一切歷史都是當代史。

如果說在2019 年年中三星宣稱將在2021年推出其“環(huán)繞式柵極（GAA）”技術取代FinFET晶體管技術，F(xiàn)inFET猶可淡定；而到如今，英特爾表示其5nm制程將放棄FinFET而轉向GAA，就已有一個時代翻篇的跡象了。三大代工巨頭已有兩大廠商選擇了GAA，作為代工老大的臺積電路線雖“按兵不動”，但似乎已無懸念，F(xiàn)inFET真的走到歷史的終結了嗎？

FinFET的榮光

畢竟當FinFET以“拯救者”的形象登場時，它承載著摩爾定律持續(xù)向前攻伐的重要“使命”。

隨著制程工藝的升級，晶體管的制造愈加困難。1958年的第一個集成電路觸發(fā)器僅由兩個晶體管構建而成，而如今芯片已包含超過10億個晶體管，這一動力來自于摩爾定律指揮下的平面硅制造工藝的不斷進階。

而當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高，傳統(tǒng)的平面MOSFET結構看似走到“盡頭”。業(yè)界大拿胡正明教授提出了兩種解決途徑：一種是立體型結構的FinFET晶體管，另一種是基于SOI的超薄絕緣層上硅體技術FD-SOI晶體管技術。

FinFET和FD-SOI使摩爾定律得以延續(xù)傳奇，之后兩者卻走出了不同的發(fā)展道路。FinFET工藝先拔頭籌，英特爾最早于2011年推出了商業(yè)化的FinFET工藝技術，顯著提高了性能并降低了功耗，之后臺積電采用 FinFET技術亦取得了巨大的成功，隨后FinFET大放異彩，成為全球主流晶圓廠的“不二”選擇。

相較之下，F(xiàn)D-SOI工藝似乎一直活在FinFET的陰影中。盡管其工藝漏電率低，功耗亦有優(yōu)勢，制成的芯片在物聯(lián)網、汽車、網絡基礎設施、消費類等領域均有用武之地，加上三星、格芯、IBM、ST等巨頭的力推，在市場業(yè)已打開了一片天地。但業(yè)內資深人士指出，由于其襯底成本高，越往上走的尺寸越難以做小，最高水平最多走到12nm，后續(xù)難以為繼。

盡管FinFET在“二選一”的對壘中先聲奪人，但伴隨著物聯(lián)網、人工智能、智能駕駛等應用對IC提出了全新挑戰(zhàn)，尤其是FinFET的制造、研發(fā)成本越來越高，F(xiàn)inFET雖到7nm及5nm猶能高歌猛進，但工藝歷史的流向似已然注定再次“轉向”。

為何是GAA？

隨著三星率先“垂范”，以及英特爾的跟進，GAA已儼然成為接棒FinFET的新貴。

與FinFET的不同之處在于，GAA設計通道的四個面周圍有柵極，減少漏電壓并改善了對通道的控制，這是縮小工藝節(jié)點時的基本步驟。通過使用更高效的晶體管設計，加上更小的節(jié)點，將能實現(xiàn)更好的能耗比。

資深人士對此也提及，工藝節(jié)點不斷前進的動能在于提升性能、降低功耗。而當工藝節(jié)點進階到3nm時，F(xiàn)inFET經濟已不可行，將轉向GAA。

三星就樂觀認為，GAA技術相比7nm制程能夠提升35%的性能、降低50%的功耗以及45%的芯片面積。據(jù)悉，搭載此項技術的首批3nm三星智能手機芯片將于2021年開始批量生產，而對于性能要求更高的芯片如圖形處理器和數(shù)據(jù)中心的AI芯片將于2022年量產。

值得注意的是，GAA技術也有幾種不同的路線，未來的細節(jié)有待進一步驗證。而且，轉向GAA無疑涉及架構的改變，業(yè)內人士指出這對設備提出了不同的要求，據(jù)悉一些設備廠商已在開發(fā)特殊的刻蝕、薄膜設備在應對。

新華山論劍？

在FinFET市場，臺積電一支獨秀，三星、英特爾在奮力追趕。如今看來GAA已箭在弦上，問題是膠著的“三國殺”又會呈現(xiàn)怎樣的此消彼長？

從三星的語境來看，三星自認押注的GAA技術領先對手一兩年，將在這一領域奠定和保持其先發(fā)優(yōu)勢。

但英特爾亦是雄心勃勃，意在GAA上重奪領導地位。英特爾宣稱將在2021年推出7nm制程技術，并將在7nm制程的基礎上發(fā)展5nm。業(yè)內估計最快2023年就能初見其5nm工藝“真容”。

盡管三星是GAA技術的領頭羊，但考慮到英特爾在工藝技術上的實力，其GAA工藝性能提升或更趨明顯，而英特爾也要自省不再走10nm工藝的“長征”之路。

以往躊躇滿志的臺積電此次反而異常低調與謹慎，盡管臺積電宣稱2020年準備量產的5nm制程依舊采用FinFET工藝，但預計其3nm工藝將于2023年甚至會提前至2022年量產，只是尚未公布預計的制程方式。根據(jù)臺積電官方的說法，其3nm相關細節(jié)將在4月29日的北美技術論壇上公布。屆時，臺積電又會祭出怎樣的奇招呢？

GAA的戰(zhàn)役已然硝煙四起。