作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經(jīng)開始使用其14 nm FinFET制造技術(shù)批量生產(chǎn)芯片。該公司設(shè)法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點(diǎn)遺憾的是，中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:26
7769 和閘極，對(duì)于預(yù)測(cè)電晶體的行為都是至關(guān)重要的。還有一個(gè)問題是層電阻。
FinFET技術(shù)
20納米制程在第一層金屬（M1）下增加了一個(gè)局部互連層，其電阻分布是不均勻的，并且取決于通道所
2013-03-28 09:26:472997 在新思科技（Synopsys）于美國硅谷舉行年度使用者大會(huì)上，參與一場(chǎng)座談會(huì)的產(chǎn)業(yè)專家表示，鰭式電晶體（FinFET）雖有發(fā)展?jié)摿Γ灿酗L(fēng)險(xiǎn)，而且該技術(shù)的最佳時(shí)機(jī)尚未達(dá)到。Cavium 估計(jì)FinFET將使閘極電容提升40%。
2013-04-01 10:30:141494 宜普公司推出內(nèi)含增強(qiáng)型氮化鎵（eGAN）場(chǎng)效電晶體（FET）的 EPC9005 開發(fā)板。該開發(fā)板是一款7A最大輸出電流半橋電路設(shè)計(jì)，內(nèi)含兩個(gè)EPC2014場(chǎng)效應(yīng)電晶體，并采用最佳化閘極驅(qū)動(dòng)器LM5113。
2013-05-08 15:59:561641 在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581339 EDA 業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾（Intel）等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭(zhēng)相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。
2013-08-26 09:34:042374 
在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降，這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。FinFET會(huì)是半導(dǎo)體工藝演進(jìn)最佳選項(xiàng)？
2014-04-01 09:07:473551 
美國普渡大學(xué)（Purdue University）研究人員已經(jīng)證明可與互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）相容、且速度可達(dá)4THz（Terahertz）的全光敏電晶體（All-optical
2015-08-07 07:04:081147 打開這一年來半導(dǎo)體最熱門的新聞，大概就屬FinFET了，例如：iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管（FinFET），代表FinFET開始全面攻占手機(jī)處理器，三星
2015-09-19 16:48:005118 
FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
2017-02-04 10:30:2218465 
使用光電晶體管和光電二極管的光檢測(cè)功能，是微處理器或微控制器了解物理世界并相應(yīng)地進(jìn)行控制或分析算法的一種手段。光電晶體管的應(yīng)用與光電二極管相同，但各有優(yōu)勢(shì)。
2022-07-27 11:53:413807 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計(jì)，直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到22nm以下時(shí)，傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求，鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET) 以其
2025-06-25 16:49:281890 
，而柵極的寬度則決定了電流通過時(shí)的損耗，表現(xiàn)出來就是手機(jī)常見的發(fā)熱和功耗，寬度越窄，功耗越低。而柵極的最小寬度（柵長），也就是制程。縮小納米制程的用意，就是可以在更小的芯片中塞入更多的電晶體，讓芯片不會(huì)
2020-07-07 11:36:10
為我們重點(diǎn)介紹了AI芯片在封裝、工藝、材料等領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。
一、摩爾定律
摩爾定律是計(jì)算機(jī)科學(xué)和電子工程領(lǐng)域的一條經(jīng)驗(yàn)規(guī)律，指出集成電路上可容納的晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月會(huì)增加一倍，同時(shí)芯片大小也
2025-09-15 14:50:58
兩種比光敏二極管產(chǎn)生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個(gè)術(shù)語指的是基本上是一個(gè)光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管？光電二極管可以產(chǎn)生光電流，因?yàn)樗慕Y(jié)
2022-04-21 18:05:28
場(chǎng)效應(yīng)管的演變 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的未來發(fā)展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因?yàn)樗鼪]有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構(gòu)。然而，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，一些公司可能會(huì)出于經(jīng)濟(jì)原因決定在同一節(jié)點(diǎn)上
2023-02-24 15:25:29
%做好了準(zhǔn)備。 在這種環(huán)境下，全球最大的芯片生產(chǎn)設(shè)備制造商應(yīng)用材料(AppliedMaterials)預(yù)測(cè)2008年芯片產(chǎn)業(yè)的資本支出最多削減35%。該公司首席執(zhí)行官M(fèi)ikeSplinter表示，他也
2008-06-16 14:45:42
FinFET制程的晶片，他估計(jì)，這使得晶圓代工業(yè)者有總計(jì)每月5萬片晶圓的高階制程產(chǎn)能閑置。無論如何，他預(yù)測(cè)晶片產(chǎn)業(yè)營收到2017年才會(huì)恢復(fù)個(gè)位數(shù)成長。 IBS 可能將今年度晶片銷售額成長率預(yù)測(cè)，由
2016-01-14 14:51:30
什么叫壓電效應(yīng)？壓電晶體又是什么？壓電晶體有何作用？
2021-06-08 06:33:16
制作的濾波器，保證了圖像和聲音的清晰度。你手上戴的石英電子表中有一個(gè)核心部件叫石英振子。就是這個(gè)關(guān)鍵部件保證了石英表比其他機(jī)械表更高的走時(shí)準(zhǔn)確度。 裝有壓電晶體元件的儀器使技術(shù)人員研究蒸汽機(jī)、內(nèi)燃機(jī)
2021-05-13 07:19:48
光電晶體管和光電二極管是密切相關(guān)的電光傳感器，它們?cè)谖恢?存在感測(cè)、光強(qiáng)度測(cè)量和高速光脈沖檢測(cè)等應(yīng)用中可將入射光轉(zhuǎn)換成電流。但是，要充分利用這些器件，設(shè)計(jì)人員需要特別注意接口電路、波長和光學(xué)機(jī)械校準(zhǔn)
2021-01-12 07:56:44
能耗。簡單的說，這也符合未來輕薄化的趨勢(shì)。納米制程是什么納米制程是指芯片中的線能縮小到的尺寸，舉個(gè)例子，長得跟下圖一樣的傳統(tǒng)電晶體，L代表著我們期望縮小的閘極長度，從Drain 端到 Source 端
2016-12-16 18:20:11
能耗。簡單的說，這也符合未來輕薄化的趨勢(shì)。納米制程是什么納米制程是指芯片中的線能縮小到的尺寸，舉個(gè)例子，長得跟下圖一樣的傳統(tǒng)電晶體，L代表著我們期望縮小的閘極長度，從Drain 端到 Source 端
2016-06-29 14:49:15
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會(huì)怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
請(qǐng)教音叉開關(guān)上面的振動(dòng)壓電晶體在什么地方能買到
2023-09-08 08:49:16
本文簡要介紹了壓
電晶體傳感器的基本原理, 以及基于質(zhì)量、粘度、電導(dǎo)率變化的溶液分析法。重點(diǎn)介紹了電化學(xué)石英
晶體微天平(EQCM )、壓電生物傳感器; 對(duì)具有很大發(fā)展?jié)摿椭匾?/div>
2009-07-18 09:12:18
16 電晶體之交流分析
教學(xué)目標(biāo)1. 熟悉共射極放大器的輸入、輸出特性。2. 熟悉共集極放大器的輸入、輸出特性。3. 熟悉
2010-06-11 17:13:270 有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。水晶（α-石英）是一種有名的壓
2006-06-08 18:04:531803 電晶體化３Ｍ～２００ＭＨｚ寬頻帶放大器
圖７－１系儀器計(jì)測(cè)用前置放大器及
2008-08-17 14:21:361098 
無線電衛(wèi)星站用電晶體控制交換型充電器電路
2008-11-04 10:16:40727 
壓電晶體揚(yáng)聲器聲控電燈電路圖
2009-06-08 15:54:03720 
光電晶體管控制的繼電器電路圖
2009-07-03 14:20:091312 
光電晶體三極管電路
這里顯示出了在光電晶體
2009-09-22 17:19:431923 
壓電晶體定義 有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就
2009-12-03 11:34:041315 壓電晶體是什么
有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶
2010-01-16 09:21:185180 逆向工程分析公司Chipworks稍早前公布英特爾 （ Intel ） 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖，從中可見英特爾稱為三閘極 （tri-gate）電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實(shí)際上是幾乎呈現(xiàn)三角
2012-05-21 10:20:333033 
GLOBALFOUNDRIES推出專為成長快速的行動(dòng)市場(chǎng)所設(shè)計(jì)的新技術(shù)，加速其頂尖的發(fā)展藍(lán)圖。該公司推出的14nm-XM技術(shù)，將為客戶提供3D「FinFET」電晶體的效能及能源優(yōu)勢(shì)，不僅可降低風(fēng)險(xiǎn)，更能
2012-09-24 10:39:381175 IBM在Common Platform技術(shù)論壇上展示了藍(lán)色巨人對(duì)未來晶圓的發(fā)展預(yù)測(cè)，Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的聯(lián)盟，旨在研究3D晶體
2013-02-20 23:04:308361 過去二十幾年來，IBM已經(jīng)為制作1.4nm的微型碳奈米管嘗試過幾乎每一種可能性了，期望能找到延續(xù)矽電晶體通道的方法。時(shí)至今日，最小的矽電晶體已經(jīng)達(dá)到原子極限了——例如，4nm矽電晶體通道約由20個(gè)
2014-07-07 09:59:421016 根據(jù)最新國際半導(dǎo)體科技藍(lán)圖(International Technology Roadmap for Semiconductors;ITRS)7月稍早的消息，一份藍(lán)圖顯示半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的電晶體
2016-07-27 13:50:431449 英國劍橋大學(xué)（Cambridge University）日前推出新的電晶體設(shè)計(jì)，可讓穿戴式等裝置利用周遭電晶體的電力作為能源供應(yīng)來源并可在1伏特下運(yùn)作且耗電低于10億分之1瓦特。
2016-11-10 10:14:111135 節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降，這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。 具體來說，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulkhigh-Kmetalgate，HKMG)CMOS制程，與16/14奈米FinFET將催生更小
2017-07-07 11:36:11376 ，面積小的優(yōu)點(diǎn)，臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）等主要半導(dǎo)體代工已經(jīng)開始計(jì)劃推出自己的FinFET晶體管［4］，為未來的移動(dòng)處理器等提供更快，更省電的處理器。從2012年起，FinFET已經(jīng)開始向20納米節(jié)點(diǎn)和14納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。
2018-07-18 13:49:00123257 
三星電子(Samsung Electronics)計(jì)劃于2021年量產(chǎn)FinFET電晶體架構(gòu)的后繼產(chǎn)品——采用3nm制程節(jié)點(diǎn)的環(huán)繞式閘極(gate-all-around；GAA)電晶體。
2018-05-30 11:37:135440 我國科學(xué)家首次研制出高銦含量三元光電晶體!
2019-04-28 16:45:123960 非中心對(duì)稱晶體，在機(jī)械力作用下，產(chǎn)生形變，使帶電質(zhì)點(diǎn)發(fā)生相對(duì)位移，從而在晶體表面出現(xiàn)正、負(fù)束縛電荷，這樣的晶體稱為壓電晶體。壓電晶體極軸兩端產(chǎn)生電勢(shì)差的性質(zhì)稱為壓電性。
2019-06-27 14:30:0518022 FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門3D晶體管。
2019-09-23 08:53:364029 如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極（GAA）”技術(shù)取代FinFET晶體管技術(shù)，FinFET猶可淡定；而到如今，英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉(zhuǎn)向GAA，就已有一個(gè)時(shí)代翻篇的跡象了。
2020-03-16 15:36:393479 有消息表示，處理器龍頭廠商英特爾在 5 納米節(jié)點(diǎn)上將會(huì)放棄 FinFET 電晶體，轉(zhuǎn)向 GAA 環(huán)繞柵極電晶體。
2020-03-17 16:35:263418 臺(tái)積電3納米將繼續(xù)采取目前的FinFET晶體管技術(shù)，這意味著臺(tái)積電確認(rèn)了3納米工藝并非FinFET技術(shù)的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術(shù)下，在3納米制程里取得水準(zhǔn)以上的良率。這也代表著臺(tái)積電的微縮技術(shù)遠(yuǎn)超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:233682 作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成
2021-01-25 15:25:403874 
光電晶體管是固態(tài)器件，用作具有內(nèi)部增益的光檢測(cè)器并用于提供模擬或數(shù)字信號(hào)。幾乎所有依賴光的電子設(shè)備（如煙霧探測(cè)器和光學(xué)遙控器）都在其系統(tǒng)中使用光電晶體管。這些設(shè)備將檢測(cè)到的光轉(zhuǎn)換為電流以供
2021-06-01 16:40:235607 
向2nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展的演進(jìn)之路。在這條令人振奮的道路上，他介紹了Nanosheet晶體管，F(xiàn)orksheet器件和CFET。其中一部分內(nèi)容已在2019 IEEE國際電子器件會(huì)議（IEDM）上發(fā)表。 FinFET：今天最先進(jìn)的晶體管 在每一代新技術(shù)上，芯片制造商都能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶體管規(guī)格微縮0.7倍，從而實(shí)現(xiàn)15％
2020-12-30 17:45:164075 光電二極管可以產(chǎn)生光電流，因?yàn)樗慕Y(jié)暴露在入射光下。除了暴露的半導(dǎo)體材料是雙極結(jié)型晶體管 （BJT）的基極之外，光電晶體管的功能與此類似。
2021-06-23 16:46:5910207 
在開發(fā)出第一個(gè)點(diǎn)接觸晶體管之后，貝爾實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)發(fā)明了光電晶體管。當(dāng)時(shí)，大量的開發(fā)工作正在啟動(dòng)。盡管光電晶體管的歷史不像其他半導(dǎo)體的早期發(fā)展那樣被公開，但它無疑是一個(gè)非常重要的發(fā)展。
2021-09-17 15:53:094833 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續(xù)為FinFET平臺(tái)帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，兼顧寄生電容電阻的控制和實(shí)現(xiàn)更高的晶體管性能變得更具挑戰(zhàn)。
2022-05-27 17:24:136 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經(jīng)趨于極限。
2022-08-01 15:33:111912 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LED和光電晶體管來感應(yīng)手指的心跳.zip》資料免費(fèi)下載
2022-11-09 11:27:381 光電晶體管電路的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
2022-11-15 20:08:503 有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。壓電晶體用于制造選擇和控制頻率的電子元器件，廣泛應(yīng)用于電子信息產(chǎn)業(yè)各領(lǐng)域，如彩電、空調(diào)、電腦、DVD、無電線通訊等，尤其在高性能電子設(shè)備及數(shù)字化設(shè)備中應(yīng)用日益擴(kuò)大。
2023-01-05 10:45:501254 
有一類十分有趣的晶體，當(dāng)你對(duì)它擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會(huì)產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。壓電晶體用于制造選擇和控制頻率的電子元器件，廣泛應(yīng)用于電子信息產(chǎn)業(yè)各領(lǐng)域，如彩電、空調(diào)、電腦、DVD、無電線通訊等，尤其在高性能電子設(shè)備及數(shù)字化設(shè)備中應(yīng)用日益擴(kuò)大。
2023-01-17 14:55:591203 
光電晶體管是一種電子開關(guān)和電流放大部件依賴于暴露于光下操作。光電晶體管工作原理：當(dāng)光落在結(jié)上時(shí)，反向電流流動(dòng)，其與亮度成比例。光電晶體管廣泛用于檢測(cè)光脈沖并將其轉(zhuǎn)換為數(shù)字電信號(hào)。這些是通過光而不是電流操作的。
2023-05-16 15:54:122037 光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來自撞擊光的光子不會(huì)向基極發(fā)送電流，而是激活晶體管。這是因?yàn)楣?b class="flag-6" style="color: red">電晶體管由雙極半導(dǎo)體制成，并集中在通過它的能量上。
2023-05-16 15:59:061215 
光電功能晶體主要是利用光電轉(zhuǎn)化的功能晶體，種類很多，如光學(xué)晶體、激光晶體、非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、閃爍晶體和磁光晶體等。它的作用是接受光信號(hào)，并轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
2023-05-16 16:07:261190 光電晶體管（Phototransistor）是一種光控半導(dǎo)體器件，它的工作原理是利用光的作用使得晶體管的電流發(fā)生變化。光電晶體管的類型包括PNP型、NPN型、雙極型和場(chǎng)效應(yīng)型等。
2023-05-16 16:13:161653 
光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件，其產(chǎn)生的電流與光強(qiáng)度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管，其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:20:411867 在光電晶體管電路中，基本的工作模式包括有源和開關(guān)兩種，其中常用的工作模式是開關(guān)型。它解釋了對(duì)光的非線性響應(yīng);一旦沒有光，就沒有電流流入晶體管。
2023-05-16 16:25:081221 光電晶體管是一種與光電二極管相似的結(jié)半導(dǎo)體器件，其產(chǎn)生的電流與光強(qiáng)度成正比。這種器件可以認(rèn)為是一種內(nèi)置電流放大器的光電二極管。光電晶體管是一種 NPN 晶體管，其基極連接部分被光源所取代。
2023-05-16 16:29:331040 
光電晶體管是一種光電轉(zhuǎn)換器件，它是在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上加入光敏材料制成的。光電晶體管可以將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，具有高靈敏度、高速度、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于光電傳感、光電控制、光電通信等領(lǐng)域。
2023-05-17 15:29:284190 10月20日下午，“創(chuàng)新與機(jī)遇、賦能國產(chǎn)化品牌”2021灣區(qū)中國壓電晶體信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)論壇在深圳國際會(huì)展中心如期舉行。嘉賓觀眾簽到本次論壇由深圳市電子商會(huì)主辦，深圳市電子商會(huì)壓電晶體專委會(huì)、深圳市晶科
2021-10-25 17:38:051456 
光電晶體管是將光轉(zhuǎn)化為電能的組件。它是一種晶體管，只是它使用光而不是基極電流來打開和關(guān)閉。
2023-06-29 10:40:381871 
推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢(shì)之一是采用FinFET工藝。工程師介紹，另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵（GAA）晶體管。這提供了柵極和溝道之間最顯著的電容耦合。GAAfinFET
2023-07-07 09:58:3710798 
在本指南中，您將了解什么是光電晶體管，如何使用光電晶體管，并通過一個(gè)簡單的項(xiàng)目來構(gòu)建自動(dòng)開/關(guān)開關(guān)。
2024-02-11 11:09:005597 
光電晶體管是具有三個(gè)端子（發(fā)射極、基極和集電極）或兩個(gè)端子（發(fā)射極和集電極）的半導(dǎo)體器件，并具有光敏基極區(qū)域。雖然所有晶體管都對(duì)光敏感，但光電晶體管專門針對(duì)光檢測(cè)進(jìn)行了優(yōu)化。它們采用擴(kuò)散或離子注入
2024-07-01 18:13:365491 
壓電材料是一類特殊的材料，它們能夠在受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)產(chǎn)生電荷，或者在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生形變。壓電晶體和壓電陶瓷是兩種常見的壓電材料，它們?cè)谖锢硇再|(zhì)、應(yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面存在一些差異。 1. 定義
2024-09-24 15:39:353519 壓電晶體材料是一類在受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)能夠產(chǎn)生電荷的晶體材料。這類材料在電子信息、傳感器、聲波換能器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。壓電晶體材料的種類豐富多樣，主要包括以下幾種： 石英晶體 ：石英（α-石英
2024-09-24 15:43:252652 來源：泰克科技 后摩爾時(shí)代專題，泰克張欣與北大集成電路學(xué)院唐克超老師共話鐵電晶體管、存儲(chǔ)計(jì)算科研進(jìn)展 人工智能和大數(shù)據(jù)技術(shù)的飛速發(fā)展對(duì)芯片存儲(chǔ)性能和算力提出了更高的需求。傳統(tǒng)的計(jì)算架構(gòu)逐漸顯露出
2024-09-27 10:34:561014 
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2025-05-12 18:34:41
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2025-05-19 18:33:42
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2025-07-02 18:35:21
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2025-07-04 18:30:49
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2025-07-07 18:33:28
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2025-07-08 18:29:59
探索Broadcom HLPT-B3x0-00000硅NPN光電晶體管的卓越性能 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，選擇合適的光電晶體管至關(guān)重要。今天，我們來深入了解一下Broadcom
2025-12-30 11:40:07194 2025年12月28日，由壓電晶體行業(yè)華南聯(lián)誼會(huì)主辦，廣東惠倫晶體科技股份有限公司承辦的“華章南曲 晶彩體現(xiàn)”壓電晶體行業(yè)華南聯(lián)誼會(huì)圓滿舉行，來自全國各地的行業(yè)協(xié)會(huì)代表、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等300余位嘉賓齊聚一堂，共同擘畫華南晶體行業(yè)發(fā)展新藍(lán)圖。
2026-01-05 15:20:30234 
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