新思科技成為首個獲得三星EUV技術5LPE工藝認證的平臺
新思科技近日宣布，三星(Samsung Electronics)認證了新思科技Fusion Design Platform?，用于三星采用EUV光刻技術的5納米Low-Power Early(早期低功耗，簡稱“LPE”)工藝。人工智能(AI)增強型云就緒Fusion Design Platform提供前所未有的全流程設計實現(xiàn)質量和設計收斂速度，實現(xiàn)三星5LPE工藝技術提供的超高性能和低功耗，加速新一波半導體設計的開發(fā)，包括高性能計算(HPC)、汽車、5G和人工智能細分市場。
“7納米產品的交付以及5納米工藝開發(fā)的成功完成，證明了我們在基于EUV節(jié)點方面的能力。使用新思科技Fusion Design Platform，我們的共同客戶將能夠設計出最具競爭力的5LPE系統(tǒng)級芯片(SoC)產品，以滿足超高性能和低功耗應用的需求。新思科技仍然是我們的首選廠商，在新節(jié)點開發(fā)和實現(xiàn)方面開展合作，因此我們的代工廠客戶可以放心地在所有細分市場(包括汽車、人工智能、高性能計算和移動)提升他們的設計。”
——JY Choi
三星設計技術團隊副總裁
三星代工廠使用64位Arm? Cortex?-A53和Cortex-A57處理器設計(基于Armv8架構)為Fusion Design Platform提供了認證。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
463文章
54010瀏覽量
466077 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15894瀏覽量
183115 -
新思科技
+關注
關注
5文章
957瀏覽量
52900
原文標題：新思科技Fusion Design Platform成為首個獲得三星EUV技術5LPE工藝認證的平臺
文章出處：【微信號：Synopsys_CN，微信公眾號：新思科技】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
商湯大裝置SenseCore原生AI云平臺榮獲信通院5A卓越級認證
近日，商湯大裝置SenseCore原生AI云平臺通過中國信通院與泰爾實驗室《算模數(shù)用-算力平臺服務能力》權威測試，獲業(yè)界最高等級5A卓越級認證，這也是業(yè)界
三星DDR5低調突破：原生速率突破7200Mbps
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 2025年末，存儲行業(yè)超級周期熱潮下，一則技術動態(tài)引發(fā)產業(yè)鏈廣泛關注——三星半導體官網(wǎng)更新DRAM產品目錄，低調上架多款處于“樣品”階段的DDR5內存顆粒新品。其中
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗
新思科技與三星深化合作加速AI和Multi-Die設計
的經(jīng)認證EDA流程優(yōu)化功耗、性能和面積（PPA），并通過三星最新先進工藝技術支持的高質量IP產品組合可有效降低IP集成風險。
華為乾崑智能車云服務通過CCRC IT產品信息安全認證
華為乾崑智能車云服務順利通過中國網(wǎng)絡安全審查認證和市場監(jiān)管大數(shù)據(jù)中心（CCRC）的IT產品信息安全認證，成為首個獲得車聯(lián)網(wǎng)云服務平臺安全和數(shù)
三星MLCC電容的微型化技術，如何推動電子產品輕薄化？
三星MLCC電容的微型化技術通過減小元件尺寸、提升單位體積容量、優(yōu)化電路板空間利用率及支持高頻高容量需求，直接推動了電子產品的輕薄化進程，具體如下： 1、先進的材料與工藝 ：三星采用高
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
今日看點丨美國宣布：征收高達3403%關稅！；傳三星停產DDR4
改進EUV光刻制造技術。與此同時，三星還獲得了High-NA EUV光刻設備技術的優(yōu)先權。 ?
發(fā)表于 04-22 11:06
?1512次閱讀
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進的技術路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40% 的良率，這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
曝三星芯片部門獲準每周工作64小時
SamMobile報道稱；三星半導體研發(fā)部門延長工時的申請獲得勞動部京畿道分支機構的批準。韓國政府允許三星半導體研發(fā)部門的員工每周工作最長 64 小時，具體來說，在前三個月每周工作最
三星辟謠晶圓廠暫停中國業(yè)務
對于網(wǎng)絡謠言三星晶圓代工暫停所有中國業(yè)務，三星下場辟謠。三星半導體在官方公眾號發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國部分公司新項目合作”的說法屬誤傳，
三星以生態(tài)之力，共筑AI未來
在日前舉行的2025年博鰲亞洲論壇年會上，人工智能議題再度成為關注的熱點。在這場關乎未來競爭力的探討中，三星憑借科技實力，在人工智能領域前瞻布局，通過持續(xù)的技術創(chuàng)新，展現(xiàn)了其在推動AI發(fā)展方面的堅定
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于?2027?年量產的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
在先進制程領域目前面臨重重困難。三星 3nm（SF3）GAA 工藝自 2023 年量產以來，由于良率未達預期，至今尚未獲得大客戶訂單。
三星電容的MLCC技術有哪些優(yōu)勢？
三星電容的MLCC(多層陶瓷電容器)技術具有顯著優(yōu)勢，這些優(yōu)勢主要體現(xiàn)在以下幾個方面： 一、介質材料技術的突破 高介電常數(shù)陶瓷材料：三星采用具有高介電常數(shù)的陶瓷材料，如BaTiO?、P
工商網(wǎng)監(jiān)
評論