由于在7nm節點激進地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產時間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產。在這之后，三星已經加快了新工藝的進度，日前6nm工藝也已經量產出貨，今年還會完成3nm GAE工藝的開發。

在進入10nm節點之后，半導體工藝制造越來越困難，但需求還在不斷提升，這就導致臺積電、三星把不同的工藝改進下就推出新工藝了，而三星的6nm工藝實際上也就是7nm工藝的改進版，在7nm EUV基礎上應用三星獨特的Smart Scaling方案，可以大大縮小芯片面積，帶來超低功耗。

消息人士透露，三星晶圓制造業務的高管已經確認6nm工藝的芯片出貨量產，交付給北美的客戶——雖然三星官方沒有提及具體信息，但這個北美客戶應該是高通公司，目前還不確定是哪款芯片。

如果6nm成功量產，那三星手里現在進入真正量產階段的工藝就有7nm EUV、6nm LPP兩種了，可以更好地從臺積電手中搶市場了。

在6nm之后，三星還希望今年推出5nm EUV工藝，臺積電也是預定今年上半年量產5nm EUV工藝的，這樣一來三星總算上追上臺積電的工藝進度了，不過三星依然沒有公布5nm的客戶是誰。

三星真正有希望超越臺積電的工藝是3nm，他們是第一家官宣使用全新GAA晶體管的，在3nm節點將會用GAA環繞柵極晶體管取代FinFET晶體管，三星希望2021年量產3nm工藝，而今年上半年完成3nm工藝開發。