電子發燒友網綜合報道 2025年末,存儲行業超級周期熱潮下,一則技術動態引發產業鏈廣泛關注——三星半導體官網更新DRAM產品目錄,低調上架多款處于“樣品”階段的DDR5內存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:00
4512 12月23日,三星電子相關業務負責人一行到訪谷東智能,圍繞增強現實(AR)近眼顯示核心光學技術及整機解決方案展開深入交流。來訪團隊包括三星電子CSS 部門長Richard Hwang、LEDoS中國負責人 Hang Wang等。
2025-12-29 15:44:34
132 電子發燒友網報道(文/黃晶晶)2025年12月14日,知名硬件爆料人Tom(YouTube頻道Moore's Law Is Dead)爆料稱,三星計劃在2026年初預計CES展會后,宣布逐步退出
2025-12-16 09:40:35
5385 
2025年12月2日,三星電子正式發布Galaxy Z TriFold,進一步鞏固了三星在移動AI時代中針對形態創新的行業優勢。
2025-12-03 17:46:22
1329 20000
H56G42AS2DX014NGDDR6 16Gb 227K
H56C8H24AIR-S2C GDDR6 8Gb 800K
A3T1GF40CBF-GM21+ DDR3 1Gb 1KK
2025-11-27 15:58:19
本章的實驗任務是在 PL 端自定義一個 AXI4 接口的 IP 核,通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進行讀寫測試,讀寫的內存大小是 4K 字節。
2025-11-24 09:19:42
3467 
下面是HummingBird EV Kit給的版圖,其中DDR3_D0對應的應該是板子上的FPGA的C2引腳:?
不過我在配置MIG的時候,通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發燒友網站提供《DDR3 SDRAM參考設計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
4 三星、美光暫停 DDR5 合約報價引發的存儲芯片荒,正通過 AI 服務器需求鏈,悄然傳導至 PCB 行業。這場關聯的核心,并非簡單的 “芯片漲價帶動 PCB 漲價”,而是 AI 服務器對存儲芯片
2025-11-05 10:29:56
561 由于FPGA內部存儲資源有限,很多時候不能滿足需求,因此可以利用DDR對系統進行存儲擴展。由于DDR3內部控制十分復雜,因此可以基于AXI總線,利用Vivado提供的MIG IP對DDR3進行控制
2025-10-29 07:16:34
前言:2025年,存儲市場持續“高燒”——-國際大廠停產DDR3/4,減產LPDDR4/4X,漲價50%只是起步-國產料號月更、周更,同一料號不同Die,顆粒參數“開盲盒”-更大的坑是:對于嵌入式
2025-10-24 11:59:51
918 
DDR控制協議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序,繼而實現對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數據通常數據量較大,使用片內存儲資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內部DTCM空間較小,所以本隊針對DDR200T開發板進行針對e203的DDR3存儲器擴展。
論壇中所給出的e203擴展DDR的方法大致分為兩種,一種是直接將DDR存儲器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列,提供DDR3引腳配置。具體參數可更具項目實際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內存的信息,因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序,繼而實現對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數據通常數據量較大,使用片內存儲資源難以實現大量圖像數據
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序,繼而實現對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數據通常數據量較大,使用片內存儲資源難以實現大量圖像數據
2025-10-21 08:43:39
三星近期已向全球 OEM 客戶發出正式函件,明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進入產品壽命結束(EOL)階段,最后訂購日期定于 6 月上旬,最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產
2025-10-14 17:11:37
1033 回收DDR2,回收DDR3,收購DDR2,收購DDR3 DDR4 DDR5長期現金高價回收DDR,回收三星DDR,回收海力士DDR,回收南亞DDR,回收爾必達DDR,回收美光DDR,回收DDR
2025-10-09 14:15:34
據外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發文報道稱全球首款2nm芯片被曝準備量產;三星公司已確認 Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動 SoC 芯片,目前該芯片完成
2025-09-04 17:52:15
2149 憑借與紫光國芯的緊密合作,貞光科技能夠為客戶提供DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規級存儲產品。在產品覆蓋、技術支持和供應保障等方面的綜合優勢,使貞光科技成為車載電子領域可靠且高效
2025-08-26 16:12:15
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電子發燒友網綜合報道,據報道,有業內人士透露,三星在上個月向英偉達提供了HBM4樣品,目前已經通過了初步的質量測試,將于本月底進入預生產階段。如果能通過英偉達最后的驗證步驟,最早可能在11月或12月
2025-08-23 00:28:00
7162 英特爾? 酷睿? Ultra 200H處理器和32GB內存的AI PC上,英特爾可變顯存技術(Intel Variable VRAM Technology)可以將VRAM分配比例從57%提升到87%1
2025-08-14 15:39:45
1226 給大家帶來三星的最新消息: 三星將在美國工廠為蘋果生產芯片 據外媒報道,三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產蘋果公司的下一代芯片。而蘋果公司在新聞稿中也印證了這個一消息,在新聞稿中
2025-08-07 16:24:08
1288 Performance Body-bias)方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進展順利,三星將立即啟動量產,三星GalaxyS26系列手機將首發
2025-07-31 19:47:07
1591 本文緊接著前一個文檔《AD設計DDR3時等長設計技巧-數據線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設計,因為地址線、控制信號線有分支,SOC有可能帶有2片DDR或者更多,我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:51
2 的講解數據線等長設計。? ? ? 在另一個文件《AD設計DDR3時等長設計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:12
4 成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業的領軍企業,一直致力于推動 HBM 技術的革新。近日有消息傳出,三星電子準備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術,這一舉措無疑將在存儲芯片領域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術背景:HBM 發展的必然趨
2025-07-24 17:31:16
630 
電子發燒友網綜合報道,據韓媒報道,三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產品的質量測試,正就量產供應展開磋商。當前協商的供應量按容量計算約為10億Gb級別左右,量產時間預計最早從今年下半年延續至
2025-07-12 00:16:00
3465 ? 本原創文章由深圳市小眼睛科技有限公司創作,版權歸本公司所有,如需轉載,需授權并注明出處(www.meyesemi.com)
1.實驗簡介
實驗目的:
完成 DDR3 的讀寫測試。
實驗環境
2025-07-10 10:46:48
)這意味著三星電子預計其第二季度營業利潤暴跌39%。這也是三星六個季度以來的最低業績水平,同時,這也意味著三星業績連續第四個季度下滑。 業界分析師認為銷售限制持續存在,而且三星尚未開始向英偉達供應其12層堆疊HBM3E芯片是主要因素。而競爭對
2025-07-07 14:55:29
587 作為三星MLCC授權代理商,我們貞光科技深耕汽車電子領域多年,見證了新能源汽車市場的爆發式增長。車規級MLCC需求激增,選擇專業可靠的代理商變得至關重要。三星車規MLCC——貞光科技核心代理產品技術
2025-07-01 15:53:42
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電子發燒友網綜合報道,TrendForce報告顯示,6月初,DDR4和DDR5芯片在現貨市場上的價格已基本持平,有些DDR4芯片的價格甚至高于DDR5芯片,呈現“價格倒掛”現象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:00
4538 DDR內存占據主導地位。全球DDR內存市場正經歷一場前所未有的價格風暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場,轉向DDR5和HBM(高帶寬內存)生產,DDR3和DDR4市場呈現供不應求、供需失衡、漲勢延續的局面。未來,DDR5滲透率將呈現快速提升,市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:15
2009 
隨著汽車產業向智能化、網聯化加速轉型,高級駕駛輔助系統(ADAS)和智能駕駛技術已成為現代汽車不可或缺的核心組件。紫光國芯作為國內領先的存儲器芯片制造商,其車規級DDR3存儲產品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:17
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PC處理器對DDR5的支持,DDR5內存將更快滲透普及。相較于DDR4,所有電壓由主板供給,DDR5中內存模組搭載PMIC,PMIC是實現高效供電的關鍵,能夠為先進的計算應用提供突破性的性能表現。Rambus最近推出面向下一代AI PC內存模塊的完整客戶端芯片組,包含兩款用于客戶端計算的全新電源
2025-05-29 09:11:20
8127 
深圳帝歐電子求購內存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡,舊卡,拆機卡都有收,價高同行回收三星內存TF卡、金士頓TF卡、閃迪TF卡、東芝TF卡
2025-05-21 17:48:25
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業求購指紋排線。
回收三星S系列指紋排線,回收指紋模組,回收三星
2025-05-19 10:05:30
DDR(Double Data Rate,雙倍數據速率)是一種廣泛應用于計算機和電子設備的高性能內存技術,DDR的主要應用于計算機系統,移動設備,嵌入式系臨時存儲和高速傳輸數據。因此,DDR是現代
2025-05-14 21:48:49
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給大家帶來一些業界資訊: 三星DDR4內存漲價20%? 存儲器價格跌勢結束,在2025年一季度和第二季度,價格開始企穩反彈。 據TrendForce報道稱,三星公司DDR4內存開始漲價,在本月初三星
2025-05-13 15:20:11
1204 最新消息,三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數百分比;DDR5價格上漲個位數百分比。據稱 DDR4 上調 20%,DDR5 上調約 5
2025-05-13 01:09:00
6843 下面是調用的DDR3模塊的,模塊的倒數第二行是,模塊的時鐘輸入,時鐘源來自PLL產生的系統時鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:00
1339 
受一些智能終端消費者和企業客戶因為擔憂美國關稅而提前采購三星智能手機和通用芯片的影響,三星電子Q1營業利潤小幅增長;三星電子在2025年第一季度營業利潤達到6.7萬億韓元,同比增長1.5%,高于
2025-04-30 15:34:33
637 TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內存系統提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:02
1031 
在高速PCB設計中,DDR模塊是絕對繞不過去的一關。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3,只要設計不規范,后果就是——信號反射、時序混亂、系統頻繁死機。
2025-04-29 13:51:03
2491 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內存提供完整的電源 系統。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩壓器和緩沖低噪聲基準集成在一起
2025-04-28 13:54:45
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TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內存系統提供完整的電源。它集成了同步降壓穩壓控制器 (VDDQ),具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO (VTT) 和緩沖低噪聲基準 (VTTREF)。
2025-04-28 10:58:44
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TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內存系統。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩壓器和緩
2025-04-27 13:35:32
741 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內存系統提供完整的電源。它將同步降壓穩壓控制器 (VDDQ) 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO (VTT) 和緩
2025-04-26 11:12:30
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只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:35
1335 
1. 傳ASML 取消與三星合作的半導體研究設施,轉而尋求替代方案 ? 2023年末,三星與ASML簽署了一項價值1萬億韓元的協議,雙方將在韓國京畿道東灘投資建設半導體芯片研究設施,并在那里共同努力
2025-04-22 11:06:00
1488
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折,將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士,更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
在全球科技競爭加劇、國產替代加速推進的背景下,紫光國芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內存芯片領域的技術積累,不斷實現突破,推動國產存儲芯片向高端市場邁進。作為其核心代理商,貞光科技在市場推廣
2025-04-16 16:39:30
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對于網絡謠言三星晶圓代工暫停所有中國業務,三星下場辟謠。三星半導體在官方公眾號發文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國部分公司新項目合作”的說法屬誤傳,三星仍在正常開展與這些公司的合作。 而且有媒體報道稱瑞芯微公司等合作客戶也表示與三星的相關工作在正常推進。
2025-04-10 18:55:33
770 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產品,相較于DDR2,DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:53
3930 
電子發燒友網綜合報道?據多方消息來源推測,三星電子可能取消原計劃于?2027?年量產的?1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
2025-03-23 11:17:40
1827 電子發燒友網綜合報道 據多方消息來源推測,三星電子可能取消原計劃于 2027 年量產的 1.4nm(FS1.4)晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:00
2462 燦芯半導體(上海)股份有限公司(燦芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協議兼容性,支持DDR3
2025-03-21 16:20:03
984 初次使用XC7A35T-FGG484做設計,用的是25MHZ有源晶振,有源晶振3.3V供電,DDR3的供電1.35V,現在接上晶振后,DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
在現代電子制造業中,貼片電容作為電子元件的重要組成部分,其封裝形式與體積大小對于電路板的布局、性能及生產效率具有重要影響。三星作為全球知名的電子元器件供應商,其貼片電容產品系列豐富,封裝多樣,滿足了
2025-03-20 15:44:59
1928 
據外媒曝料稱三星已量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來,每年都在改進技術。三星現在使用的是其最新的第四代4nm工藝節點(SF4X)進行大規模生產。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:17
13207 近日,三星電子系統LSI事業部宣布成功研發出一款名為S3SSE2A的安全芯片,以應對不斷發展的量子電腦技術所帶來的網絡安全威脅。這款芯片不僅已完成樣品出貨準備,更在行業內率先采用了量子耐性口令
2025-03-05 13:56:54
996 
DDR內存控制器是一個高度集成的組件,支持多種DDR內存類型(DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2),并通過精心設計的架構來優化內存訪問效率。
2025-03-05 13:47:40
3573 
三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關鍵因素。以下是對三星電容耐壓與容量的詳細分析,以及如何根據電路需求進行選擇的方法: 一、三星電容的耐壓值識別與選擇 1、耐壓值的概念 :電容長期可靠地工作
2025-03-03 15:12:57
975 
電子發燒友網綜合報道,日前,日媒報道由于DRAM內存芯片價格持續下滑,全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產DDR4內存芯片。 ? 數據顯示,2025年1月,DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:00
2803 據韓媒近日報道,英偉達已在內部成功研發出一種新型內存模組,命名為SOCAMM。這一創新成果不僅標志著英偉達在內存技術領域的又一次突破,也預示著其在商業化應用上的新進展。 據報道,英偉達目前正與全球三
2025-02-19 11:41:41
1278 據報道,業內人士透露,全球三大DRAM內存制造商——三星電子、SK海力士和美光,有望在2025年內正式停產已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內存。 隨著技術的不斷進步和消費級平臺的更新換代
2025-02-19 11:11:51
3460 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日有消息稱,英偉達正在與三星、SK海力士等存儲巨頭合作,推動自家SOCAMM內存標準的商業化落地。SOCAMM即Space-Optimized CAMM空間優化內存
2025-02-19 09:06:55
3213 
近期,三星電子設備解決方案(DS)部門負責人兼副董事長全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達公司CEO黃仁勛,在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達總部舉行了一次重要會議。此次會議聚焦于三星電子改進
2025-02-18 11:00:38
978 HMCG88AEBRA和M321R4GA3BB6-CQK是兩款高性能的32GB DDR5 4800 EC8 RDIMM內存條,專為需要高可靠性和高性能的應用而設計。這些內存條采用288-Pin
2025-02-14 07:02:20
據韓國媒體報道,三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰,為確保HBM4內存的順利量產,公司決定對設計進行重大調整。
2025-02-13 16:42:51
1336 ;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內存模塊,專為滿足現代計算需求而設計。該產品以其高帶寬和低功耗的特性,廣泛應用于個人電腦、服務器和嵌入式系統中,成為市場上備
2025-02-10 20:10:39
如需了解價格貨期等具體信息,歡迎在首頁找到聯系方式鏈接我。不要留言,留言會被吞,收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
如需了解價格貨期等具體信息,歡迎在首頁找到聯系方式鏈接我。不要留言,留言會被吞,收不到留言。 16GB DDR4 ECC UDIMM 產品概述 16GB DDR4 ECC
2025-02-10 20:05:15
個新的領導階段。 李大成在接任三星中國公司高層職務前,曾擔任三星電子中國臺灣地區總經理,擁有豐富的市場運營和管理經驗。2024年12月,李大成被正式任命為三星電子大中華區總裁,開始肩負起領導三星在中國市場發展的重任。
2025-02-10 13:48:43
1209 M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內存模塊,具有 16GB 的容量,專為滿足現代移動計算需求而設計。這款內存條采用了 Samsung 的先進技術,適用于各種
2025-02-10 07:49:16
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內存模塊,具有 8GB 的容量,專為滿足現代移動計算需求而設計。這款內存條采用了最新的 DDR5 技術,具有
2025-02-10 07:47:57
高性能的 DDR5 SDRAM 內存模塊,具有 8GB 的容量,工作頻率為 PC4800。這款內存條由三星(Samsung)生產,專為滿足現代計算需求而設計,適用
2025-02-10 07:44:13
產品均內置了先進的時鐘驅動器(CKD)芯片,確保了數據傳輸的高速與穩定。同時,為了滿足不同用戶的需求,威剛提供了8GB、16GB與32GB三種存儲容量選項,用戶可以根據自己的實際需求進行選擇。 在
2025-02-08 10:20:13
1039 三星電子在近期舉行的業績電話會議中,透露了其高帶寬內存(HBM)的最新發展動態。據悉,該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第三季度實現大規模生產和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數據中心供貨。與上一代HBM3相比,HBM3E的銷售額實現了顯著增長。
2025-02-06 17:59:00
1106 根據市場研究機構Gartner的統計數據顯示,在2024年全球半導體行業營收達到6260億美元,同比增長18.1%。分廠商來看的話,三星登頂全球最大半導體廠商。 排名第一的是三星;得益于內存價格大幅
2025-02-05 16:49:55
1828 
近日,三星電子發布了其2024年第四季度的財務報告。數據顯示,該季度三星電子的銷售額達到了75.79萬億韓元,表現強勁。同時,其凈利潤也達到了7.58萬億韓元,這一數字超出了市場此前的預估
2025-02-05 14:56:10
811 近日,三星電子在美國加州圣何塞成功舉辦了年度“Galaxy Unpacked”發布會,會上不僅推出了備受矚目的新旗艦“Galaxy S25”系列手機,還展示了與谷歌聯合開發的Project Moohan頭顯設備。
2025-01-24 14:23:43
1394 創見(Transcend)近日宣布面向消費領域推出DDR5 6400 CUDIMM內存條,為硬件市場注入新活力。 該系列最先面世的型號為16GB容量單條模組,專為游戲玩家、內容創作者、計算機DIY
2025-01-24 11:16:18
1754 近日,三星電子在美國加州圣何塞成功舉辦了其一年一度的“Galaxy Unpacked”發布會。會上,三星電子不僅推出了備受期待的新旗艦“Galaxy S25”系列手機,還展示了與谷歌共同研發
2025-01-24 10:22:43
1240 據報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發了業界對三星電子內存產品策略的新一輪關注。 此前有報道指出,三星電子為應對其12nm級
2025-01-23 15:05:11
921 工廠和華城S3工廠。盡管投資規模有所縮減,但三星在這兩大工廠的項目推進上并未止步。 平澤P2工廠方面,三星計劃將部分3nm生產線轉換到更為先進的2nm工藝,以進一步提升其半導體制造技術的競爭力。這一舉措顯示出三星在高端工藝領域的堅定布局和持續
2025-01-23 11:32:15
1081 據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:15
1360 據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達到結束開發工作、順利進入量產階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:19
1001 (High Bandwidth Memory 4)內存規劃方面產生影響。 原本,三星電子計劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,這是結束開發工作并進入量產階段所必需的水平
2025-01-22 14:27:24
1107 近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現狀,三星決定在優化現有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:07
1408 側應用落地高率、大容量、低延遲與高帶德明利最新推出針對AIPC的DDR5SO-DIMM和U-DIMM內存模組系列產品,單條內存容量高達48GB,理論帶寬32GB/
2025-01-21 16:34:41
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近日,有關三星考慮委托臺積電量產其Exynos芯片的消息引起了廣泛關注。據悉,這一消息最初由知名博主Jukanlosreve于2024年11月13日在X平臺上發布。該博主在推文中透露,三星正在尋求
2025-01-17 14:15:52
887 近日,韓媒The Elec發布了一篇博文,披露了三星在智能手機領域的一項新動向。據該報道,三星計劃在2025年第2季度正式量產其首款三折疊手機,這一創新產品預計將在市場上引發廣泛關注。 報道進一步
2025-01-15 15:42:50
1274 近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前,全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面,預計今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24
866 億元人民幣)的激勵資金。 該工廠預計將于2026年全面投入大規模芯片生產,主要生產2納米和3納米工藝的先進芯片。三星方面表示,他們計劃在2026年初引入所有必要的生產設備,并在年底前正式啟動量產,以期在這一關鍵領域與全球領先的芯片制造
2025-01-14 13:55:41
931 近日,三星在美國舉辦的2025 年國際消費電子展(CES 2025)“First Look”活動上,發布了三星Vision AI,旨在為用戶的日常生活帶來個性化的 AI屏幕體驗。
2025-01-14 11:47:56
1234 復雜的實時嵌入式系統應用,支持多種內存接口和豐富的外設端口,滿足多樣化場景需求。
通過硬核NPU,JPU,MIPI 來支持邊緣智能應用,為FPGA市場注入新的活力。SOM模組標配1GB DDR3
2025-01-10 14:32:38
近日,三星電子于1月8日正式發布了其202X年第四季度的財報數據。根據財報顯示,該季度三星電子的營業利潤為6.50萬億韓元,這一數字明顯低于市場此前的預估值8.96萬億韓元。 同時,三星電子在
2025-01-09 10:40:28
914 在電子元器件領域,三星貼片電容以其出色的性能和廣泛的應用贏得了廣泛認可。選擇適合的三星貼片電容不僅關乎電子設備的性能和穩定性,還直接影響到產品的可靠性和成本。為了幫助買家更好地進行選型,本文將詳細
2025-01-08 14:26:59
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