才與臺積電進行專利訴訟官司和解，并簽訂10年交互授權協議的晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設計廠SiFive正在合作研發將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解決方案，以擴展高性能DRAM。12LP+FinFET解決方案將提供2.5D封裝設計服務，可加速人工智能（AI）應用上市時間。

格芯表示，為了實現資料密集AI訓練應用的容量和頻寬，系統設計師面臨在同時保持合理的功率標準下，將更多的頻寬壓縮到較小區域的艱鉅挑戰。因此，格芯的12LP平臺和12LP+解決方案，搭配SiFive的定制化高頻寬存儲器介面，能使高頻寬存儲器輕松整合到系統單芯片（SoC）解決方案，從而在運算和有線基礎設施市場中，為AI應用提供快速、節能的數據處理。

另外，作為合作的一部分，設計人員還能使用SiFive的RISC-V IP產品組合和DesignShare IP生態系統，運用格芯12LP+設計技術協同優化（DTCO），大幅提高芯片的專門化，改善設計效率，在迅速又具成本效益的情況下提供差異化的SoC解決方案。

格芯進一步指出，旗下的12LP+是一款針對AI訓練和推理應用的創新解決方案，為設計人員提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM存取單元，支持處理器與存儲器之間快速、節能的數據傳輸。此外，用于2.5D封裝的新中介層有助于將高頻寬存儲器與處理器整合在一起，以實現快速、節能的數據處理。

目前，格芯正在位于美國紐約州馬爾他的8號晶圓廠，進行SiFive用于12LP和12LP+的HBM2E介面和客制IP解決方案的開發。客戶將可在2020年上半年開始進行優化芯片設計，開發針對高性能計算和邊緣AI應用的差異化解決方案。
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