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新思科技與三星合作,加速推廣變革性3納米GAA技術

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2022-06-30 16:36:272953

三星3nm芯片量產 2nm芯片還遠嗎

D(FinFET)的進階,4D(GAA技術被認為是“下一代”的晶體管技術。根據三星的數據,相較三星5納米(nm)而言,優化的3納米(nm)工藝,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面積減少16%。 另外,每一個新工藝新制程的成本和良品率,都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:522069

三星2nm芯片最新消息

根據外媒的消息報道稱,三星電子公司近日正式宣布已開始量產3納米芯片,三星電子正押注于將 GAA 技術應用于3 納米工藝,并且計劃于2025年量產基于GAA的2nm芯片,以追趕臺積電。
2022-07-04 09:34:041906

思科技和三星合作開發射頻設計參考流程

思科技攜手三星聯合開發端到端射頻設計參考流程和設計解決方案套件,并集成Ansys的領先技術,以加快設計完成。
2022-08-14 13:54:101699

三星3納米代工成本如何?3納米GAA制程良率僅20%!

從一些公開的信息來看,三星看似在3nm制程節點上先行一步,但實際生產良率也難盡人意。 據悉,三星電子3納米芯片首家客戶是來自中國的半導體企業PanSemi(磐矽半導體),后者據稱是一家專門生產比特幣挖礦機芯片的公司。
2022-11-29 15:22:071630

三星3納米良率不超過20% 將重新擬定制程工藝時間節點

三星最新公布的制程工藝技術路線圖顯示,該公司計劃在2025年開始量產2納米級SF2工藝,以滿足客戶對高性能處理器的需求。此前,三星已于今年公布,其3納米工藝已滿足大規模生產的標準。
2023-06-29 16:26:332318

思科技與三星擴大IP合作加速新興領域先進SoC設計

面向三星8LPU、SF5 (A)、SF4 (A)和SF3工藝的新思科技接口和基礎IP,加速先進SoC設計的成功之路 摘要: 新思科技接口IP適用于USB、PCI Express、112G以太網
2023-06-30 13:40:14729

三星3nm GAA商業量產已經開始,首個客戶是中國礦機芯片公司

三星3nm GAA商業量產已經開始。
2023-07-20 11:20:003104

三星3nm GAA正式商業量產

一篇拆解報告,稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發現證實了三星3nm GAA技術的商業化應用。
2023-07-21 16:03:572290

兩大IP擴大IP合作,新思科技攜手三星加速新興領域復雜SoC設計

存儲器、TCAM和GPIO,可以在各先進節點上提供行業領先的功耗、性能和面積(PPA) 新思科技車規級IP集成到三星的工藝中,有助于確保ADAS、動力總成和雷達SoC的長期運行并提高可靠 三星工藝中集成了廣泛的IP組合,并在新思科技經過認證的數字和定制設計流程的加持下,共同加速流片成功
2023-07-26 17:40:03979

基于工藝良率提升,三星Foundry泰勒工廠接獲4納米晶圓代工訂單

groq創始人兼首席執行官Jonathan Ross就此次合作表示:“groq的技術進步將通過保障ai出色性能的三星4納米晶片工程實現。”三星Foundry表示:“與groq合作表明,三星Foundry的技術可以進一步擴大ai半導體革新的可能。”并表示將加快半導體應用領域的多元化。
2023-08-17 10:31:521059

思科3DIC Compiler獲得三星多裸晶芯集成工藝流程的認證

思科技經認證的多裸晶芯片系統設計參考流程和安全的Die-to-Die IP解決方案,加速三星SF 5/4/3工藝和I-Cube及X-Cube技術的設計和流片成功。 新思科3
2023-09-14 09:38:281999

三星3nm GAA完整晶圓遭遇難產,良率僅50%

三星向中國客戶提供了第一個3nm gaa,但新的報告顯示,這些芯片的實際形態并不完整,缺乏邏輯芯片的sram。據悉,由于很難生產出完整的3納米gaa晶片,因此三星轉包工廠的收益率只有臺灣產產的50%。3nm gaa雖然比finfet優秀,但在生產效率上存在問題。
2023-10-12 10:10:201487

三星計劃:3年內實現2納米量產

10月19日,韓國三星電子在德國慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動。在這個活動上,三星電子以霸氣十足的姿態公布了其芯片制造的先進工藝路線圖和代工戰略,宣稱將在未來3年內量產2納米
2023-11-01 15:07:53988

三星顯示與三星半導體合作加速OLEDoS技術突破

三星正在加速進軍擴展現實(XR)市場。三星電子與三星顯示已開始合作開發OLEDoS(OLED on Silicon)。
2023-11-21 18:23:111952

臺積電全包!三星痛失高通明年3納米訂單

三星去年6 月底量產第一代3 納米GAA (SF3E) 制程,為三星首次采用全新GAA 架構晶體管技術,而第二代3 納米制程3GAP(SF3) 將使用第二代MBCFET 架構,從第一代3 納米SF3E基礎上再最佳化,預期2024 年進入量產階段。
2023-12-04 15:55:371251

三星啟動二代3納米制程試制,瞄準60%良率

臺積電是全球領先的半導體制造企業,也是三星的主要競爭對手。雙方都在積極爭取客戶,并計劃在上半年實現第二代3納米GAA架構制程的大規模量產。
2024-01-22 15:53:261324

第一筆2納米訂單被三星搶到

的一次重要勝利,彰顯了三星電子在芯片制程領域的領先地位。 根據經濟日報和BusinessKorea的綜合報道,這項訂單將由三星采用最新的2納米制程技術生產,主要涵蓋AI加速器和其他AI芯片。PFN曾與臺積電合作,但最終選擇轉向三星,原因在于三星提供的一站式
2024-02-18 16:04:221055

三星擴大與Arm合作,優化下一代GAA片上系統IP

三星方面確認,此舉目的在于提升無晶圓廠商使用尖端GAA工藝的可能,并縮減新品開發周期及費用。GAA被譽為下一代半導體核心技術,使晶體管性能得以提升,被譽為代工產業“變革者”。
2024-02-21 16:35:551419

三星與Arm攜手,運用GAA工藝技術提升下一代Cortex-X CPU性能

三星繼續推進工藝技術的進步,近年來首次量產了基于2022年GAA技術3nm MBCFET ? 。GAA技術不僅能夠大幅減小設備尺寸,降低供電電壓,增強功率效率,同時也能增強驅動電流,進而實現更高的性能表現。
2024-02-22 09:36:011291

三星電子宣布擴大與Arm合作

三星電子旗下芯片代工部門與全球知名的半導體技術公司Arm宣布了一項重要合作。雙方將共同努力,針對三星的Gate-All-Around(GAA)工藝,共同開發并優化下一代的Cortex-X核心。
2024-02-22 14:38:091188

三星攜手高通共探2nm工藝新紀元,為芯片技術樹立新標桿

三星與高通的合作正在不斷深化。高通計劃采納三星代工工廠的尖端全柵極(GAA)工藝技術,以優化和開發下一代ARM Cortex-X CPU。
2024-02-25 15:31:181650

三星半導體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策:將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890

三星3納米良率不足60%

三星近年來在半導體制造領域持續投入,并力爭在先進制程技術上取得突破。然而,據韓媒報道,三星3納米制程上的良率問題似乎仍未得到有效解決,這對其在市場上的競爭力構成了一定的挑戰。 據百能云芯電子.元器
2024-03-11 16:17:051032

三星電子采納新思科技Synopsys.ai EDA套件,完成GAA制程驗證

據新思科技介紹,他們的 Synopsys.ai EDA 套件專為 CPU 高效運行而設計,為三星GAA 節點帶來了卓越的 PPA(性能、功耗和面積)表現。
2024-05-06 11:23:231013

三星與新思科技攜手,備戰2nm工藝量產

在全球半導體行業邁向更高精度和更小尺寸的征途上,三星與新思科技近日宣布了一項重要的合作。這一合作旨在確保三星的2nm制造工藝能夠順利實現量產,并在市場中占據領先地位。
2024-06-20 09:22:17964

三星電子發布為可穿戴設備設計的首款3納米工藝芯片

近日,三星電子震撼發布了其專為可穿戴設備設計的首款3納米工藝芯片——Exynos W1000,標志著該公司在微型芯片技術領域的又一重大突破。這款尖端芯片采用了三星獨有的3nm GAA(環繞柵極)技術
2024-07-05 16:07:102556

思科技與三星深化合作加速AI和Multi-Die設計

思科技近日宣布,正與三星代工廠持續緊密合作,為先進邊緣AI、HPC和AI應用的下一代設計提供強大支持。雙方合作助力共同客戶實現復雜設計的成功流片,并縮短設計周期。這些客戶可以借助適用于SF2P工藝
2025-07-18 13:54:44850

三星公布首批2納米芯片性能數據

三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數據;據悉,2nm工藝采用的是全柵極環繞(GAA)晶體管技術,相比第二代3nm工藝,性能提升5%,功耗效率提高8%,芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341119

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