16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節點方面取得了重大進展，包括7nm批量生產和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術的開發
2019-04-18 15:48:47
7184 韓國《中央日報》發布消息稱，三星電子已成功研發出5納米(nm)半導體工藝，并于4月中正式量產首個利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對于新一代半導體的精密工藝問題，三星電子與各企業間的技術較量也
2019-05-22 10:25:425349 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術，而且又類似GlobalFoundries、聯電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來說就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141962 在國際電子電路研討會大會（ISSCC）上，三星展示了采用10納米FinFET工藝技術制造的300mm晶圓，這表明三星10納米FinFET工藝技術最終基本定型。
2015-05-28 10:25:272067 TSMC在FinFET工藝量產上落后于Intel、三星，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會量產5nm工藝，還會用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:091380 中芯長電半導體有限公司28日在江陰宣布正式開始為美國高通公司提供14納米硅片凸塊量產加工。這標志著中芯長電成為中國大陸第一家進入14納米先進工藝技術節點產業鏈并實現量產的半導體公司。
2016-08-02 13:45:431276 據外媒報道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應晶體管（FinFET）制程工藝相關的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學技術院（KAIST）計劃對三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。KAIST稱，他們開發了10納米FinFET工藝，但是三星竊取了這項技術，并將其用于生產高通驍龍835芯片。
2016-12-05 15:35:27955 三星電子野心勃勃，全力搶攻晶圓代工業務，該公司宣布第二、三代10納米制程量產時間，并表示未來將增加8 納米和6納米制程，嗆聲臺積電意味濃厚。
2017-03-17 09:21:081139 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經開發完成，未來爭取10納米產品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導體小編一起來了解一下相關內容吧。
2017-04-27 10:04:491826 制程進度，共同執行長趙海軍表示，先進制程14納米FinFET將于2019年量產，第二代28納米HKMG制程也會于2018年底問世，外界都睜大眼睛等著檢視成績單。 中芯國際15日的線上法說中，仍是由趙海軍主持會議，梁孟松僅簡短發言，代表加入新團隊后的首次現“聲”，也滿
2017-11-27 16:29:531679 三星官方宣布，已經開始進行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產工作。據悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機器采購自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號為雙工件臺NXE:3400B(光源功率280W)，日產能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 Storage（OCS）”,容量也比原來格子狀排列時增大1.57倍。OSC是三星已在此前工藝中導入的技術。Air Spacer技術是最近經常采用的通過在電極及布線周圍設置空隙來減小寄生電容的技術。三星表示通過該技術，與原來布線絕緣采用Si3N4時相比，可使Cb減小34％。
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產品和服務信息，但三星并未透露產品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
芯片，并將于今年12月份實現量產。根據市場調研機構TSR的調查報告顯示，三星電子的最新圖像增強技術不僅適用于高分辨率照相手機，還可以滿足當前新興工業應用對于高性價比圖像捕捉解決方案的需求。
2021-04-22 07:35:50
`聽說三星已搞定石墨烯電池，能量密度提升45%，充電快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其實不得不服三星的技術）順便發個三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
根據三星技術部門確認并宣布，三星將會把所有的Windows Phone 7.5機型的系統版本推送至7.8，原文如下：“We can confirm that our products
2012-12-23 11:03:51
技術開發成功，同時透露會朝第二代的 FinFET 技術開發。若***一舉朝 7 納米前進，將會成為全球第四家 7 納米技術供應商，與英特爾、臺積電、三星分庭抗禮。同時，華為海思的麒麟980也搶先發布，首款
2018-09-05 14:38:53
內建封裝（PoP）技術。 臺積電明年靠著16納米FinFET Plus及InFO WLP等兩大武器，不僅可以有效對抗三星及GlobalFoundries的14納米FinFET制程聯軍，還可回防全球最大
2014-05-07 15:30:16
日公布，5納米工藝技術制造8、三星 Exynos 2100：2020年12月12日公布，5納米工藝技術制造9、蘋果 A13 Bionic：2019年9月10日公布，7納米工藝技術制造10、高通 驍龍 865 Plus：2020年7月8日公布，7納米工藝技術制造
2021-12-25 08:00:00
量產中利用意法半導體的FD-SOI技術。也是在這一年，三星成功生產了8Mb eMRAM，并利用28nmFDS，在2019年成功量產首款商用eMRAM。 據三星介紹，利用其28nmFDS工藝技術制作
2023-03-21 15:03:00
的小珠子，使其最后形成一個10X5比例的長方形。從這個實驗不難看出，要達成這個目標非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產
2016-06-29 14:49:15
的長方形。從這個實驗不難看出，要達成這個目標非常不容易，由此可以了解到，各大廠面臨的困境有多么艱難。三星和臺積電都在完成14 納米、16 納米 FinFET 的量產，并以此為資本爭奪下一代iPhone
2016-12-16 18:20:11
和14nm芯片。當時臺積電和三星各占40%、60%左右的訂單。臺積電獨得訂單，恐怕與去年的“芯片門事件”有關。去年剛上市的iPhone6s采用A9芯片，就是由臺積電（16nm制程工藝）和三星（14
2016-07-21 17:07:54
中芯國際將45納米工藝技術延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約
2009-10-15 08:22:441035 該14納米產品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節點上開發系統級芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術以14納米標準設計的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551642 三星將于2013年采用20納米技術，同時開始建造生產14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術生產晶體管。
2012-12-06 13:53:02913 根據DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術，同時開始建造生產14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術生產晶體管。 當前主流的智能手機芯片主要由高
2012-12-07 16:54:321466 GlobalFoundries、Intel都在紛紛宣傳各自的14nm新工藝，三星電子今天也宣布，已經在14nm FinFET工藝開發之路上取得又一個里程碑式的突破，與其設計、IP合作伙伴成功流片了多個開發載具。
2012-12-24 09:28:241508 新思科技公司日前宣布：該公司與三星在FinFET技術上的多年合作已經實現了一個關鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實現了首款測試芯片的流片
2013-01-09 12:11:311469 東芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布，該公司已經開發出第二代19納米工藝技術，該技術將于本月晚些時候用于量產每單元2比特的64吉比特NAND存儲芯片。
2013-05-23 10:34:251518 日前，聯華電子與SuVolta公司宣布聯合開發28納米工藝技術，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術集成到聯華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動工藝。
2013-07-25 10:10:521458 驍龍 820 此前已經傳聞將會由三星代工生產，今天三星官方正式確認了這個消息，并且表示大規模生產使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 俄勒岡州威爾遜維爾，2016 年 3 月 11 日—Mentor Graphics公司（納斯達克代碼：MENT）今日宣布，與三星電子合作，為三星代工廠的10 納米 FinFET 工藝提供各種
2016-03-11 14:39:211627 三星電子的芯片部門風光不再，從金雞母淪落至賠錢貨，該部門1日宣稱第三代14納米FinFET制程的研發工作即將完成，似乎意圖向臺積電搶單，扭轉頹勢。
2016-05-04 09:53:32916 近日，三星電子宣布已經開始采用10nm FinFET工藝量產邏輯芯片，三星也成為了業內首家大規模采用10納米工藝的廠商。前段時間，韓國《電子時報》報道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 據外媒報道，三星電子被指侵犯了與鰭式場效應晶體管（FinFET）制程工藝相關的專利，面臨訴訟。韓媒稱，韓國科學技術院（KAIST）計劃對三星提起訴訟，指控后者侵犯其FinFET專利。
2016-12-05 20:08:05788 因此連帶調整新一代5納米制程領軍舵手；至于三星為高通（Qualcomm）操刀的10納米制程亦因為良率問題，迫使部分芯片轉回14納米制程生產，業者認為10納米制程恐成為歷年來導入量產最不順利的半導體世代。不過，相關消息仍待臺積電、三星證實。
2016-12-22 10:17:15947 三星今天宣布，繼去年10月率先量產10nm工藝移動芯片后，日前已經完成了第二代10nm的質量驗證工作，即將量產。
2017-04-22 01:08:12883 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經開發完成，未來爭取10納米產品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領先同業導入量產，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產。
2017-04-25 01:08:11746 三星10納米工藝技術公告：全球領先的三星電子先進的半導體元器件技術正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術，10LPP(Low Power Plus)已經合格并準備就緒用于批量生產。
2017-05-03 01:00:11815 2017年6月2日，上海——楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其數字、簽核與定制／模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術上實現。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341668 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統也通過了認證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術。
2017-10-11 11:13:423455 據韓聯社北京時間12月20日報道，三星電子今天宣布，已開始量產第二代10納米級制程工藝DRAM內存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 三星電子準備調整鑄造技術藍圖，2019年下半年開始量產6納米芯片。按照原來的計劃，三星本打算在2019年試產6納米芯片。在7納米技術上，三星落后于臺積電，現在它想在6納米技術上加速前進。
2018-03-14 16:41:425956 關鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭，三星此前也已經宣布了其7nm LPP工藝將會在2018年下半年投入生產，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術。
2018-05-25 11:09:004079 根據美國德克薩斯州聯邦法院的裁決，三星電子侵犯了一家韓國大學關于雙柵極FinFET半導體工藝的技術專利，必須賠償4億美元。
2018-06-22 16:28:344459 雖然2018年包括臺積電、三星、格羅方德都要導入7納米制程技術。其中，三星為了追趕臺積電，還在首代的7納米（LPP）制程中導入EUV技術。不過，臺積電也非省油的燈，除了積極布局7納米制程技術之外
2018-07-06 15:01:004225 
中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠
2018-07-06 15:23:524048 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯華電子（UMC）的先進14納米FinFET制程技術認證。ANSYS和聯電透過認證和完整套裝半導體設計解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算（HPC）應用不斷成長的需求。
2018-07-17 16:46:004095 與上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝在減少30%芯片尺寸基礎上，實現性能提升27%或高達40%功耗降低。讓OEM廠商能夠在即將發布的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。
2018-07-22 11:13:495153 電子有限公司延續雙方十年之久的戰略性晶圓代工合作，將采用三星10納米FinFET制程工藝打造Qualcomm Technologies最新款頂級處理器——Qualcomm?驍龍?835處理器。
2019-03-15 16:58:481175 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進入量產，并表示基于EUV光刻技術的7LPP工藝對比現有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評論: 0 | 來自: 半導體產業網 摘要 : 10納米級DRAM先進制程競爭逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02533 三星電子今天宣布，開始量產業界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 為了減低近期存儲器降價帶來的沖擊，全球存儲器龍頭三星逐漸強化晶圓代工業務，希望有機會進一步拉近與臺積電的差距。在先進制程的發展方面，根據三星高層表示，將在 2019 下半年量產內含 EUV技術的 7 納米制程，而 2021 年量產更先進的 3 納米 GAA 制程。
2019-01-14 14:47:443904 3月21日，三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840 三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 關鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發出業內首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內存芯片，將服務于高端應用場景，這距離三星量產1y nm 8Gb DDR4內存芯片僅過去16個月。量產時間
2019-03-29 07:52:01588 在當前全球晶圓制造的先進制程領域中，只剩下臺積電、三星以及英特爾可以一較高下。三星雖然早在 2018 年 10 月份就已經宣布量產 7 納米 EUV 制程，但實際情況并非如此。因為就連三星自己
2019-04-03 17:21:043414 包括7nm批量生產和6nm產品的流片, 三星電子在基于EUV技術的先進制程工藝開發上取得重大進展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場效應晶體管)工藝技術已經開發完成，該技術可
2019-04-18 20:48:54636 4月16日，三星官網發布新聞稿，宣布已經完成5納米FinFET工藝技術開發，現已準備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233799 在上周的美國SFF晶圓代工論壇上，三星發布了新一代的邏輯工藝路線圖，2021年就要量產3nm工藝了，而且首發使用新一代GAA晶體管工藝，領先對手臺積電1年時間，領先Intel公司至少2-3年時間。
2019-05-20 16:43:4512335 近年來，在激烈的市場競爭環境下，三星將其業務重點轉向了邏輯工藝代工。在近日的SFF（SamsungFoundry Forum）美國分會上，三星宣布了四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm。同時
2019-05-30 15:53:464391 新思科技近日宣布，三星(Samsung Electronics)認證了新思科技Fusion Design Platform?，用于三星采用EUV光刻技術的5納米Low-Power Early(早期
2019-06-12 13:48:354326 三星基于新思科技Yield Explorer加速7納米技術節點的新品量產
2019-08-13 14:31:373552 今日據外媒報道，百度和三星宣布，百度首款AI芯片昆侖已經完成研發，將由三星代工生產。該芯片使用的是三星14nm工藝技術，封裝解決方案采用的是I－Cube TM。明年年初，昆侖芯片將實現量產。
2019-12-18 10:55:202152 這是三星電子和百度的首次半導體代工合作。百度昆侖AI芯片結合百度自主研發的神經處理器架構XPU和三星14納米制造工藝，采用I-Cube封裝解決方案，可廣泛用于云計算和邊緣計算。
2019-12-19 14:11:233625 三星電子副會長李在镕近日參觀正在開發“全球第一個3納米級半導體工藝”的韓國京畿道華城半導體工廠，并聽取了關于3納米工藝技術的報告，他還與三星電子半導體部門社長團討論了新一代半導體戰略。
2020-01-06 10:42:585045 三星于去年4月向全球客戶提供7納米產品，自開始大規模生產7納米產品以來，三星僅在八個月內就推出了6納米產品。三星的微加工工藝技術升級周期正在縮短，特別是向6納米EUV工藝的過渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠臺積電（TSMC）的差距。
2020-01-06 11:40:033622 三星電子今天宣布已經開始大規模生產業內第一個16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級工藝技術，可提供業界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 據國外媒體報道，在5nm工藝即將大規模量產的情況下，3nm工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關注的焦點，三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設定的目標是在2021年大規模量產3nm工藝。
2020-04-07 17:43:512632 日前，三星電子宣布，由三星為業內最先進工藝節點專門研發的硅驗證3D IC封裝技術，eXtended－Cube，簡稱為X－cube，已經可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057 2022 年量產 3 納米芯片。該高管透露，三星電子已在與主要合作方開發初步設計工具。 三星電子向其下一代芯片業務投入 1160 億美元，其中包括為外部客戶制造芯片。 三星電子領導人李在镕此前曾透露，該公司計劃采用正在開發的最新 3 納米全柵極 （gate-all-around，簡稱 GAA）工藝技術來
2020-11-19 11:39:071911 但三星追趕臺積電的關鍵是在下一代的3nm上，因為這一代工藝上三星押注了GAA環繞柵極晶體管，是全球第一家導入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會使用GAA工藝。
2020-11-19 11:36:301777 據彭博社報道，三星全力發展晶圓代工業務，規劃投入1160億美元（約合人民幣7608億元），目標實現3納米制程2022年量產，與臺積電同步，是兩強近年先進制程競逐賽中，最接近的一次。業界認為，若三星
2020-11-26 14:44:262550 據 Digitimes 報道，業內人士透露，臺積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術的開發過程中都遇到了不同但關鍵的瓶頸。報道稱，臺積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝
2021-01-04 16:20:103024 目前從全球范圍來說，也就只有臺積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據外媒報道，三星宣布其基于柵極環繞型 （Gate-all-around，GAA） 晶體管架構的3nm工藝技術已經
2021-07-02 11:21:543387 （FinFET）的進階，4D（GAA）技術被認為是“下一代”的晶體管技術。根據三星的數據，相較三星5納米（nm）而言，優化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%。 另外，每一個新工藝新制程的成本和良品率，都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:522069 隨著臺積電曝光2nm制程的進展后，三星緊追其后也宣布了關于2nm制程的最新消息，三星2nm的量產時間也定在了2025年，跟臺積電的差不多。這次2nm制程是三星這些年來首次追上了臺積電，比以往快了不少。
2022-07-01 09:59:085174 根據外媒的消息報道稱，三星電子公司近日正式宣布已開始量產3納米芯片，三星電子正押注于將 GAA 技術應用于3 納米工藝，并且計劃于2025年量產基于GAA的2nm芯片，以追趕臺積電。
2022-07-04 09:34:041906 三星最新的生產工藝技術是他們的4nm節點。該節點去年年底提高了產量。這是他們最后一個基于FinFET的前沿工藝技術，盡管不是他們計劃中的最后一個。
2022-09-09 14:27:18954 ASIC設計服務暨IP研發銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）今日宣布其支持三星14納米LPP工藝的IP硅智財已在三星SAFE IP平臺上架，提供三星晶圓廠客戶采用。
2022-10-14 17:39:021955 和2022年度三星內存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:361624 -三星電子新款DRAM將于2023年開始量產，以優異的性能和更高的能效，推動下一代計算、數據中心和AI應用的發展 官方發布? ? 2022年12月21日，三星電子宣布，已成功開發出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:291205 款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人
2022-12-21 21:19:541342 
CV3-AD685是安霸CV3-AD汽車AI域控制器系列的首個量產型號，同時，多家一級（Tier-1）汽車供應商宣布他們將提供使用CV3-AD系列SoC的解決方案。三星第三代5納米車規工藝，針對車規級半導體優化，憑借極其嚴格的工藝管控和先進知識產權（IP），擁有卓越的可靠性和可追溯性。
2023-03-01 11:05:471391 三星最新公布的制程工藝技術路線圖顯示，該公司計劃在2025年開始量產2納米級SF2工藝，以滿足客戶對高性能處理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3納米工藝已滿足大規模生產的標準。
2023-06-29 16:26:332318 三星在會上表示，作為新一代汽車技術，正在首次開發5nm eMRAM。三星計劃到2024年為止，用14納米工程增加mbram產品有價證券組合，2年后升級為8納米制程。
2023-10-23 09:57:221309 2025 年，三星預計將推出 SF2（2nm 級）制造工藝，該工藝不僅依賴 GAA 晶體管，還將采用背面功率傳輸，這在晶體管密度和功率傳輸方面帶來了巨大的好處，
2023-11-01 12:34:141856 
10月19日，韓國三星電子在德國慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動。在這個活動上，三星電子以霸氣十足的姿態公布了其芯片制造的先進工藝路線圖和代工戰略，宣稱將在未來3年內量產2納米
2023-11-01 15:07:53988 
三星去年6 月底量產第一代3 納米GAA (SF3E) 制程，為三星首次采用全新GAA 架構晶體管技術，而第二代3 納米制程3GAP(SF3) 將使用第二代MBCFET 架構，從第一代3 納米SF3E基礎上再最佳化，預期2024 年進入量產階段。
2023-12-04 15:55:371251 新思科技（Synopsy）近日宣布，攜手Ansys 、三星半導體晶圓代工（以下簡稱“三星”）共同開發了面向三星14LPU工藝的全新射頻集成電路（RFIC）設計參考流程
2023-12-11 18:25:551456 據報道，韓國三星代工廠已經開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術的芯片，稱為 SF3。這一發展標志著半導體行業的一個重要里程碑，因為三星與臺積電競爭下一代先進工藝節點的量產主導權。韓國知名權威
2024-01-22 16:10:141629 
三星繼續推進工藝技術的進步，近年來首次量產了基于2022年GAA技術的3nm MBCFET ? 。GAA技術不僅能夠大幅減小設備尺寸，降低供電電壓，增強功率效率，同時也能增強驅動電流，進而實現更高的性能表現。
2024-02-22 09:36:011291 三星與高通的合作正在不斷深化。高通計劃采納三星代工工廠的尖端全柵極（GAA）工藝技術，以優化和開發下一代ARM Cortex-X CPU。
2024-02-25 15:31:181650 近期，科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890 在全球半導體行業邁向更高精度和更小尺寸的征途上，三星與新思科技近日宣布了一項重要的合作。這一合作旨在確保三星的2nm制造工藝能夠順利實現量產，并在市場中占據領先地位。
2024-06-20 09:22:17964 概倫電子(股票代碼：688206.SH)近日宣布其新一代大容量、高性能并行SPICE仿真器NanoSpice通過三星代工廠3/4nm工藝技術認證，滿足雙方共同客戶對高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。
2024-06-26 09:49:141378 據韓國媒體最新報道，三星電子在其第9代V-NAND閃存技術中實現了重大突破，首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬（Mo）技術。這一創新標志著三星在半導體制造領域的又一次技術飛躍。
2024-07-04 09:23:501262 據外媒曝料稱三星已量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來，每年都在改進技術。三星現在使用的是其最新的第四代4nm工藝節點（SF4X）進行大規模生產。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208
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