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電子發燒友網>存儲技術>緩沖/存儲技術>三星將于2020年推出16nm工藝 DRAM 芯片 15nm或成為 DRAM 終點

三星將于2020年推出16nm工藝 DRAM 芯片 15nm或成為 DRAM 終點

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7nm工藝研發進程,三星有望再次領先全球!

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2017-04-28 14:28:461758

16nm還有10nm工藝,哪個更利于聯發科提高芯片競爭力?

據報道,全球第二大手機芯片企業聯發科在近日確定減少對臺積電6月至8月約分之一的訂單,在當前的環境下是一個合適的選擇,轉而采用16nm FinFET工藝和10nm工藝可以更好的應對高通等芯片企業的競爭。
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三星S8的10nm驍龍835為何跟華為P10的16nm麒麟960性能相當

今年安卓陣營的旗艦手機芯片當屬高通驍龍835莫屬,驍龍835是首批量產的10nm手機芯片,并且還集成了下行速率高達1Gbps的基帶;目前在售搭載驍龍835的手機還較少,三星S8與小米6是較早采用驍龍
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三星減少7nm生產線投資直奔6nm工藝 2019三星將成最領先的芯片制造商

根據國外媒體報道,日前有內部人士表示,三星已經開始計劃在2019使用6nm工藝制造移動芯片,而并且將逐漸大幅減少7nm工藝生產線的投資。據悉,三星計劃在今年安裝兩款全新的光刻機,并且計劃在2018繼續追加投資7臺,這樣就將為未來制造工藝的提升提供了支持,同時還能大幅提高產品的生產效率。
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什么是半導體工藝制程,16nm、10nm都代表了什么

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“全球最小”8Gb DDR4 芯片 三星DRAM地位再增強

三星DRAM市場的霸主再一次的得到了增強。據報道,三星利用第一代10nm 制程工藝研發出了8Gb DDR4 芯片,這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片
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三星全球首發第二代10nm DRAM產品

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三星進軍5nm、4nm、3nm工藝_首次應用EUV極紫外光刻技術

5nm、4nm、3nm工藝,直逼 這兩三星電子、臺積電在半導體工藝上一路狂奔,雖然有技術之爭但把曾經的領導者Intel遠遠甩在身后已經是不爭的事實。
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三星第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM量產,有助于滿足全球不斷飆升需求

12月20日,三星宣布已開始量產第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM,并持續擴大整體10nmDRAM的生產,有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求,繼續加強三星市場競爭力。
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三星10nm級DDR4 SoDIMM內存,容量達到32GB單條

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三星宣布成功開發業界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從20148Gb LPDRD4投入量產以來,三星就開始向LPDDR5標準過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應用于移動設備如手機、平板、二合一電腦等,5G和AI將是其主要應用領域。
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隨著技術的發展,今年臺積電、三星及Globalfoundries等公司都會量產7nm工藝,下一代將在2020進入5nm工藝,2022進入3nm工藝。目前第一代7nm工藝將使用傳統的DUV
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三星代10nm工藝DDR4內存下半年量產

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三星芯片代工計劃曝光 6nm 5nm和4nm紛紛面世

去年10月,三星芯片工廠正式開始使用其7LPP(7nm低功耗+)制造工藝生產芯片,此后并未放緩其制造技術的發展。該公司有望在2019下半年采用其精制的6LPP(6nm低功耗+)技術開始批量生產芯片
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三星將于今年內完成4nm工藝開發 2020完成3nm工藝開發

盡管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星芯片、面板研發、生產,但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議,公布了旗下新一代工藝的進展,其中3nm工藝明年就完成開發了。
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三星首次開發出第代10nmDRAM高級存儲器

三星電子有限公司(Samsung Electronics)在其官網上發布消息,該公司正式宣布,首次開發了第代 10nm 制程工藝(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取存儲器)。
2019-09-27 17:23:291500

三星6nm工藝已量產出貨,3nm GAE工藝也將研發完成

由于在7nm節點激進地采用了EUV工藝三星的7nm工藝量產時間比臺積電要晚了一,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產。在這之后,三星已經加快了新工藝的進度,日前6nm工藝也已經量產出貨,今年還會完成3nm GAE工藝的開發。
2020-01-06 16:13:073848

三星6nm工藝量產已出貨,3nm GAE工藝即將問世

由于在7nm節點激進地采用了EUV工藝三星的7nm工藝量產時間比臺積電要晚了一,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產。
2020-01-06 16:31:033601

三星6nm和7nm EUV開始批量生產

根據三星的計劃,到2020底,V1生產線的累計總投資將達到60億美元,預計7nm及以下工藝節點的總產能將比2019增長倍,目前的計劃是在第一季度開始交付其基于6nm和7nm的移動芯片
2020-02-21 09:00:352667

英偉達安培顯卡基于三星10nm工藝

根據外媒WCCFTECH的報道,爆料消息稱英偉達的下一代GPU架構將基于三星10nm制程,而不是之前報道的臺積電7nm工藝,據稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術,另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370

出貨100萬 三星業界首款EUV DRAM推出

三星電子(Samsung Electronics)今天宣布,已經出貨100萬業界首款10nm EUV級(D1x)DDR4 DRAM模組。新的基于EUV的DRAM模塊已經完成了全球客戶評估,并將為在高端PC、移動終端、企業級服務器等等應用領域開啟新大門。
2020-03-25 16:53:572848

受疫情影響 三星3nm工藝量產延期

近日,DigiTimes在一份報告中稱,三星3nm工藝量產時間可能已經延期至2022
2020-04-07 08:39:492452

三星3nm工藝明年量產不太可能實現

據國外媒體報道,在5nm工藝即將大規模量產的情況下,3nm工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關注的焦點,三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設定的目標是在2021大規模量產3nm工藝
2020-04-07 17:43:512632

三星3nm工藝投產延遲,新技術讓芯片功耗下降約50%

4月7日消息,在 5nm 工藝即將大規模量產的情況下,3nm 工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關注的焦點。三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設定的目標是在2021大規模量產 3nm工藝
2020-04-08 14:41:143230

三星直接跳過4nm先進工藝,將要批量生產3nm工藝

中關村在線消息:在先進的芯片制造領域,放眼世界,只剩下臺積電,英特爾和三星。目前,臺積電與三星在 7nm 以下的競爭引起了廣泛關注。根據 DigiTimes 的報告,三星將直接跳過 4nm 先進工藝
2020-07-08 16:07:212550

每1納米對DRAM的意義

大多數讀者應該知道Intel 的處理器、TSMC生產的SoC(System on Chip)等邏輯半導體的相關工藝,也明白到這些規則只不過對產品的命名罷了。那么,DRAM中提到的1X(18nm)、1Y(17nm)、1Z(16nm)等又都意味著什么?
2020-07-22 14:33:124742

三星將EUV與10nm工藝結合推出LPDDR5內存芯片

EUV,依靠現有的DUV(深紫外光刻)是玩不轉的。 有意思的是,三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結合,用于量產旗下首批16Gb容量的LPDDR5內存芯片。 據悉,三星的新一代內存芯片是基于第代10nm級(1z)工藝打造,請注意16Gb容量的后綴,是Gb而不是GB,16Gb對應的其實是
2020-09-01 14:00:293544

美光量產并出貨1αnm DRAM內存芯片 功耗可降低15

工藝節點都不使用明確的數字,而是1x、1y、1z、1α等等,越往后越先進,或者說1xnm比較接近20nm,1αnm則更接近10nm。 美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內存芯片,尤其適用于最新旗艦手機標配的LPDDR5,相比于1z工藝可以將容量密度增加多達40%,同時還能讓功耗降低15
2021-01-27 17:28:332298

臺積電、三星在2022將制程工藝推到2nm

臺積電、三星在2022就有可能將制程工藝推到2nm,AMD、蘋果、高通、NVIDIA等公司也會跟著受益,現在自己生產芯片的就剩下Intel了,然而它們的7nm工藝已經延期到至少2021了。
2020-11-18 09:52:512513

臺積電三星3nm制程工藝研發均受阻

2020,臺積電和三星這兩大芯片代工商,均把芯片制程工藝提升至5nm,而且更先進的3nm制程也在計劃中,不過,最近它們好像都遇到了一些麻煩。
2021-01-12 16:26:532852

美光全球首創1αnm DRAM內存芯片

美光今天宣布,已經開始批量出貨基于1αnm工藝DRAM內存芯片,這也是迄今為止最先進的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

美光宣布已經開始批量出貨基于1αnm工藝DRAM內存芯片

美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內存芯片,尤其適用于最新旗艦手機標配的LPDDR5,相比于1z工藝可以將容量密度增加多達40%,同時還能讓功耗降低15%,能讓5G手機性能更好、機身更輕薄、續航更持久。
2021-01-31 10:16:422399

三星的8nm與臺積電的7nm制程究竟有何不同呢?

這還要從三星正式推出8nm制程說起。20175月,三星電子半導體事業部在美國圣克拉拉舉行的三星代工論壇上,公布了其未來幾年的制程工藝路線圖,其中,8nm首次正式亮相。當年10月,三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗證,具備量產條件。
2021-05-18 14:19:299987

三星將中斷12nm DRAM芯片開發,直接跨入11nm

近日,據韓媒報道稱,三星的研發人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發的命令,要求直接研發1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發11nm工藝。 在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經各大
2022-04-18 18:21:582244

三星3nm芯片開始量產,采用GAA晶體管,提升巨大

日前,三星放出了將在6月30日正式量產3nm芯片的消息,今天上午,三星官方宣布已經開始了3nm工藝芯片的量產。 三星官方稱,其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經在韓國華城工廠開始量產。 現在全球
2022-06-30 16:36:272953

三星3nm芯片量產 2nm芯片還遠嗎

(FinFET)的進階,4D(GAA)技術被認為是“下一代”的晶體管技術。根據三星的數據,相較三星5納米(nm)而言,優化的3納米(nm工藝,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面積減少16%。 另外,每一個新工藝新制程的成本和良品率,都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:522069

三星2nm芯片最新消息

根據外媒的消息報道稱,三星電子公司近日正式宣布已開始量產3納米芯片三星電子正押注于將 GAA 技術應用于3 納米工藝,并且計劃于2025量產基于GAA的2nm芯片,以追趕臺積電。
2022-07-04 09:34:041906

三星即將公布首顆3nm芯片將扭轉訂單數量

在半導體制程工藝領域,三星一直都被臺積電壓了一頭,不過在六月底三星宣布了正式量產3nm芯片,在3nm領域三星算是反超臺積電了。 本周,三星將正式展示最新研發的3nm芯片三星表示,這一代3nm芯片
2022-07-25 11:46:102257

三星計劃在2023推出32Gb DDR5內存芯片

“32Gb DDR5 IC目前正在一個新的under-14nm工藝節點上開發,并計劃在明年初推出,”三星 DRAM 規劃部門的員工工程師 Aaron Choi 在 AMD 和三星網絡研討會上表示(見三星在下圖中的演示)。“基于 32Gb 的 UDIMM 將于明年年底 2024 年初上市。”
2022-08-22 10:21:192938

iPhone成為三星與臺積電的轉折 3nm成為三星趕超最大希望

三星確實也在緊追臺積電的步伐,去年也量產了4nm芯片,高通驍龍8 Gen1就是基于三星4nm生產。
2022-09-21 11:54:421196

iPhone15系列采用3nm蘋果A17芯片 臺積電代工

據報道,將于2023下半年推出的iPhone15系列將搭載蘋果A17仿生芯片,本芯片將有臺積電代工,采用3nm工藝。據了解,目前唯一能與臺積電在先進技術上競爭的是三星電子,然而三星在3nm工藝制程上落后臺積電,三星第二代3nm工藝最快要到2024,因此蘋果A17將由臺積電代工。 
2022-10-10 15:20:563517

三星首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

nm)級工藝技術打造的16Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。? “ ?三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung?Lee表示: 三星12nm
2022-12-21 11:08:291205

三星電子首款12納米級DDR5 DRAM開發成功

款采用12納米(nm)級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM,并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人
2022-12-21 21:19:541342

三星電子2nm制程工藝計劃2025量產 2027開始用于代工汽車芯片

外媒在報道中提到,根據公布的計劃,三星電子將在2025開始,采用2nm制程工藝量產移動設備應用所需的芯片,2026開始量產高性能計算設備的芯片,2027則是利用2nm制程工藝開始量產汽車所需的芯片
2023-06-30 16:55:071259

英特爾全新16nm制程工藝有何優勢

英特爾獨立運作代工部門IFS后,將向方開放芯片制造加工服務,可能是為了吸引客戶,英特爾日前發布了全新的16nm制程工藝
2023-07-15 11:32:582168

三星將于明年量產LPDDR5T DRAM芯片

三星將從明年開始批量生產LPDDR5T DRAM芯片三星電子副總裁Ha-Ryong Yoon最近在投資者論壇上介紹了公司狀況和今后計劃等。當投資者詢問三星今后將開發的技術時,管理人員公開了有關LPDDR5T DRAM的信息。
2023-12-01 09:45:161330

三星電子:2025步入3D DRAM時代

據分析師預測,DRAM行業將于2030前縮減工藝至10nm以下,然而當前的設計已無法在此基礎上進行延伸,故而業內開始尋求如3D DRAM等新型存儲器解決方案。
2024-04-03 15:48:251077

三星已成功開發16層3D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發出16層3D DRAM技術。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398

三星電子12nmDRAM內存良率不足五成

近日,據韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰。目前,該制程的良率仍低于業界一般目標的80%~90%,僅達到五成左右。為了應對這一局面,三星已在上月成立了專門的工作組,致力于迅速提升良率。
2024-06-12 10:53:411408

三星展望2027:1.4nm工藝與先進供電技術登場

在半導體技術的競技場上,三星正全力沖刺,準備在2027推出一系列令人矚目的創新。近日,三星晶圓代工部門在三星代工論壇上公布了其未來幾年的技術路線圖,其中包括備受矚目的1.4nm制程工藝芯片背面供電網絡(BSPDN)技術和硅光子技術。
2024-06-21 09:30:47861

三星確認平澤P4工廠1c nm DRAM內存產線投資

據韓國媒體最新報道,三星電子已正式確認在平澤P4工廠投資建設先進的1c nm DRAM內存產線,并預計該產線將于明年6月正式投入運營。這一舉措標志著三星電子在半導體技術領域的又一次重要布局。
2024-08-13 14:29:101201

北京君正預計年底推出21nm DRAM產品

和20nm的研發工作。預計21nmDRAM產品將于今年年底推出,而20nm的產品則有望在明年中前后上市。此外,公司還表示將持續進行更新工藝的產品研發,以保持技術領先。
2024-11-12 14:27:051737

三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰

近日,據韓媒最新報道,三星電子在面對其12nmDRAM內存產品的良率和性能雙重困境時,已于2024底作出了重要決策。為了改善現狀,三星決定在優化現有1b nm工藝的基礎上,全面重新設計新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM開發良率里程碑延期

據韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發的良率里程碑時間從原定的2024底推遲至20256月。這一變動可能對三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星電子1c nm內存開發良率里程碑推遲

據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達到結束開發工作、順利進入量產階段的要求。然而,實際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

三星否認重新設計1b DRAM

問題,在2024底決定在改進現有1b nm工藝的同時,從頭設計新版1b nm DRAM。 不過,三星通過相關媒體表示相關報道不準確。盡管三星否認了重新設計,但有業內人士透露,三星的目標是提升1b DRAM的性能和良率。據了解,三星啟動了名為“D1b - p”的開發項目,重點關注提高電源效率和散熱性能。
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認1b DRAM重新設計報道

DRAM內存產品面臨的良率和性能雙重挑戰,已決定在2024底對現有的1b nm工藝進行改進,并從頭開始設計新版1b nm DRAM。然而,三星電子現在對此表示否認,強調其并未有重新設計1b DRAM的計劃。 盡管三星電子否認了重新設計的傳聞,但不可否認的是,其12nmDRAM產品確實面
2025-01-23 15:05:11923

三星5nm“翻車”?先進工藝恐欲速不達

自蘋果的A14和M1、華為的麒麟9000芯片推出以來,臺積電成功在2020率先成為5nm工藝量產出貨的代工廠。但同樣擁有頂尖工藝三星也不甘落后,先后推出了Exynos 1080、驍龍888和Exynos 2100芯片。盡管力求后發制人,但三星的5nm之路依舊并非一帆風順。
2021-01-20 03:53:004130

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