三星打破行業極限 推出128GB NAND存儲芯片
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4768存儲芯片從無到有的全過程,這些技術細節你肯定沒聽說過
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電子發燒友網綜合報道 全球存儲市場正掀起一場前所未有的漲價風暴。全球最大的存儲芯片制造商三星電子近日宣布,旗下DRAM和NAND閃存產品價格全線上調,部分型號漲幅高達30%,猶如一顆巨石投入平靜
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4365康盈半導體AI應用存儲新品震撼發布,elexcon 2025 現場引爆行業關注
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一文讀懂 SD NAND,小白也能秒變存儲技術大神
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CS SD NAND 在AI領域的應用和注意事項
隨著ChatGPT,DeepSeek等AI模型的火熱,AI的應用硬件也發展迅速。很多廠商針對特定市場推出了AI產品。在研發這些產品的時候,有不少客戶選擇了CS SD NAND作為AI產品的存儲芯片
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635攻克存儲芯片制造瓶頸:高精度晶圓切割機助力DRAM/NAND產能躍升
在存儲芯片(DRAM/NAND)制造中,晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個芯片(Die)的關鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續增加、晶圓日益變薄(尤其對于高容量3DNAND),傳統劃片工藝帶來
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三星最新消息:三星將在美國工廠為蘋果生產芯片 三星和海力士不會被征收100%關稅
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1288曝三星S26拿到全球2nm芯片首發權 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
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1591突破堆疊瓶頸:三星電子擬于16層HBM導入混合鍵合技術
成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業的領軍企業,一直致力于推動 HBM 技術的革新。近日有消息傳出,三星電子準備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術,這一舉措無疑將在存儲芯片領域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術背景:HBM 發展的必然趨
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預定破百萬!三星推出史上最輕薄折疊手機,破解市場放緩魔咒
7月9日,三星正式發布了新一代折疊屏旗艦手機Galaxy Z Fold7、Galaxy Z Flip7同步亮相的還有面向大眾市場的Galaxy Z Flip7 FE。相比上一代產品,Galaxy
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587半導體存儲芯片核心解析
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深圳帝歐電子求購內存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡,舊卡,拆機卡都有收,價高同行回收三星內存TF卡、金士頓TF卡、閃迪TF卡、東芝TF卡
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集成電路產業通常被分為芯片設計、芯片制造、封裝測試三大領域。其中,芯片制造是集成電路產業門檻最高的行業,目前在高端芯片的制造上也只剩下臺積電(TSMC)、三星(SAMSUNG)和英特爾(Intel)三家了。
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799DeepSeek與存儲芯片為AI眼鏡注入新動能
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770AI眼鏡的未來:SoC芯片與SD NAND的協同優化
AI眼鏡正以驚人的速度從概念走向現實。據行業預測,全球AI眼鏡出貨量將在2026年突破1000萬副,2030年更將飆升至8000萬副,市場規模超百億美元。這一變革的背后,是兩大核心技術——MK米客方德SD NAND存儲芯片與紳聚高性能SOC芯片的深度融合。
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STM32L431RCT6主芯片 搭配 SD NAND-動態心電圖設備存儲解決方案
貼片式SD卡存儲解決方案,通過硬件與軟件的深度協同,全面提升了動態心電圖設備的性能。
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三星推出抗量子芯片 正在準備發貨
三星半導體部門宣布已成功開發出名為S3SSE2A的抗量子芯片,目前正積極準備樣品發貨。這一創新的芯片專門設計用以保護移動設備中的關鍵數據,用以抵御量子計算可能帶來的安全威脅。 據悉,三星
2025-02-26 15:23:28
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2481三星與英偉達高層會晤,商討HBM3E供應
其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發了外界的廣泛關注。據推測,三星8層HBM3E產品的質量認證工作已接近尾聲,這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38
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978三星西安NAND閃存工廠將建第九代產線
還將進一步邁出重要一步——建設第九代V-NAND(286層技術)產線。 報道指出,為了實現這一目標,三星西安NAND廠將在今年上半年引入生產第九代V-NAND所需的新設備。這些先進設備的導入,將為產線建設提供堅實的基礎,確保技術升級順利進行。 據悉,三星西安NAND廠的目標
2025-02-14 13:43:27
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1088三星Galaxy S25系列國行價格揭曉
在萬眾矚目的三星Galaxy S25系列手機發布會上,消費者們終于迎來了國行價格的正式公布。此次發布的Galaxy S25系列手機涵蓋了Galaxy S25、Galaxy S25+以及旗艦級
2025-02-12 11:23:39
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1249三星Galaxy S25系列中國市場正式發布
近日,三星電子面向中國市場正式推出了備受期待的新一代高端旗艦智能手機——Galaxy S25系列。此次發布的系列包含三款機型,分別是三星Galaxy S25 Ultra、三星Galaxy S25+
2025-02-12 11:18:22
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1292三星與SK海力士實施NAND閃存“自然減產”
據外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉換實現“自然減產”。 據業內消息透露,自去年年底以來,三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13
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856三星電機推出全球首款超小型高容量MLCC
近日,三星電機(Samsung Electro-Mechanics)宣布成功推出全球首款專為自動駕駛激光雷達設計的1005尺寸超小型高容量多層陶瓷電容器(MLCC)。
2025-02-10 17:37:20
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1099三星電子第四季度凈利潤超預期
——7.05萬億韓元,顯示出三星電子在經營和盈利能力上的穩健。 在資本支出方面,三星電子在2024年的總支出為53.6萬億韓元,其中芯片資本支出占據了大部分,達到了46.3萬億韓元。這一大手筆的投資不僅彰顯了三星電子對于芯片業務的重視,也反映出其在半導體
2025-02-05 14:56:10
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811三星電子與谷歌聯手研發AR眼鏡
近日,三星電子在美國加州圣何塞成功舉辦了其一年一度的“Galaxy Unpacked”發布會。會上,三星電子不僅推出了備受期待的新旗艦“Galaxy S25”系列手機,還展示了與谷歌共同研發
2025-01-24 10:22:43
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1240Arm漲價計劃或影響三星Exynos芯片未來
據外媒報道,芯片巨頭Arm計劃大幅度提高授權許可費用,漲幅最高可達300%。這一消息對三星Exynos芯片的未來發展構成了嚴峻挑戰。
2025-01-23 16:17:48
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770高通推出專為三星定制的驍龍8至尊版移動平臺
今日,高通技術公司宣布推出驍龍8至尊版移動平臺(for Galaxy),該平臺與三星合作定制,將在全球范圍為三星Galaxy S25、S25 Plus和S25 Ultra提供支持。采用強大的、全球
2025-01-23 10:20:46
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1741三星否認重新設計1b DRAM
據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:15
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1360三星計劃2025年推出四款折疊屏手機
據外媒SAMMY FANS報道,三星計劃在2025年推出四款折疊屏手機,在折疊屏領域再展宏圖。 此次新品中,三星會照例更新Flip和Fold產品線,推出Galaxy Z Flip 7和Galaxy
2025-01-22 17:01:36
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2991三星或于2025年推出首款內向三折疊手機
據外媒報道,三星計劃在2025年推出一系列創新的折疊屏手機,其中最為引人注目的是其首款“三折疊”機型——Galaxy Z Tri-Fold。
2025-01-22 15:40:54
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1374三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰
nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項目被命名為D1B-P,其重點將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進版制程V6P相似,顯示出三星在半導體工藝研發上的持續創新與投入。 據了解,在決定啟動D1B-P項目時,三星現有的12nm級DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:07
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1408三星SF4X先進制程獲IP生態關鍵助力
半導體互聯IP企業Blue Cheetah于美國加州當地時間1月21日宣布,其新一代BlueLynx D2D裸晶對裸晶互聯PHY物理層芯片在三星Foundry的SF4X先進制程上成功流片。 三星
2025-01-22 11:30:15
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962德明利高端存儲芯片eMMC通過紫光展銳移動芯片平臺認證
近期,德明利嵌入式存儲芯片eMMC,通過主流5G通訊方案商紫光展銳新一代芯片移動平臺的產品認證許可,成為德明利首批通過紫光展銳認可并應用于其主流5G生態系統的高端存儲芯片,在5G智能終端、物聯網領域
2025-01-21 16:35:11
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SK海力士計劃減產NAND Flash存儲器以應對市場下滑
產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產決定。據悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產量削減10%。這一決定無疑將對市場產生深遠影響。 根據機構先前發布的報告,SK海力士在NAND Flash存儲器領
2025-01-20 14:43:55
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1095雷龍SD NAND試用
、CSNP32GCR01-AOW分別為8GB、4GB雷龍二代SD NAND.前者樣片幫焊接在轉接板上,后者單芯片可以在需要SD NAND的開發板上焊接上直接替換SD卡。
了解雷龍SD Nand
首先對芯片做些
2025-01-19 13:26:38
臺積電拒絕為三星代工Exynos芯片
近日,有關三星考慮委托臺積電量產其Exynos芯片的消息引起了廣泛關注。據悉,這一消息最初由知名博主Jukanlosreve于2024年11月13日在X平臺上發布。該博主在推文中透露,三星正在尋求
2025-01-17 14:15:52
887
887SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較
問題,再也不用為SD卡的接觸穩定性操心! SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣,都是嵌入式系統中常見的用來存儲數據所使用的存儲芯片。 SD
2025-01-15 18:16:49
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SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較
問題,再也不用為SD卡的接觸穩定性操心!
SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一樣,都是嵌入式系統中常見的用來存儲數據所使用的存儲芯片
2025-01-15 18:15:53
三星推出全新無線充電芯片S2MIW06,支持最高50W無線快充
2025年1月14日,全球科技巨頭三星正式宣布推出其最新的無線充電芯片S2MIW06。這款芯片以其突破性的性能與全面兼容性迅速引起了業界的廣泛關注。S2MIW06不僅支持最高50W的無線快充,還具
2025-01-15 11:06:00
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三星電子削減NAND閃存產量
近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前,全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面,預計今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24
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866三星削減中國西安NAND閃存產量應對市場變化
近日,三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產措施,以應對全球NAND市場供過于求的現狀及預期的價格下滑趨勢。據《朝鮮日報》報道,三星決定將該工廠的晶圓投入量削減超過10%,預計每月
2025-01-14 10:08:09
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851科技先鋒聯動!三星與世嘉合力打造 microSD PRO Plus索尼克游戲存儲卡
經官方正版授權,此系列卡共推出四種容量規格,最大容量高達 1TB,將索尼克的獨特元素融入三星 microSD 存儲卡上,該卡擁有出色的讀寫速度、良好的耐用性能以及廣泛的設備兼容性。 ? 近日,三星
2025-01-13 17:56:35
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美光科技70億美元打造新加坡存儲芯片廠
隨著人工智能技術的迅猛發展,對先進存儲芯片的需求日益增長。在此背景下,美光科技宣布將在新加坡投資70億美元,擴建其制造業務,以滿足市場需求。 周三,美光科技在新加坡的新工廠正式破土動工。據悉,該工廠
2025-01-09 11:34:43
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