在當前內存市場需求疲軟的環境下，三星、美光和SK海力士相繼發布1z nm內存芯片，搶進高端內存市場。并計劃下半年開始量產，并于2020年在新一代服務器、高端PC及智能手機等應用發力。

三星1znm 8Gb DDR4生產率提高20%以上，下半年量產

據筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規模量產12GB 低功耗雙倍數率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發出第三代10nm級1z nm 8Gb雙倍數據速率的DDR4。

這是三星自2017年底批量生產第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來，僅僅16個月就開發出了1z nm 8Gb DDR4，而且不使用極紫外光刻（EUV）設備處理，就突破了DRAM的技術挑戰。

三星1z nm是業界最小的存儲器工藝，新的1z nm DDR4相較于1ynm生產率可提高20%以上，計劃將在下半年開始量產1z nm 8Gb DDR4，并將在2020年推出新一代企業服務器和高端PC應用的DRAM，滿足未來市場日益增長的需求。

開發的1z nm DRAM為加速向下一代如DDR5，LPDDR5和GDDR6過渡鋪平了道路，這些將為未來創新提供動力。同時，三星開發更具高容量和高性能的1z nm產品將增強其業務競爭力，鞏固其在高端DRAM市場中的領導地位，包括服務器、圖形和移動設備等領域。

該公司正積極與全球客戶合作，在與CPU制造商進行8GB DDR4模塊的全面驗證后，將提供一系列存儲解決方案。同時，三星在其平澤工廠生產先進的DRAM產品，滿足市場不斷增長的需求。

三星電子DRAM產品與技術執行副總裁李榮培（Jung Bae Lee）表示：“我們致力于突破技術領域的最大挑戰，推動實現更大的創新。很高興能再次為下一代DRAM的穩定生產奠定基礎，確保性能和能源效率的最大化。隨著我們推出1z nm的DRAM系列產品，三星將繼續致力于支持其全球客戶部署尖端系統，并滿足高端內存市場的增長。”

美光開始量產16Gb 1z nm DDR4內存，功耗降低40%

8月，根據TPU的報道，美光已經開始量產1z nm的16Gb DDR4，密度更高，功耗降低了40%。

據介紹，與前一代1Y工藝相比，1z nm工藝的16Gb DDR4產品具有更高的比特密度，性能略有提高，成本也更低。與前幾代8Gb DDR4 RAM解決方案相比，新節點還使功耗降低了40%。

美光還宣布，它已經開始批量出貨業界容量最大的單片16Gb低功耗 LPDDR4X DRAM，1z nm LPDDR4X和uMCP4產品主要針對智能手機。

美光在DRAM市場的主要競爭對手三星(Samsung)去年春季宣布，將在今年下半年開始生產1z nm 8Gb DDR4模塊，為下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6內存產品的推出做準備。

SK海力士宣布開發第三代1Z nm內存芯片 年內完成批量生產

10月21日，SK海力士今天宣布開發適用第三代1z nm DDR4 DRAM，據稱，這款芯片實現了單一芯片標準內業界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產的存儲量也是現存的DRAM內最大。

與上一代1Y產品相比，該產品的生產率提高了約27%，由于可以在不適用超高價的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進行生產，其在成本上具有競爭優勢。

新款1z nm DRAM支持高達3200 Mbps的數據傳輸速率，據稱是DDR4規格內最高速度。在功耗方面，與基于第二代8Gb產品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。

第三代產品適用前一代生產工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進了新的設計技術，提高了動作穩定性。

接下來，SK海力士計劃將第三代10nm級微細工程技術擴展到多種應用領域，包括下一代移動DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

DRAM 1z開發事業TF長李廷燻表示，該芯片計劃年內完成批量生產，從明年開始正式供應。