美光科技（Micron）16日宣布進一步推動DRAM產品的革新，其開始采用業界首個1z nm的工藝節點批量生產16Gb DDR4內存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節點來改善
2019-08-20 10:22:36
8531 數據速率的DDR4。 這是三星自2017年底批量生產第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來，僅僅16個月就開
2019-10-22 10:41:215509 三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內存模塊
2011-06-01 08:55:552760 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計劃將在2016年年底進入10nm制程技術量產新款處理器產品。而另一方面，預期今年第三季進入16nm
2015-05-28 10:23:161272 Samsung 5 日宣佈正式量產全球首款採用 10nm 制程生產的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個量產 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業界領先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，將定于今年晚些時候投產第二代10nm芯片生產工藝。目前，三星已經在美國硅谷開始向多個半導體公司推廣自家的14nm工藝。臺積電計劃在2017年上半年試產7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 臺積電和三星電子的制程大戰打得如火如荼，據傳臺積電7nm制程有望提前在明年底量產，遠遠超前對手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經率先進入量產，領先同業。
2016-10-18 09:48:511079 
據三星官網新聞，韓國巨頭宣布推出業界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實現與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:482245 10月份，三星宣布10nm進入量產后，市場上的14nm/16nm產品似乎瞬間黯然無光。三星計劃明年初發布首款10nm產品，預計是采用10nm LPE的Exynos 8895。顯然，老對手臺積電和它的客戶不愿被動挨打，最新消息顯示，聯發科首顆10nm芯片Helio X30定于年底量產亮相。
2016-11-03 11:22:381276 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經開發完成，未來爭取10納米產品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導體小編一起來了解一下相關內容吧。
2017-04-27 10:04:491826 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發出業內首款LPDDR5-6400內存芯片，基于10nm級(10~20nm)工藝。據悉，該LPDDR5內存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。
2018-07-17 10:15:015236 ，這是第一顆國產的DDR4內存芯片。 根據產品介紹，目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，工作電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:1110349 今年2月底，長鑫存儲官方宣布，符合國際標準規范的自產DDR4內存芯片、DDR4內存條、LPDDR4內存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內存第一次實現真正國產，并采用國產第一代10nm級工藝制造
2020-05-22 11:47:379677 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產線已開始量產業界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產品內置內存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 電子發燒友網綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內存芯片價格持續下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產DDR4內存芯片。 ? 數據顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002812 三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發發表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
較為激進的技術路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據韓媒《ChosunBiz》當地時間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
臺積電與三星的10nm工藝。智能手機的普及，大大地改變了現代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對于智能手機的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標。就像
2018-06-14 14:25:19
2133MT/s，運作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發展的關鍵。三個月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
) TH58TEG7DDKTA20(16GB)...閃迪：SDTNRGAMA-008G(8GB) SDTNQGAMA-008G(8GB)...? 專業回收EMMC三星：KLM4G1FE3B-B001(4GB
2020-12-16 17:31:39
) TH58TEG7DDKTA20(16GB)...閃迪：SDTNRGAMA-008G(8GB) SDTNQGAMA-008G(8GB)...? 專業回收EMMC三星：KLM4G1FE3B-B001(4GB
2021-01-11 18:16:12
年首款DDR4從韓國三星誕生，隨后海力士迅速跟進研制生產；2012年5月8日，美光官方正式宣布該公司首款DDR4內存開發生產出成品，并已經開始提供樣品給主要客戶進行測試，預計2013年開始量產
2012-12-30 18:45:31
RK3576處理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平臺，它集成了獨立的6TOPS（Tera Operations Per Second，每秒萬億次操作）NPU（神經網絡處理單元），用于
2024-03-12 13:45:25
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號稱是DDR4內存帶寬的20倍，不過該芯片本身還是配有DDR4內存，頻率2666Mbps。 值得注意的是，雖然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星首家量產40nm級工藝4Gb DDR3綠色內存芯片
三星電子宣布，該公司已經在業內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。
這種內存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 三星電子今天宣布，已經完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規格內存條的開發，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 驍龍 820 此前已經傳聞將會由三星代工生產，今天三星官方正式確認了這個消息，并且表示大規模生產使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 本月，三星電子宣布實現10nm級別工藝DDR4 DRAM內存顆粒的量產，再次拉大與“三國殺”剩下兩個玩家——SK海力士和美光的差距。
2016-04-25 10:32:031381 日前在深圳召開的2016三星移動解決方案論壇上，這家韓國OEM廠商宣布了最新的6GB LPDDR4內存。和現有芯片和6GB內存芯片最大的區別在于使用了最新的10nm制造生產工藝，承諾帶來更快更高效的內存。
2016-05-23 15:20:391455 導語：聯發科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經開始采用10nm FinFET工藝量產邏輯芯片，三星也成為了業內首家大規模采用10納米工藝的廠商。前段時間，韓國《電子時報》報道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 據報道，三星超車臺積電，高通8日宣布全球首顆10nm服務器芯片已送客戶，搶攻長期由英特爾獨霸市場；高通10nm手機芯片也委由三星代工，但7nm訂單重返臺積電，臺積電仍是大贏家。
2016-12-09 10:38:52530 現在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 %的性能提升。 那么我們不禁要問，Intel的10nm怎么了? 先就本次投資會議，Intel表示，數據中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾證實，搭載10nm芯片筆記本產品會在今年底出貨。 這其實不難理解。由于8代酷睿還是下半年上市，局面很可能是
2017-02-11 02:23:11431 三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進入10nm時代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過現據臺媒《電子時報》報道，業內10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預計Galaxy S8和iPhone 8將出現供不應求的情況，而由于三星S8發布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星是目前唯一宣布量產10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動SoC。
2017-03-15 08:30:35670 三星今天宣布，繼去年10月率先量產10nm工藝移動芯片后，日前已經完成了第二代10nm的質量驗證工作，即將量產。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產10nm工藝移動芯片后，日前已經完成了第二代10nm的質量驗證工作，即將量產。下面就隨網絡通信小編一起來了解一下相關內容吧。下面就隨半導體小編一起來了解一下相關內容吧。
2017-04-23 10:19:411824 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經開發完成，未來爭取10納米產品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領先同業導入量產，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產。
2017-04-25 01:08:11746 前進的步伐還是不會被徹底推翻的?？萍嫉膭撔乱膊粫虼硕共?。日前，三星官方正式宣布他們將會開產第二代10nm工藝制程的芯片，三星電子在4月20日正式宣布，他們已經完成了第二代10nm制程的驗證工作，同時即將正式量產。
2017-04-25 09:50:22852 據韓媒報道，高通已經與三星攜手，合作開發下一代手機處理器。繼去年10月份三星率先量產第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星10納米工藝技術公告：全球領先的三星電子先進的半導體元器件技術正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術，10LPP(Low Power Plus)已經合格并準備就緒用于批量生產。
2017-05-03 01:00:11815 Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake，并透露第二代10nm IceLake也已經正式流片。
2017-06-13 11:29:371496 Intel近日在官方推特自曝了10nm的進展，首次透露，第二代10nm（代號Icelake）已經流片。
2017-06-14 15:03:271224 Digitimes發布消息稱，英特爾可以按計劃在今年底首發10nm處理器，但僅限低功耗移動平臺，預計是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周，英特爾剛宣布，第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經完工，同時第二代10nm處理器Ice Lake也已經完成了最終設計。
2017-06-15 11:43:441592 昨天上午，三星官方發言，宣稱已經成功研制開發出全球第一個10nm 8-gigabit（Gb）LPDDR5 DRAM，并將在2019年批量生產。眾所周知，三星企業在批量生產8GB LPDDR4內存之后，就已經開始著手投入LPDDR5的研究。
2018-07-19 09:47:001824 第二代10nm工藝即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用產品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30997 三星利用二代10納米工藝研發出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 三星的DRAM市場表現十分強勁，并在近日宣布量產其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM的產量。
2017-12-27 11:22:381145 據韓聯社北京時間12月20日報道，三星電子今天宣布，已開始量產第二代10納米級制程工藝DRAM內存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經全球第一個開始量產基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內存條，主要面向企業和云服務應用。
2018-06-13 15:09:004819 之前傳聞三星Galaxy Note 9將會采用7nm芯片組，但是根據今日最新消息，或將不在采用7nm芯片組，同時三星宣布Galaxy S9智能手機將使用第二代10納米LPP處理器，并且10納米LPP芯片已經進行批量生產了。
2018-02-01 16:08:401667 
更快的內存，額定頻率從 DDR4-2400 提高到 DDR4-2993，部分內存條可以跑到 DDR4-3600，甚至能超頻到 DDR4-4000。 而芝奇如同之前一樣，為 Ryzen 二代準備了
2018-03-31 10:47:0010103 三星 17 日宣布，量產首批 8GB LPDDR5 存儲器顆粒，速率可達 6，400Mbps，比現有 LPDDR4-4266 存儲器快了 50%，同時功耗降低 30%，三星現在已經完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 作為DRAM芯片的龍頭企業，三星目前已經能量產10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內存、GDDR5顯存和DDR4內存等。據報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內存芯片研發，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 三星17日宣布，量產首批8GB LPDDR5存儲器顆粒，速率可達6,400Mbps，比現有LPDDR4-4266存儲器快了50%，同時功耗降低30%，三星現在已經完成了8GB LPDDR5存儲器的測試。
2018-07-20 10:39:445216 根據報道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內存已經量產，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機平板等移動設備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已開始量產第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續擴大整體10nm級DRAM的生產，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內存模組，用于高性能筆記本產品。新的內存模組容量達到32GB單條，頻率2666MHz，結構上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發業界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產以來，三星就開始向LPDDR5標準過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應用于移動設備如手機、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應用領域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前預告的那樣，在三星開始量產基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內存芯片現在也已經拍馬趕到了。早些時候官方公布了開始大規模量產這款零件
2018-08-13 11:16:004093 4月25日，三星電子宣布已開始批量生產汽車用10nm級16Gb LPDDR4X DRAM。這款最新的LPDDR4X產品具備高性能，同時還顯著提高需要在極端環境下工作的汽車應用的耐熱性水平。這款
2018-08-23 15:48:262837 臺塑集團旗下DRAM大廠南亞科技術能力大躍進，完成首顆自主研發的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個人電腦（PC）客戶認證，本月開始出貨，為南亞科轉攻利基型DRAM多年后，再度重返個人電腦市場，明年農歷年后將再切入服務器市場，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩定供貨來源。
2018-08-28 16:09:213452 三星前硬件設計工程師近日在LinkedIn透露，三星已經完成第二代NPU解決方案的開發。目前三星第二代NPU規格和其它細節仍不得而知，但據悉將應用于新的Exynos 9820高階智能手機SoC，核心配置核心為2、2和4個。
2018-10-11 10:39:134633 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進入量產，并表示基于EUV光刻技術的7LPP工藝對比現有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 三星電子今天宣布，開始量產業界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 1月4日，三星正式發布了Exynos 9810頂級移動處理器，基于三星第二代10nm FinFET LPP工藝打造，與高通驍龍845使用相同的制造工藝。僅在制程層面，相較第一代LPE （Low Power Early），新工藝就可讓芯片性能提升10%，功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659 3月21日，三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動態隨機存取存儲器）。自開始批量生產第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 關鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。量產時間
2019-03-29 07:52:01592 2019年就要正式量產了，6月份就會發布10nm Ice Lake處理器，今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake，將會使用全新的CPU內核及GPU內核。
2019-05-09 15:19:032265 日前美光公司宣布量產了1Znm工藝的16Gb DDR4內存，這是第三代10nm級內存工藝，這次量產也讓美光成為業界第一個量產1Znm工藝的公司，這一次進度比以往的標桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:004364 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網上發布消息，該公司正式宣布，首次開發了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 10nm Ice Lake還沒有全面鋪開，Intel第二代10nm Tiger Lake已經頻頻亮相，不過首發還是面向輕薄本等設備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:592331 9 月份合肥長鑫宣布量產 8Gb 顆粒的國產 DDR4 內存。對于國產內存，市場預期不會對三星、SK 海力士及美光三大內存巨頭帶來太大影響，但是會擠壓第四大內存廠商南亞科的空間。對此南亞科予以否認，表示短時間內沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:313626 英特爾10nm制程Ice Lake處理器已經發布，不過首批10nm主要應用于低功耗平臺。而第二代10nm平臺將于今年三或四季度發售，即早前CES公布的Tiger Lake平臺。
2020-02-13 23:04:483334 
三星電子今天宣布已經開始大規模生產業內第一個16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級工藝技術，可提供業界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 長鑫存儲正使用其10G1工藝技術（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內存芯片，目標是在2020年第一季度上市。現在，一名用戶就曝光了新款內存的外觀和參數。
2020-02-26 15:01:139620 2019年國內公司在內存、閃存行業同時取得了重大突破，長江存儲量產了64層3D閃存，合肥長鑫則量產了18nm DDR4內存。日前長鑫官網也宣布開售8GB DDR4內存條。
2020-03-02 09:21:431694 根據外媒WCCFTECH的報道，爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構將基于三星10nm制程，而不是之前報道的臺積電7nm工藝，據稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 EUV，依靠現有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結合，用于量產旗下首批16Gb容量的LPDDR5內存芯片。 據悉，三星的新一代內存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應的其實是
2020-09-01 14:00:293544 季度為臺積電帶來了近 10 億美元的營收。 同此前的 7nm 工藝一樣，臺積電的 5nm 工藝也不只一代，他們還將推出第二代的 5nm 工藝，也就是他們所說的 N5P。 在 8 月底的全球技術論壇期間，臺積電曾披露，同第一代 5nm 工藝相比，第二代 5nm 工藝所制造的芯片，理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:022235 年下半年大規模量產。 從英文媒體最新的報道來看，同2018年量產的7nm和今年量產的5nm工藝一樣，臺積電正在研發的3nm工藝，也將會有第二代。 英文媒體是援引產業鏈人士透露的消息，報道臺積電會推出第二代3nm工藝的，這一消息人士表示臺積電計劃在2
2020-12-02 17:14:462211 在量產國內首個8Gb DDR4芯片之后，合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開發17nm工藝的DDR5內存研發及生產。
2020-12-18 09:53:145086 今日，七彩虹宣布 iGame 內存全面升級，正式發布了 iGame VULCAN DDR4 內存。 iGame VULCAN DDR4 延續了 VULCAN 顯卡紋理設計。值得一提的是，經過網友命名
2020-12-25 10:31:313302 亦重拾漲勢，8GB DDR4模組合約價月增4.8％達26美元，換算8Gb DDR4顆粒合約價已達3美元。 ? 此外，1月份利
2021-02-03 16:59:202336 豪微科技的第二代高帶寬內存芯片進一步優化了設計，自主研發了高帶寬3D內存控制器和uLPower低功耗技術，在一顆芯片上集成高于2000路的DDR內存控制通路，提供1TByte/s到8TByte/s的存算帶寬。
2021-04-01 09:28:524112 據媒體報道稱，谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產，代工方為三星，將會采用4nm制程工藝大規模生產該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機自研的芯片，第一代在去年8月發布，而第二代
2022-06-02 14:52:451942 據消息報道，三星電子近日宣布，該公司已與AMD共同研發第二代智能固態硬盤（SmartSSD），這將搶占未來市場。
2022-07-22 17:03:433079 采用了GAA晶體管，芯片整體尺寸得到了縮減，性能和功耗方面也比上一代芯片優化了不少，并且三星已經在著手于第二代3nm芯片技術的研發了，相較之下，臺積電的3nm芯片目前還沒有量產的消息，而且臺積電的3nm芯片還是會采用FinFET晶體管，因此目前來
2022-07-25 11:46:102257 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內存顆粒測試設計，阻抗一致性優異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:488531 三星電子在最新的內存產品路線圖中透露了未來幾年的技術布局。據透露，三星計劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內存，該制程將支持高達32Gb的顆粒容量，標志著內存性能與密度的雙重飛躍。
2024-09-09 17:45:491153 三星近期已向全球 OEM 客戶發出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進入產品壽命結束（EOL）階段，最后訂購日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產
2025-10-14 17:11:371046
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