国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

傳三星5nm“翻車”?先進工藝恐欲速不達

21克888 ? 來源:電子發燒友 ? 作者:周凱揚 ? 2021-01-20 03:53 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

(電子發燒友報道/文周凱揚)自蘋果的A14和M1、華為的麒麟9000芯片推出以來,臺積電成功在2020年率先成為5nm工藝量產出貨的代工廠。但同樣擁有頂尖工藝的三星也不甘落后,先后推出了Exynos 1080、驍龍888和Exynos 2100三款芯片。盡管力求后發制人,但三星的5nm之路依舊并非一帆風順。

EUV成為突破工藝桎梏的關鍵

從7nm開始,臺積電和三星都不約而同地全面投入EUV光刻機,這對兩大代工廠的產能提出了巨大的挑戰。兩者面臨的首要問題就是EUV光刻機的高成本、低生產效率和長交期。


NXE:3400C EUV光刻機 / ASML

一臺EUV光刻機的價格就高達1.2億歐元,因此光刻機的購置和晶圓廠的建造構成了資本支出中的重頭戲,三星早在2019年就宣布將在未來十年投入1160億美元,全面支持其代工業務。為了進一步擴大5nm芯片的產量,去年三星在韓國平澤市開始建造全新的晶圓廠,預計今年2021下半年可以開始5nm芯片量產,專用于5G、HPC和AI

而臺積電在代工業務上的資本支出更是居高不下,去年上半年臺積電的EUV光刻機占全球總數的50%,EUV生產的晶圓總量更是占據全球出貨量的60%。從近日臺積電公布的預估數據來看,2021年資本支出從2020年的172.4億美元提升至250億美元以上,更不用說在美國計劃建造的新廠。

EUV光刻機的生產效率同樣是一大問題,EUV光刻機的吞吐量在120-175wph左右,與最新DUV光刻機275wph的吞吐量相比,仍有不少改進的空間。因此臺積電和三星都在和ASML緊密合作,以求提升現有EUV的生產效率。臺積電提到盡管供應商和他們一直在改進EUV工具,但目前仍未達到理想水準。三星副董事長更是在去年10月親自造訪ASML總部,討論如何將EUV光刻機成熟程度提高至DUV的水準,同步改善產率和可靠性。

既然EUV生產效率低,你可能會疑惑,為何不購置多臺EUV以數量補缺呢?這是因為EUV光刻機生產過于復雜,導致交期過長限制了代工廠的產能擴張計劃。ASML在2020年內的EUV光刻機交付計劃僅有35臺,而且現有的制造周期最高優化至20周,即便在這樣的理想情況下,也只能做到2021年45到50臺的EUV交貨量。三星、臺積電和英特爾往往會預定訂單,不然有限的光刻機很可能會被競爭對手買走。

5nm工藝“翻車”?

自三星的5nm手機芯片面世以來,網絡上頻繁冒出“翻車”的言論,主要體現在功耗表現差上,那么這究竟是不是三星5nm工藝5LPE的問題呢?我們不妨先來比較一下這兩家的5nm工藝。

三星的5LPE工藝風險試產時間比臺積電的N5工藝要早上一截,但量產時間卻大概晚上了一個季度。從晶體管密度上來看,三星的5LPE工藝密度為127 MTr/mm2,而臺積電的N5工藝密度為173 MTr/mm2,后者明顯占優,但這與臺積電的N7P工藝相比,還是有提升的。

在原始表現上,先進制程帶來的性能提升還是顯而易見的,在GeekBench 5的CPU測試中,驍龍888與865相比,單核性能提升26%,多核性能提升10%。外掛X55基帶也已成為過去式,驍龍888換成了內置X60基帶,騰出了更多的空間。然而同樣是1+3+4的核心架構,驍龍888的X1大核卻比865的A77大核滿載功耗多出了1W,多核功耗更是高達7.8W,比驍龍865多出了近2W,能耗比也有一定降低。

在測試了功耗和能耗比后,不少人都對驍龍888下了“翻車”的蓋棺定論,但究竟是三星的5nm工藝有所欠缺,還是ARM的Cortex-X1大核設計存在問題,仍有待確認。畢竟與上一代旗艦芯片相比,不管是X1大核、A78中核還是5nm工藝等,都是多出來的變量,還有不少人認為軟件調用接口測試功耗的方法與硬件功耗測試相比并不精確。

Exynos 2100與驍龍888對比


再者目前搭載驍龍888和Exynos 1080的機型屈指可數,未來還會陸續有驍龍888的機型面世,搭載Exynos 2100的三星S21系列仍在預售當中,具體的功耗數據仍無從得知。從CPU的架構上來看,同用三星自家5nm工藝的Exynos 2100與驍龍888并無區別,仍是1個Cortex-X1+3個Cortex-A78+4個Cortex-A55的三叢集設計設計,反而在幾個核心的頻率上比驍龍888更加激進。如果驍龍888在CPU上真是因為5nm工藝翻車,那么Exynos 2100想必也不會幸免,而三星提高頻率的舉動就未免有些奇怪了。

產能吃緊,或減少客戶芯片產量

去年臺積電的5nm訂單基本全部分配給了蘋果和華為,考慮到產能有限,如果爭搶剩下的5nm訂單不僅成本高昂,更是難以出貨。就拿聯發科為例,即將公布的天璣1200很有可能采用臺積電的6nm工藝,至于5nm的天璣2000,傳聞要在2022年第一季度才會正式發布。但深受其害的不僅是臺積電,三星同樣如此。據韓國媒體Business Korea報道,因為大量手機芯片訂單的涌入,三星的代工業務甚至無法滿足自己的Exynos 2100芯片需求。

三星對于Galaxy S21系列的銷量非常看好,預估出貨量可以達到2800萬以上。而美國市場是三星的主要市場,在該市場賣出的Galaxy S21將全部搭載Exynos 2100芯片,其他地區仍將使用高通的驍龍888芯片。但三星認為美國市場的銷量可能會占據總銷量的60%,因此現有產能不得不偏向Exynos 2100,同時減少驍龍888的產能,一并受到影響的還有Galaxy A系列和Vivo X60 Pro使用的Exynos 1080芯片。

小結

從已面世的5nm芯片看來,手機處理器仍是先進制程的主要戰力,不管是顯示芯片還是汽車芯片都只能退而求次,去搶占成熟工藝的產能。但這也暴露了新制程在產能和良率上的劣勢,面臨日益激化的芯片性能競爭,不少廠商為了享受先進制程的性能紅利,占據一絲市場優勢,不得不忽略這些因素,在芯片缺貨潮下也要推出自己的新產品。面臨這樣的挑戰,或許三星與臺積電的5nm工藝之爭真沒有趕上一個好的時間節點。

本文由電子發燒友網原創,未經授權禁止轉載。如需轉載,請添加微信號elecfans999。


聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15894

    瀏覽量

    183132
  • ASML
    +關注

    關注

    7

    文章

    737

    瀏覽量

    43531
  • EUV光刻機
    +關注

    關注

    2

    文章

    129

    瀏覽量

    15849
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    三星發布Exynos 2600,全球首款2nm SoC,NPU性能提升113%

    電子發燒友網綜合報道 近日,三星電子正式發布其手機芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡,它不僅是三星首款2nm芯片,更是全球首款采用2納米(2nm)全環繞柵極(GAA)
    的頭像 發表于 12-25 08:56 ?8745次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>發布Exynos 2600,全球首款2<b class='flag-5'>nm</b> SoC,NPU性能提升113%

    三星公布首批2納米芯片性能數據

    三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數據;據悉,2nm工藝采用的是全柵極環繞(GAA)晶體管技術,相比第二代3nm
    的頭像 發表于 11-19 15:34 ?1237次閱讀

    今日看點丨三星美國廠2nm產線運作;《人工智能生成合成內容標識辦法》正式生效

    (2330)長期規劃美國新廠后續將導入2nm與更先進制程,三星加入戰局加上英特爾獲得奧援,2nm以下制程競爭在美國更加白熱化。 ? 韓國媒體報導,市場傳出
    發表于 09-02 11:26 ?1766次閱讀

    電子束檢測:攻克5nm以下先進節點關鍵缺陷的利器

    和吞吐量之間的權衡而臭名昭著,這使得在這些先進節點上利用電子束進行全面缺陷覆蓋尤為困難。例如,對于英特爾的18A邏輯節點(約1.8納米級)和三星數百層的3DNAND
    的頭像 發表于 08-19 13:49 ?870次閱讀
    電子束檢測:攻克<b class='flag-5'>5nm</b>以下<b class='flag-5'>先進</b>節點關鍵缺陷的利器

    三星S26拿到全球2nm芯片首發權 三星獲特斯拉千億芯片代工大單

    我們來看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發權 數碼博主“剎那數碼”爆料稱,三星Exynos 2600芯片已進入質量測試階段,計劃在今年10月完成基于HPB(High
    的頭像 發表于 07-31 19:47 ?1773次閱讀

    新思科技與三星深化合作加速AI和Multi-Die設計

    新思科技近日宣布,正與三星代工廠持續緊密合作,為先進邊緣AI、HPC和AI應用的下一代設計提供強大支持。雙方合作助力共同客戶實現復雜設計的成功流片,并縮短設計周期。這些客戶可以借助適用于SF2P工藝
    的頭像 發表于 07-18 13:54 ?1021次閱讀

    三星代工大變革:2nm全力沖刺,1.4nm量產延遲至2029年

    在全球半導體代工領域的激烈競爭中,三星電子的戰略動向一直備受矚目。近期,有消息傳出,三星代工業務在制程技術推進方面做出重大調整,原本計劃于2027年量產的1.4nm制程工藝,將推遲至2
    的頭像 發表于 07-03 15:56 ?870次閱讀

    回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組

    深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業求購指紋
    發表于 05-19 10:05

    今日看點丨美國宣布:征收高達3403%關稅!;三星停產DDR4

    1. ASML 取消與三星合作的半導體研究設施,轉而尋求替代方案 ? 2023年末,三星與ASML簽署了一項價值1萬億韓元的協議,雙方將在韓國京畿道東灘投資建設半導體芯片研究設施,并在那里共同努力
    發表于 04-22 11:06 ?1514次閱讀

    三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率

    較為激進的技術路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據韓媒《ChosunBiz》當地時間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40% 的良率,這高于
    發表于 04-18 10:52

    Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現流片成功

    我們很高興能在此宣布,Cadence 基于 UCIe 標準封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續提供高性能車規級 IP 解決方案?的承諾,可滿足新一代汽車電子和高性能計算應用的嚴格要求。
    的頭像 發表于 04-16 10:17 ?1081次閱讀
    Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的<b class='flag-5'>5nm</b>汽車<b class='flag-5'>工藝</b>上實現流片成功

    千億美元打水漂,三星取消1.4nm晶圓代工工藝

    先進制程領域目前面臨重重困難。三星?3nm(SF3)GAA?工藝自?2023?年量產以來,由于良率未達預期,至今尚未
    的頭像 發表于 03-23 11:17 ?2019次閱讀

    千億美元打水漂,三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

    先進制程領域目前面臨重重困難。三星 3nm(SF3)GAA 工藝自 2023 年量產以來,由于良率未達預期,至今尚未獲得大客戶訂單。
    的頭像 發表于 03-22 00:02 ?2637次閱讀

    三星電容的MLCC技術有哪些優勢?

    )O?(PZT)或改良的復合陶瓷系統。這些材料在電場作用下能儲存大量電荷,從而實現高電容密度。 先進的粉末制備工藝三星通過先進的粉末制備工藝
    的頭像 發表于 03-13 15:09 ?1204次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>電容的MLCC技術有哪些優勢?

    三星已量產第四代4nm芯片

    據外媒曝料稱三星已量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來,每年都在改進技術。三星現在使用的是其最新的第四代4
    的頭像 發表于 03-12 16:07 ?1.3w次閱讀