10月19日，韓國(guó)三星電子在德國(guó)慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動(dòng)。在這個(gè)活動(dòng)上，三星電子以霸氣十足的姿態(tài)公布了其芯片制造的先進(jìn)工藝路線圖和代工戰(zhàn)略，宣稱將在未來(lái)3年內(nèi)量產(chǎn)2納米制程的先進(jìn)芯片，并計(jì)劃在未來(lái)5年內(nèi)超過臺(tái)積電。論壇上，三星電子展示了一系列汽車行業(yè)定制解決方案，涵蓋了從先進(jìn)的2納米工藝到傳統(tǒng)的8英寸工藝。

三星代工事業(yè)部總裁崔時(shí)榮表示：「目前我們正加大投入以準(zhǔn)備工作，為客戶提供功率半導(dǎo)體、微電腦以及先進(jìn)的自動(dòng)駕駛人工智能芯片等多種解決方案。

三星強(qiáng)調(diào)，他們計(jì)劃在2026年實(shí)現(xiàn)車載2nm芯片的批量生產(chǎn)。同時(shí)，他們還公開了下一代存儲(chǔ)半導(dǎo)體技術(shù)——5nmeMRAM的開發(fā)計(jì)劃，將成為業(yè)界的首款產(chǎn)品。

據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃從2019年開始成為首家使用28納米工藝量產(chǎn)eMRAM的公司。他們計(jì)劃在2024年量產(chǎn)14納米車用eMRAM，隨后在2026年和2027年分別量產(chǎn)8納米和5納米車用eMRAM。

三星官方指出，8納米MRAM與14納米相比，預(yù)計(jì)集成度將提高30%，速度將提高33%。此外，三星還計(jì)劃將目前的130毫米車用BCD工藝提升至90納米，到2025年將會(huì)實(shí)現(xiàn)。相比于130納米，90納米的BCD工藝將使芯片面積減少20%。三星半導(dǎo)體和設(shè)備解決方案（DS）部門負(fù)責(zé)人慶桂顯（KyeHyunKyung）博士在公開場(chǎng)合表示，他們計(jì)劃在接下來(lái)的5年內(nèi)超過臺(tái)積電和其他行業(yè)巨頭。