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中芯國際:將于年底小批量試產第二代FinFET N+1芯片

我快閉嘴 ? 來源:金十數據 ? 作者:廖力思 ? 2020-12-08 15:41 ? 次閱讀
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據最新消息,我國芯片生產巨頭中芯國際在互動平臺公開表示,該司即將在2020年底小批量試產第二代FinFET N+1芯片,目前這一芯片已經進入客戶導入階段。去年年底,中芯國際率先完成任務,完成了第一代FinFET 14nm芯片的量產工作。

資料顯示,對比起一代14nm芯片,二代FinFET N+1芯片的工藝將提升至12nm,晶體管尺寸將進一步縮減,功耗降低20%、性能提升10%,錯誤率降低20%。據悉,此前業界曾“誤傳”,中芯國際N+1、N+2工藝項目的可以媲美臺積電的7nm芯片工藝。

今年3月,中芯國際也對此澄清道,該司N+1、N+2工藝項目與臺積電7nm芯片還有差距,只能說,在功耗以及穩定性能與其相提并論。不過,雖然與國際最先進的芯片代工產商還有距離,但是中芯國際當前取得的成績實屬來之不易。據悉,目前全球能生產14nm芯片的企業僅有6家,中芯國際就是其中之一。

除了中國企業試圖趕超國際高端芯片的先進制程,美國芯片巨頭英特爾Intel)也在加緊行動。截至目前,作為美國第一大芯片生產商,英特爾芯片工藝僅發展至10nm,7nm工藝的進展還屢次被延遲。近期,已經有不少業界人士猜測,由于本土產能受限,英特爾很有可能會將美國本土的芯片訂單轉交給臺積電等幫忙代工。

此外,我國芯片產業也在不斷傳來重磅利好。就在今日(12月4日),中芯國際宣布旗下子公司中芯控股將和國家集成電路基金II、亦莊國聯手成立合資企業。據天眼查公布的報告,我國已有超過20000家芯片相關企業擁有自家獨有的專利,占比相關企業總量的8.45%。這意味著,我國日后將在芯片專利領域擁有更多話語權。

就連我國北京市也送來了一則“好消息”。據報道,北京市多名代表人士“公開放話”,接下來將力爭突破集成電路、關鍵新材料等“卡脖子”技術,加快推進世界一流重大科技基礎設施集群建設。不難想象,當我們集全國的力量攻克生產難題,芯片產業迎來“彎道超車”的一天也就不遠了。
責任編輯:tzh

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