為了減低近期存儲器降價帶來的沖擊，全球存儲器龍頭三星逐漸強化晶圓代工業務，希望有機會進一步拉近與臺積電的差距。在先進制程的發展方面，根據三星高層表示，將在 2019 下半年量產內含 EUV技術的 7 納米制程，而 2021 年量產更先進的 3 納米 GAA 制程。

根據國外科技網站《Tomshardware》報導，三星晶圓代工業務市場副總 Ryan Sanghyun Lee 表示，三星從 2002 年一直在開發硅納米線金屬氧化物半導體場效晶體管（Gate-All-Around；GAA ）技術，也就是透過使用納米設備制造 MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET），可顯著提升晶體管性能。三星準備在 2021 年量產 3 納米 GAA 制程。

報導進一步表示，關于三星 3 納米 GAA 制程何時進入量產，至今似乎并沒有統一說法。三星晶圓代工業務負責人 Eun Seung Jung于2018 年 12 月在 IEDM 會議就表示，三星已完成 3 納米制程技術性能驗證，進一步優化制程后，目標是在 2020 年大規模量產。

不過 3 納米 GAA 制程不論 2020 年還是 2021 年量產，都還離現在都還有點遠。三星 2019 年主推的是內含 EUV 技術的 7 納米制程，預計 2019 下半年量產。盡管三星 2018 年就已經宣布內含 EUV 技術的 7 納米制程能量產，實際上之前所說的量產只是風險試產，遠未達到規模量產的地步，2019 年底量產才有可能。

只是，在內含 EUV 技術的 7 納米制程，臺積電之前也宣布將在 2019 年量產，看起來三星也沒有進度優勢，目前僅能寄望在三星在內含 EUV 技術的 7 納米制程有自己開發的光罩檢查工具，而在其他競爭對手還沒有類似的商業工具的情況下，能有更好的良率，以及更低的成本。因此 7 納米節點，三星現階段想要超前，似乎還需要一點運氣。