近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn)，是在第一代的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。

全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導(dǎo)體有限公司今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存 （90nm G2 eFlash） 工藝平臺已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，技術(shù)實(shí)力和競爭力再度加強(qiáng)。

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華虹半導(dǎo)體在第一代90納米嵌入式閃存 （90nm G1 eFlash） 工藝技術(shù)積累的基礎(chǔ)上，于90nm G2 eFlash工藝平臺實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸，較第一代減小約25%，為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸。此外，90nm G2采用了新的Flash IP設(shè)計架構(gòu)，在保證高可靠性 （即10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力） 的同時，提供了極小面積的低功耗Flash IP。因此，90nm G2 eFlash能夠大大縮小整體芯片面積，從而在單片晶圓上擁有更多的裸芯片數(shù)量，尤其對于具有高容量eFlash的芯片產(chǎn)品，90nm G2 eFlash的面積優(yōu)勢更為顯著。值得一提的是，90nm G2 eFlash在第一代的基礎(chǔ)上又縮減了一層光罩，使得制造成本更低。

目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，成功用于大規(guī)模生產(chǎn)電信卡芯片，并將為智能卡芯片、安全芯片產(chǎn)品以及MCU等多元化產(chǎn)品提供更具性價比的芯片制造技術(shù)解決方案。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“第二代的90nm G2 eFlash工藝的成功量產(chǎn)，標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。嵌入式非易失性存儲器技術(shù)是我們的戰(zhàn)略重點(diǎn)之一，長期以來憑借著高安全性、高穩(wěn)定性、高性價比以及技術(shù)先進(jìn)性在業(yè)界廣受認(rèn)可。作為全球領(lǐng)先的智能卡IC代工廠，華虹半導(dǎo)體將堅持深耕，不斷優(yōu)化工藝，升級平臺，持續(xù)領(lǐng)航智能IC卡代工領(lǐng)域，并大力發(fā)力物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等高增長新興市場。”