日前,三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息,今天上午,三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。
三星官方稱,其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國華城工廠開始量產(chǎn)。
現(xiàn)在全球最先進(jìn)的制程工藝便是三星的3nm工藝,并且這也是全球首次采用GAA晶體管的芯片,三星表示采用了GAA晶體管的3nm芯片將應(yīng)用在高性能低功耗的計算領(lǐng)域,并且未來將要運(yùn)用到移動端。
目前三星3nm工藝芯片的首位顧客被爆料是一家來自中國的礦機(jī)芯片公司,隨后高通也預(yù)定了三星3nm工藝的產(chǎn)能。
基于GAA晶體管打造的3nm芯片,相較于之前的5nm芯片能耗可以降低45%,同時性能將提高23%,尺寸將會減小16%,并且三星還將繼續(xù)研發(fā)出第二代3nm工藝,屆時各方面的提升將更大。
綜合整理自 科學(xué)中國 芯東西 超能網(wǎng)
審核編輯 黃昊宇
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54190瀏覽量
467910 -
3nm
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
237瀏覽量
15050 -
GAA
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
38瀏覽量
7988 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1772瀏覽量
34348
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星2nm良率提升至50%,2027年前實(shí)現(xiàn)晶圓代工業(yè)務(wù)盈利可期
據(jù)報道,三星電子第一代2nm GAA制程(SF2)良率已穩(wěn)定在50%,該數(shù)據(jù)也通過其量產(chǎn)的Exynos 2600處理器得到印證。
2nm芯片量產(chǎn)狂歡下,一個被忽視的“測不準(zhǔn)”危機(jī)
三星2nm GAA芯片量產(chǎn)背后,隱藏“測不準(zhǔn)”危機(jī)。原子級尺度下,量子隧穿、工藝波動等使芯片從“
漏致勢壘降低效應(yīng)如何影響晶體管性能
隨著智能手機(jī)、電腦等電子設(shè)備不斷追求輕薄化,芯片中的晶體管尺寸已縮小至納米級(如3nm、2nm)。但尺寸縮小的同時,一個名為“漏致勢壘降低效應(yīng)(DIBL)”的物理現(xiàn)象逐漸成為制約
三星發(fā)布Exynos 2600,全球首款2nm SoC,NPU性能提升113%
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日,三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡,它不僅是三星首款2nm
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)
臺積電2納米制程試產(chǎn)成功,AI、5G、汽車芯片,誰將率先受益?
與現(xiàn)行的3nm工藝相比,臺積電在2nm制程上首次采用了GAA(Gate-All-Around,環(huán)繞柵極)晶體管架構(gòu)。這種全新的結(jié)構(gòu)能夠讓
【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)
。
叉行片:連接并集成兩個晶體管NFET和PFET,它們之間同時被放置一層不到10nm的絕緣膜,放置缺陷的發(fā)生。
CFET:屬于下一代晶體管結(jié)構(gòu),采用
發(fā)表于 09-15 14:50
【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話
。
FinFET是在22nm之后的工藝中使用,而GAA納米片將會在3nm及下一代工藝中使用。
在叉形片中,先前獨(dú)立的兩個晶體管NFET和PFET被連接和集成在兩邊,從而進(jìn)一步
發(fā)表于 09-06 10:37
全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn) 三星Exynos 2600
據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn);三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
Performance Body-bias)方案的驗證。Exynos 2600是全球首款2nm手機(jī)芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測試進(jìn)展順利,
三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年
在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競爭中,三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整,原本計劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝,將推遲至2
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!
,10埃)開始一直使用到A7代。
從這些外壁叉片晶體管的量產(chǎn)中獲得的知識可能有助于下一代互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管(CFET)的生產(chǎn)。
目前,領(lǐng)先的芯片
發(fā)表于 06-20 10:40
蘋果A20芯片的深度解讀
)工藝,相較iPhone 17 Pro搭載的A19 Pro(3nm N3P)實(shí)現(xiàn)代際跨越。 ? 性能與能效 ?:晶體管密度提升15%,同等功耗下性能
跨越摩爾定律,新思科技掩膜方案憑何改寫3nm以下芯片游戲規(guī)則
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)在半導(dǎo)體行業(yè)邁向3nm及以下節(jié)點(diǎn)的今天,光刻工藝的精度與效率已成為決定芯片性能與成本的核心要素。光刻掩模作為光刻技術(shù)的“底片”,其設(shè)計質(zhì)量直接決定了晶體管結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)度
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
%左右開始,隨著進(jìn)入量產(chǎn)階段,良率會逐漸提高”。
星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內(nèi)存
發(fā)表于 04-18 10:52
三星3nm芯片開始量產(chǎn),采用GAA晶體管,提升巨大
評論