美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個1z nm的工藝節(jié)點批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點來改善
2019-08-20 10:22:36
8531 8Gb DDR4生產(chǎn)率提高20%以上，下半年量產(chǎn) 據(jù)筆者此前獲悉，在今年3月，三星開始大規(guī)模量產(chǎn)12GB 低功耗雙倍數(shù)率的LPDDR4X后，三星又宣布首次開發(fā)出第三代10nm級1z nm 8Gb雙倍
2019-10-22 10:41:215509 有消息稱，這款蘋果A8芯片將會采用臺積電的20nm制程工藝。出于貨源穩(wěn)定性的考慮，不會采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會在明年正式量產(chǎn)，但是產(chǎn)能和技術(shù)上仍不慎穩(wěn)定。
2013-12-16 08:56:432381 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實現(xiàn)與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:482245 年，32GB DDR4模組價格可望漲逾300美元，南亞科直接受惠，明年上半年20奈米DDR4產(chǎn)能已全賣光。 DRAM價格今年漲了一整年，但2018年看來仍是DRAM市場大好年。在供給端來看，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的制程微縮，舊有廠內(nèi)擠出空間
2017-12-25 08:56:388415 
就在前幾天，網(wǎng)上曝光出具有紫光國芯標(biāo)識的PC DDR4內(nèi)存條，是完全自主研發(fā)的DRAM顆粒。單條容量為4GB，具體參數(shù)不詳。在今年一月份，紫光集團(tuán)投資2000億元在南京建設(shè)半導(dǎo)體基地，建成后將成
2017-12-28 16:53:272777 7月17日上午消息，三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(10~20nm)工藝。據(jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證。
2018-07-17 10:15:015236 本篇主要針對Zynq UltraScale + MPSoC的DDR接口，從硬件設(shè)計的角度進(jìn)行詳細(xì)介紹，最后展示一下小編之前自己設(shè)計的基于ZU+的外掛8顆DDR4的設(shè)計。 目前比較常用的DDR
2020-12-21 14:04:3611144 
4月20日，DRAM大廠南亞科宣布，將在新北市泰山南林科技園區(qū)興建一座雙層無塵室的 12 吋先進(jìn)晶圓廠，采用自主研發(fā)的 10nm制程技術(shù)，規(guī)劃建置 EUV 極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù)，月產(chǎn)能約 4.5 萬片，計劃今年底動工、2024 年開始第一階段 1.5 萬片量產(chǎn)，總投資額達(dá)新臺幣 3000 億元。
2021-04-20 14:14:439146 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:446127 
，這是第一顆國產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹，目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，工作電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:1110349 ，不過，公司也于去年重返PCDRAM市場，并以切入毛利率較高的服務(wù)器用DRAM為目標(biāo)，經(jīng)過一年多努力，南亞科在成功以20nm產(chǎn)生8GbDDR4DRAM、并獲手機(jī)廠導(dǎo)入產(chǎn)品后，決定將服務(wù)器用DDR4DRAM交予北美和中國大陸客戶驗證，并訂于今年重返服務(wù)器市場。 此外，有消息稱，南亞科服務(wù)
2020-04-07 10:27:046423 。 ? ? 南亞科董事長吳嘉昭指出，今年預(yù)期DRAM市場售價止跌回升，整體產(chǎn)業(yè)可望走出谷底，并邁向成長。南亞科將投入更多的研發(fā)資源，加速開發(fā)10納米級制程技術(shù)與DDR5產(chǎn)品，同時規(guī)劃新廠擴(kuò)建，未來將以符合市場需求為目標(biāo)，逐步增加產(chǎn)出。 ? 對于今年營運計劃
2021-04-26 13:57:353631 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，日媒報道由于DRAM內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002812 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達(dá)成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價格上漲個位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006845 ，近期同樣規(guī)格的16Gb產(chǎn)品中，DDR4 16Gb（1GX16）與DDR5 16G（2Gx8）的價格差距已達(dá)到1倍。 ? CFM閃存市場表示，去年三
2025-06-27 00:27:004541 DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關(guān)鍵字：存儲器
2021-11-11 07:13:53
我有一塊自制的imx8mp主板，使用DDR4的型號是：K4ABG165WA-MCWE，單片容量32Gb，主頻3200Mhz，我的主板使用了兩顆芯片，但是使用MX8M_Plus_DDR4_RPA_v9.xlsx無法完成配置
2023-05-17 06:12:25
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
東莞專業(yè)收購DDR4東莞長期高價回收DDR4，專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-05-08 17:42:19
將達(dá)到3200MT/s，于2012年推出市場，到2013年時運行電壓將改進(jìn)至1V。然而到了2011年1月，三星電子宣布完成DDR4 DRAM模塊的制造和測試，采用30nm級工藝，數(shù)據(jù)傳輸率為
2022-10-26 16:37:40
如今，電腦已經(jīng)成為了人們工作和娛樂中不可缺少的設(shè)備，越來越多的人選擇DIY一臺屬于自己的PC。在實際裝機(jī)之前，進(jìn)一步地了解硬件是非常有必要的，就拿內(nèi)存條來說，雖然現(xiàn)在主流已經(jīng)是選擇DDR4了，很多人
2019-07-25 14:08:13
佛山回收DDR4高價回收DDR4，佛山專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-07-15 19:36:21
佛山回收DDR4高價回收DDR4，佛山專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-12-27 19:25:08
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
南亞科第二季營收將成長于5%，獲利有機(jī)會季增3~5成。南亞科及華邦電下半年旺值得注意的是，南亞科20奈米制程微縮順利，下半年8GB DDR4將進(jìn)入量產(chǎn)，年底前可望完成LPDDR4試產(chǎn)并進(jìn)入量產(chǎn)，屆時
2017-06-13 15:03:01
深圳專業(yè)收購DDR4深圳長期高價回收DDR4，專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-01-30 17:36:35
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍，不過該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存，頻率2666Mbps。 值得注意的是，雖然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
如需了解價格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501422 DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393959 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451660 目前推出單條8GB DDR3內(nèi)存的廠商也逐漸增多，但低電壓版DDR3L規(guī)格的內(nèi)存還是首次現(xiàn)身：這款產(chǎn)品出自臺灣廠商Avexir(宇帷)之手，默認(rèn)頻率DDR3-1333。Avexir這款低電壓版8GB內(nèi)存屬于旗下Gre
2011-11-01 09:04:241369 南韓媒體朝鮮日報、聯(lián)合新聞通訊社（Yonhap News ）日文版18日報導(dǎo)，全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布，已領(lǐng)先全球于前（4）月開始量產(chǎn)采用20nm制程技術(shù)的低耗電力（LP）DDR2 Mobile DRA
2012-05-19 08:19:501305 據(jù)臺灣媒體報道，臺積電（TSMC）預(yù)計會在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進(jìn)入20nm技術(shù)的半導(dǎo)體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開與三星電子（
2012-07-18 09:44:331159 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點和FinFET技術(shù)。 ARM之前和臺積電進(jìn)行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺積電28nm工藝節(jié)點制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11877 現(xiàn)在有消息稱，三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內(nèi)存和UFS 2.1閃存芯片，而今年的10月份，他們就曾發(fā)布公告稱，基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。
2016-12-26 10:52:432687 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機(jī)上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 vs STLL 驅(qū)動DRAM工業(yè)發(fā)展的一個主要市場需求是對內(nèi)存器件的低功耗要求。介于這個原因，DDR4引入了一個新
2017-10-13 20:13:18
10 A30的主要亮點一是高頻，二是自主研發(fā)的散熱裝甲（御風(fēng)者）。據(jù)悉，極光A30 DDR4內(nèi)存分為4GB/8GB/16GB可選，頻率達(dá)到2400MHz，比常規(guī)普條（2133Mhz）更高。
2017-11-09 14:07:021670 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 據(jù)報道，三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計技術(shù)，比初代10nm級別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據(jù)報道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場中國沒有足夠的話語權(quán)，都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報道，紫光打造的中國第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條終于問世，讓我們看到了國產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:261933 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145 ，并開始設(shè)備安裝；2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品；2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4；2019 年底實現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬片/月；2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè)；2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。
2018-04-18 13:50:008123 
DRAM廠南亞科（2408）總經(jīng)理李培瑛預(yù)期今年第2、3季的市場需求穩(wěn)定成長，第2季整體市況仍供不應(yīng)求，產(chǎn)品單價可望持續(xù)微幅上揚，且公司第二季位元季增率有機(jī)會超過15%，DDR4出貨量持續(xù)增加，有利拉抬毛利率、營業(yè)利益率持續(xù)攀高。
2018-06-26 15:59:001495 據(jù)國際電子商情，日前，消息稱長鑫存儲DRAM項目正式首次投片，啟動試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272 
12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 DRAM芯片組成。三星稱，新品取代的是2014年推出的20nm級16GB SoDIMM模組，后者的單芯片容量是8Gb。
2018-08-06 16:38:015722 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 。“新標(biāo)準(zhǔn)使下一代系統(tǒng)有更優(yōu)秀的性能，顯著提高封裝密度和可靠性，同時有更低的功耗，”Macri說。
DDR4的單個內(nèi)存顆粒容量2Gb-16Gb，同時提供了三種數(shù)據(jù)寬度x4、x8、x16，最大數(shù)
2018-09-30 00:15:013010 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 今年以來DRAM價格持續(xù)下跌，DRAM廠南亞科今年獲利表現(xiàn)恐不如去年好。為了維持穩(wěn)定獲利，南亞科將朝向優(yōu)化產(chǎn)品組合方向調(diào)整，提高DDR4及LPDDR4X等毛利率較好的產(chǎn)品比重。此外，南亞科已取得美光的1x/1y納米制程技術(shù)授權(quán)選擇權(quán)，并啟動自主研發(fā)的10納米世代制程研發(fā)。
2019-03-01 16:30:254592 3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01592 Intel已經(jīng)從服務(wù)器到消費級、從高端到低端徹底完成了DDR4內(nèi)存的轉(zhuǎn)換，AMD這邊則直到今天才真正進(jìn)入DDR4的時代，但首款產(chǎn)品卻是面向嵌入式領(lǐng)域的R系列APU/CPU，開發(fā)代號“Merlin Falcon”。
2019-06-26 17:07:041196 隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:095571 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 最近一年來，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價之勇，只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:006891 最新消息，今天在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上，總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn)，其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期
2019-11-14 15:31:363283 9 月份合肥長鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對于國產(chǎn)內(nèi)存，市場預(yù)期不會對三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來太大影響，但是會擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對此南亞科予以否認(rèn)，表示短時間內(nèi)沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:313626 隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:145108 12月8日消息，近日，七彩虹推出了兩款DDR4 普條，都是DDR4 2666頻率，8GB單條售價188元，16GB單條售價299元。
2019-12-09 15:49:497054 其中，芝奇DDR4 4266MHz 8GB成為年度最強內(nèi)存，以11008.9的得分位居PC內(nèi)存性能榜第一。該內(nèi)存基于三星B-dieIC顆粒，支持Intel XMP 2.0規(guī)范，用戶可輕松實現(xiàn)超頻。同時還滿足高速、低延遲、大容量、RGB燈效等多重需求，是魯大師2019“牛角尖”獎最強內(nèi)存條得主。
2020-01-08 13:45:072367 除了PC處理器年度榜單之外，魯大師今日還發(fā)布了2019年度PC內(nèi)存排行。從榜單來看，8GB依然是PC玩家首選。
2020-01-08 13:58:186591 南亞科總經(jīng)理李培瑛近日宣布，已完成自主研發(fā)10納米級DRAM技術(shù)。
2020-01-13 15:16:102666 1 月 13 日訊，近日，南亞科技股份有限公司稱，公司已完成自主研發(fā) 10 納米級 DRAM 技術(shù)，將在今年下半年試產(chǎn)。順應(yīng) 10 納米制程發(fā)展，南亞科今年資本支出金額將高于去年的 55 億元。據(jù)悉，除可改善成本，南亞科成功自主開發(fā) 10 納米制程技術(shù)，將有助掌握朝高密度新產(chǎn)品發(fā)展機(jī)會與技術(shù)進(jìn)展。
2020-01-14 10:47:271225 長鑫存儲正使用其10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市。現(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:139620 2 月 27 日訊，日前，國產(chǎn)芯片代表企業(yè)長鑫存儲官方正式上線 DRAM 產(chǎn)品，包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內(nèi)存條、2GB/4GB LPDDR4X 產(chǎn)品，均符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2020-02-28 14:23:352530 MXIC 19nm SLC NAND 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 可滿足工控市場小容量FLASH短缺需求 一、MXIC 19nm SLC NAND 介紹： MX30LF/MX60LF系列由
2020-03-23 11:06:282504 FORESEE DDR4 SO-DIMM采用了黑色面板，頗具科技神秘感。內(nèi)存采用了單顆8Gb bit顆粒，正反共8顆，組成8GB的容量。顆粒為三星品牌，質(zhì)量及穩(wěn)定性方面都讓我們足夠信任。 另一面標(biāo)簽
2020-04-13 11:33:003453 4年前也就是2016年的時候，旗艦款的智能手機(jī)在內(nèi)存容量上也就是剛剛邁入了4GB的階段，而那個時候的PC平臺已經(jīng)進(jìn)入了DDR4的時候，主流級平臺的內(nèi)存容量也已經(jīng)基本從4GB開始向8GB邁進(jìn)，而且基本從2017年開始，8GB內(nèi)存已經(jīng)算是主流級PC的標(biāo)配，更不用說是對性能要求更高的游戲型PC了。
2020-04-12 09:30:175442 
江波龍電子旗下嵌入式存儲品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:225961 江波龍嵌入式存儲品牌FORESEE推出了3款國產(chǎn)化內(nèi)存，分別為DDR4SODIMM 8GB、DDR4UDIMM 8GB、DDR4UDIMM 16GB，核心DRAM均采用長鑫存儲的顆粒，這標(biāo)志著中國
2020-05-22 15:24:523650 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:472390 公告顯示，兆易創(chuàng)新DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目計劃投資總額約40億元，擬投入募集資金33億元。兆易創(chuàng)新擬通過本項目，研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術(shù)，設(shè)計和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。
2020-08-17 16:44:293795 2020年很多高端手機(jī)都使用了LPDDR5內(nèi)存了，容量也達(dá)到了8GB以上，16GB也不新鮮。但是電腦上的內(nèi)存還是DDR4，DDR5也只完成了標(biāo)準(zhǔn)，還沒量產(chǎn)呢。
2020-09-18 09:51:3811015 在量產(chǎn)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片之后，合肥長鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研發(fā)及生產(chǎn)。
2020-12-18 09:53:145086 嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。 嘉合勁威神可DDR4內(nèi)存采用純國產(chǎn)的DDR4顆粒，包括UDIMM桌面
2021-01-28 09:22:522976 亦重拾漲勢，8GB DDR4模組合約價月增4.8％達(dá)26美元，換算8Gb DDR4顆粒合約價已達(dá)3美元。 ? 此外，1月份利
2021-02-03 16:59:202336 DDR4意義就是把入門級內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3715692 DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個關(guān)鍵字：存儲器
2021-11-06 13:51:01165 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1727 8Gb DDR4 SDRAM B裸片組織為128Mbit x 4 I/O x16banks或64Mbit x8 I/O x 16banks設(shè)備。此同步設(shè)備實現(xiàn)高達(dá)2666Mb/sec的高速雙數(shù)
2022-12-05 11:54:2425 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:548669 市場上，DRAM價格已連續(xù)12個月下跌，4月份DDR4 8Gb批發(fā)價為每個1.48美元左右，環(huán)比下跌1%。
2023-06-01 17:59:112707 主要專注于DDR4市場的公司，如南亞科（2408）和華邦電（2344），有望從中受益。 在上半年，由于存儲市場不景氣，三星已經(jīng)采取了減產(chǎn)措施，涵蓋了NAND Flash和DRAM領(lǐng)域。下半年，三星計劃繼續(xù)減產(chǎn)DRAM，特別是DDR4，以期在今年年底之前將DDR4存貨水平調(diào)
2023-09-15 17:42:081808 對于DRAM業(yè)務(wù)，這個公司的主要是低端市場，如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品，且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā)，以便完善標(biāo)準(zhǔn)接口DRAM產(chǎn)品線，推動DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展，滿足客戶需求。
2023-12-27 13:58:311153 2024年，南亞科預(yù)披露將啟動資本開銷約200億元，有待董事會批準(zhǔn)。同時進(jìn)一步釋放消息，計劃2024年使用10nm第二代制程技術(shù)（1B）來生產(chǎn)8Gb DDR4及16Gb DDR5產(chǎn)品，由此可見其對于未來發(fā)展的投入決心。
2024-01-11 09:43:001261 據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量，預(yù)計明年產(chǎn)量將會進(jìn)一步增加。
2024-05-30 15:41:092438 近日，在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時，北京君正透露了其DRAM產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)展。據(jù)公司介紹，目前各類DRAM產(chǎn)品，包括DDR2、DDR3、LPDDR4等，均有新品在研發(fā)中。在工藝方面，北京君正正在積極推進(jìn)21nm
2024-11-12 14:27:051737 據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 涉及多款 8GB、16GB DDR4 SODIMM 及 UDIMM 模組，標(biāo)志著 DDR4 內(nèi)存時代進(jìn)入收尾階段。
2025-10-14 17:11:371046 2025 年 12 月 3日，中國蘇州 — 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產(chǎn)品采用華邦自有先進(jìn) 16nm 制程技術(shù)，提供更高速度、更低
2025-12-03 16:44:28714 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）前段時間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計劃陸續(xù)退出部分DDR4市場，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應(yīng)鏈波動，同時在供給不足的擔(dān)憂
2025-06-19 00:54:0010160 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論