日前美光公司宣布量產了1Znm工藝的16Gb DDR4內存，這是第三代10nm級內存工藝，這次量產也讓美光成為業界第一個量產1Znm工藝的公司，這一次進度比以往的標桿三星公司還要快。

在內存工藝進入20nm之后，由于制造難度越來越高，內存芯片公司對工藝的定義已經不是具體的線寬，而是分成了1X、1Y、1Z，大體來說1Xnm工藝相當于16-19nm級別、1Ynm相當于14-16nm，1Znm工藝相當于12-14nm級別。

根據美光之前公布的路線圖，實際上1Znm之后還會有1αnm、1βnm、1γnm，這樣一來10nm級別就有六種制造工藝了，現在正好演進到到了第三代。

美光表示，與上一代1Ynm制程相比，1Znm 16Gb DDR4內存芯片可以提供更高的密度、更高的性能及更低成本，不過美光并沒有給出具體的數據，性能提升多少、成本降低多少尚無確切數據，唯一比較確切的就是說1Znm 16Gb DDR4內存相比前幾代8Gb DDR4降低了大約40%的功耗，但這個比較也太過寬泛。

此外，美光還宣布批量出貨基于UFS多芯片封裝uMCP的、業界容量最高的16Gb LPDDR4X內存，滿足了業界對低功耗及更小封裝的的要求。