星 microSD 存儲卡上，該卡擁有出色的讀寫速度、良好的耐用性能以及廣泛的設(shè)備兼容性。 ? 近日，三星

2025-01-13 17:56:35

710

三星電機(jī)今年將推出固態(tài)電池原型

行業(yè)芯事行業(yè)資訊

電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2025-01-13 11:39:01

美光科技70億美元打造新加坡存儲芯片廠

隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，對先進(jìn)存儲芯片的需求日益增長。在此背景下，美光科技宣布將在新加坡投資70億美元，擴(kuò)建其制造業(yè)務(wù)，以滿足市場需求。周三，美光科技在新加坡的新工廠正式破土動工。據(jù)悉，該工廠

2025-01-09 11:34:43

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三星打破行業(yè)極限推出128GB NAND存儲芯片

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