在新思科技（Synopsys）于美國硅谷舉行年度使用者大會上，參與一場座談會的產業專家表示，鰭式電晶體（FinFET）雖有發展潛力，但也有風險，而且該技術的最佳時機尚未達到。

　　來自晶圓代工業者Globalfoundries 的技術主管指出，該種3D電晶體架構將在14納米制程節點帶來性能的提升，功耗也會比目前28納米制程降低60%；不過也有其他與會專家指出，該種電晶體架構因為電容增加，使得一些設計上的老問題更加嚴重，同時帶來新挑戰。

　　處理器設計業者Cavium Networks的IC工程副總裁Anil Jain表示，與目前的28納米制程相較，FinFET每微米（micron）閘極電容（gate capacitance）增加了66%的電容，回到與過去130納米節點平面電晶體架構的水準；他補充指出，電容會讓高階芯片的性能提升與動態功率微縮 （dynamic power scaling）受限。

　　“我們擁有這些美麗的（3D）電晶體，但我們無法讓它們跑太遠，”Jain指出，“動態功率會失控。”此外，他也表示，“我們這些設計高性能元件的人，還沒看到核心電壓（core voltage）微縮方面有太多改善。”

　　Cavium 估計FinFET將使閘極電容提升40%

　　Jain呼吁EDA供應商提供在控制交換功率與隔離電磁缺陷（isolating electromagnetic faults）方面表現更好的設計工具，“FinFET并非容易轉換的技術，直到成功的那天我們都得為此付出代價，所以拜托不要讓我們傾家蕩產。”

　　高通（Qualcomm）芯片設計部門工程副總裁Michael Campbell則表示，不同晶圓代工廠的FinFET架構，“很類似，但并非完全一樣。你只能在特定的方向蝕刻，而且蝕刻工具是共用的──這些是它們有相似性的原因──但各家晶圓代工廠其實在空間壁（spatial walls）與擴散（diffusion）方面用的技巧不同。”

　　Campbell指出，從英特爾（Intell）的22納米FinFET 圖片可以看到不規則的錐狀壁（tapered wall），那可能會沖擊平面電晶體的缺陷模型，這需要新的測試技術以及非常密切的合作伙伴關系，才能完成適當的可測試設計。

　　而Campbell表示，在EDA領域，新思的Yield Explorer是很不錯的工具，但仍是鎖定平面電晶體架構──該公司需要推出針對3D電晶體架構的工具。他指出，無論是新思或其他EDA供應商的設計工具，都嚴重缺乏將簡易的ATE圖形壓縮的方案，以供向后查找缺陷。

　　2014年底可望看到FinFET架構芯片？

　　如果以上的問題能獲得解決，Jain與Campbell都預期會在2014年底看到一些首批14納米FinFET芯片問世。

　　“我會說該制程技術已經接近準備就緒，但設計流程還在開發階段。”Campbell表示，“目前我們已經打造出2，000萬閘的（14納米FinFET）測試芯片，但未來商用產品將會達到20億閘。”他的說法為該技術的未來發展提供了一些評量參考。

　　新思IP核心業務總經理Joachim Kunkel則從另一種角度提供了FinFET技術迄今進展的概要，他的部門在2012年4月完成20納米測試芯片投片，采用雙重圖形（double patterning），展現可運作的MIPI、PCI Express與USB等介面功能；接下來的14納米芯片會是功能比較簡單的元件，主要鎖定記憶體功能，不過還未出廠。

　　“FinFET的設計參數跟平面電晶體大不相同。”Kunkel指出，“目前各家晶圓代工廠FinFET制程之間的差異性很明顯，讓我們每次（進行IP開發）時都得重頭開始；而且大多數FinFET制程與設計工具仍在開發階段，也讓該工作加重。”

　　高通的Campell補充，FinFET會讓你需要徹底重新評估元件架構──包括區分元件以及最佳化的方法──這是一大改變。無論如何，如 Globalfoundries設計解決方案副總裁Subramani Kengeri所言“整個產業界正在嘗試達成第一代FinFET元件的及時量產（time to volume）。”

　　Kengeri 指出，為了趕上已經量產22納米FinFET制程的英特爾，晶圓代工業者已經同意采取兩個步驟：一是因應20納米節點采用193納米微影、雙重圖形技術的需求，二是在仍采用20納米制作“后段（back end）”互連導線的制程節點，將14納米FinFET加入“前段（front end）”制程運用的元件。

　　三星（Samsung）邏輯元件基礎架構設計中心資深副總裁Kyu-Myung Choi重申，該公司已經承諾在2013年底將讓“風險量產（risk production）”用的14納米FinFET制程準備就緒；而Choi與Kengeri都表示，目前14納米節點的良率以及性能表現都合乎預期。
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