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電子發燒友網>存儲技術>三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進一步搶攻DRAM市場商機

三星二代10納米將加速未來DRAM芯片問世 進一步搶攻DRAM市場商機

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韓國三星被曝有意進一步擴展其半導體產業

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2019年三星與SK海力士的DRAM市占率進一步成長

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3月21日,三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片服務于高端應用場景,這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
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三星電子開發首款基于第三代10nm級工藝DRAM內存芯片,下半年量產

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據ZDnet報道,三星宣布,已成功EUV技術應用于DRAM的生產中。
2020-03-25 16:24:393360

三星成首家在DRAM生產采用EUV技術的存儲器供應商

電子DRAM芯片產品與技術執行副總裁指出,隨著以EUV技術所生產出的新型DRAM芯片量產,展示著三星對提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項重大進展也說明了三星將如何透過即時開發高端制程技術來生產高端存儲器芯片市場的下一代產品,繼續
2020-04-03 15:47:511320

三星穩坐DRAM市場頭名:利潤率41%

據韓聯社援引 TrendForce 的數據,三星目前仍是 NAND 閃存領域的領導者,按收入計算,其在全球 DRAM 市場中的份額在 7-9 月期間占 41.3%,相比上季度下降了 2.2 個
2020-11-22 10:22:012037

三星明年全年DRAM和NAND的供應將嚴重不足

三星正利用這時期擴大領先優勢,三星計劃明年DRAM、閃存和代工芯片的月晶圓產能分別擴大3萬、6萬和2萬片。
2020-11-24 14:34:082248

DRAM的架構/標準/特點/未來展望

這些年來,記憶體領域出現了各種動態隨機存取記憶體(DRAM)標準,這些標準也都各自進一步發展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構的特色,點出這些架構的共同趨勢與瓶頸,并會提出IMEC為了DRAM性能推至極限而采取的相關發展途徑。
2021-01-22 10:12:356282

三星中斷12nm DRAM芯片開發,直接跨入11nm

近日,據韓媒報道稱,三星的研發人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發的命令,要求直接研發1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經各大
2022-04-18 18:21:582244

三星2nm新消息:2025年開始量產,進一步優化結構、提升性能

,比5nm芯片功耗低45%,性能高23%,同時三星也開始了第二代3nm芯片的計劃。 不止是第二代3nm芯片三星也已經確定了將在2025年量產2nm芯片,同臺積電之前宣布的時間樣。三星的2nm芯片繼續沿用GAA晶體管技術,并且進一步優化內部結構,性能和功耗等方面會得
2022-07-08 14:42:101758

三星與AMD共同研發第二代智能固態硬盤

  據消息報道,三星電子近日宣布,該公司已與AMD共同研發第二代智能固態硬盤(SmartSSD),這將搶占未來市場
2022-07-22 17:03:433079

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

-三星電子新款DRAM將于2023年開始量產,以優異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展 官方發布? ? 2022年12月21日,三星電子宣布,已成功開發出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

-? 三星電子新款DRAM將于2023年開始量產,以優異的性能和更高的能效,推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展 中國深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布,已成功開發出其首
2022-12-21 21:19:541342

三星DRAM間接減產9%,占全球DRAM產量4%

三星獲利在市場共識下,應 2023 年第季財報發表(4 月)就結束跌勢。因看到 DRAM 供需動態改善,整體 DRAM 走跌周期因庫存下降與價格下跌放緩等,第季獲利走跌逐漸趨緩。
2023-02-21 10:15:04644

三星DRAM月產量降至兩年來新低 行業頻現庫存改善信號

但這并不是全部,報道稱三星內部計劃減產持續至明年,在半導體市場重回供需平衡之前,公司避免擴產存儲芯片。Omdia預計,明年下半年三星DRAM月產量保持在60萬片,較目前水平進一步減少。
2023-07-06 15:57:361181

HBM市場前景樂觀,推動三星等半導體業務的進一步增長

 在人工智能(ai)時代引領世界市場三星等公司hbm應用在dram上,因此hbm備受關注。hbm是多個dram芯片垂直堆積,可以適用于為ai處理而特別設計的圖像處理裝置(gpu)等機器的高性能產品。
2023-08-03 09:42:501218

三星開發新一代“緩存DRAM”:能效提升60%,速度延遲降低50%

有傳聞稱,三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu,但緩存d內存垂直連接到gpu。據悉,hbm可以多個dram垂直連接起來,提高數據處理速度,因此,現金dram僅用芯片就可以儲存與整個hbm相同數量的數據。
2023-09-08 09:41:321571

三星削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

 平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產基地之。據報道,三星原計劃p3工廠的生產能力增加到8萬個dram和3萬個nand芯片,但目前已將生產能力減少到5萬個dram和1萬個nand芯片
2023-10-08 11:45:571540

芯片超過 100Gb,三星表示挑戰業界最高密度 DRAM 芯片

三星電子在此次會議上表示:“從2023年5月開始批量生產了12納米dram,目前正在開發的11納米dram提供業界最高密度。”另外,三星正在準備10納米dram的新的3d構架,并計劃為芯片提供100gb (gigabit)以上的容量。
2023-10-23 09:54:241720

三星電子擴大尖端DRAM/NAND產量

Kim Jae-jun補充道:“三星電子通過維持投資來進一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位,以確保其中長期競爭力。”三星電子負責半導體業務的DS部門計劃每年投資47.5萬億韓元的資本支出。
2023-11-03 16:17:571753

三星將于明年量產LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產LPDDR5T DRAM芯片三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當投資者詢問三星今后開發的技術時,管理人員公開了有關LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星攜手紅帽進一步擴大CXL存儲生態系統

2023年12月27日——三星宣布,與開源軟件提供商紅帽(Red Hat)攜手,首次成功在真實用戶環境中驗證了Compute Express Link(CXL)內存技術的運行,這將進一步擴大三星的 CXL生態系統。
2023-12-27 10:34:181372

三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

DRAM合約價季度漲幅預計13~18%,移動設備DRAM引領市場

DRAM產品分類顯示,PC DRAM方面,DDR5訂單需求未得到充分滿足,買方預期DDR4價格進一步上漲,這激發了備貨需求。盡管新一代設備向DDR5轉型,但對于DDR4采購量增幅不定。預計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10~15%之間,其中DDR5占據更大比例。
2024-01-08 14:27:261082

三星在硅谷建立3D DRAM研發實驗室

三星電子,全球領先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設立新的研究實驗室,專注于開發新一代3D DRAM技術。這個實驗室隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA),負責三星在美國的半導體生產。
2024-01-30 10:48:461306

三星電子在硅谷設立下一代3D DRAM研發實驗室

近日,三星電子宣布在硅谷設立下一代3D DRAM研發實驗室,以加強其在存儲技術領域的領先地位。該實驗室的成立專注于開發具有更高性能和更低功耗的3D DRAM,以滿足不斷增長的數據存儲需求。
2024-01-31 11:42:011285

三星半導體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導體做出了個引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890

三星與海力士引領DRAM革新:新一代HBM采用混合鍵合技術

在科技日新月異的今天,DRAM(動態隨機存取存儲器)作為計算機系統中的關鍵組件,其技術革新直備受矚目。近日,據業界權威消息源透露,韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士,都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486

三星積極研發LLW DRAM內存,劍指蘋果下一代XR設備市場

近日,韓媒ZDNet Korea報道,三星電子正全力投入到低延遲寬I/O(LLW DRAM)內存的研發中,旨在為未來蘋果Vision Pro之后的下一代頭戴式顯示器(XR設備)訂單做好充分準備。這舉措標志著三星在高端智能設備內存領域的雄心壯志,以及其對市場格局重塑的堅定決心。
2024-07-18 15:19:241453

三星開始量產其最薄LPDDR5X內存產品,助力端側AI應用

深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日,三星電子今日宣布其業內最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內存)開始量產,支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固三星
2024-08-06 08:32:461003

三星高通聯手開發XR芯片,劍指蘋果市場

三星電子與高通公司攜手,共同推進XR(擴展現實)技術的邊界,宣布開發專用于XR設備的高性能芯片。這戰略舉措標志著三星在XR市場邁出了重要一步,同時也預示著與蘋果在該領域的競爭進一步加劇。
2024-08-09 14:42:451256

三星否認重新設計1b DRAM

據DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內部為解決12nm級DRAM內存產品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認1b DRAM重新設計報道

據報道,三星電子已正式否認了有關其重新設計第五10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這否認引發了業界對三星電子內存產品策略的新輪關注。 此前有報道指出,三星電子為應對其12nm級
2025-01-23 15:05:11923

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