? 中國北京，2022 年?5 月?6日?——設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業Soitec 近日發布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC? 晶圓。這標志著 Soitec 公司
2022-05-06 13:48:42
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意法半導體（ST）發佈碳化硅產品創新成果，協助系統廠商研發能夠將太陽能轉化成電網電能的高能效電子設備。
2012-09-19 15:59:401649 法國Soitec半導體公司宣布與應用材料公司啟動聯合項目，展開對新一代碳化硅襯底的研發。
2019-11-19 14:44:481151 人沒想到的是，在8英寸碳化硅還遠未大規模落地時，12英寸碳化硅襯底就已經悄然面世。 ? 天岳先進發布300mm 碳化硅襯底 ? 在上周的德國慕尼黑半導體展上，天岳先進發布了行業首款300mm（12英寸）碳化硅襯底。 圖源：天岳先進 ? 300mm碳化硅
2024-11-21 00:01:005497 
功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。意法半導體與遠創達的合作協議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。協議內容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
更新換代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
，同比增長15.77%。2020年H1，中國集成電路產業銷售額為3539億元，同比增長16.1%。碳化硅（SiC）的應用碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，應用最廣
2021-01-12 11:48:45
。 碳化硅近幾年的快速發展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產業的發展，作為光伏產業用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業內人開始關注起碳化硅這個行業了。目前碳化硅制備技術非常
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅肖特基二極管主要特點及產品系列 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術參數如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產品列表見下：原作者：基本半導體
2023-02-28 16:55:45
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）合作開發Velankani為印度市場設計的Prysm?智能電表。 該技術合作
2018-03-08 10:17:35
ST意法半導體意法半導體擁有48,000名半導體技術的創造者和創新者，掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM)，意法半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發
2022-12-12 10:02:34
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
氧化層？如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？”讓我們一起跟隨基本半導體市場部總監魏煒老師的講解，揭開這一技術領域的神秘面紗。
2025-01-04 12:37:34
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體的碳化硅肖特基二極管采用的主要是碳化硅 JBS工藝技術，與硅 FRD對比的主要優點有： 圖9 二極管反向恢復
2023-02-28 16:48:24
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
MOSFET更好的在系統中應用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅動。 接下來介紹基本半導體碳化硅MOSFET及驅動產品 基本半導體自主研發的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低
2023-02-27 16:03:36
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數都采用藍寶石襯底技術。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數據不得而知。硅襯底成本低，但目前技術還不完善?！ 腖ED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-14 15:24:584706 科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導體（NYSE: STM）簽署多年協議，將為意法半導體STMicroelectronics生產和供應Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓片。
2019-01-15 10:26:284910 隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發，引爆了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內眾多企業紛紛通過加強技術研發與資本投入布局碳化硅產業，今天我們首先
2021-07-29 11:01:185164 碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導體從產業鏈各環節探究材料特性及缺陷產生的原因，與上下游企業協同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:406521 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動中
2021-11-29 14:54:089429 
設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業 Soitec 宣布，與全球電力和先進材料領域專家美爾森達成戰略合作，攜手為電動汽車市場開發多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17972 新加坡科學技術研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和意法半導體(簡稱ST) 共同宣布，雙方將在汽車和工業市場電力電子設備用碳化硅 (SiC) 領域展開研發 (R&D) 合作。此次
2021-12-17 17:39:432752 意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業應用
2022-01-17 14:13:294628 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布，為世界排名前列的電源模塊系統廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅（SiC）技術。
2022-05-26 09:45:372791 ? 北京，2022 年 7 月 22 日——作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業，法國 Soitec 半導體公司正式宣布選用 KLA 公司（納斯達克股票代碼：KLAC）的檢測技術，實現碳化硅
2022-07-22 11:50:361262 
碳化硅正被用于多種電力應用。ROHM 與意法半導體之間的協議將增加其在行業中的廣泛采用。 汽車和工業市場都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造硅晶圓要復雜
2022-07-28 17:05:012982 
意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-08 17:04:032490 意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業碳化硅組件與日俱增的需求，協助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產，以實現碳化硅襯底的供應在對內采購及行業供貨間達到平衡。
2022-10-09 09:10:551480 作為半導體產業中的襯底材料，碳化硅單晶具有優異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領域有著廣泛的應用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器件性能，因此外延應用對碳化硅晶片表面質量的要求
2022-10-11 16:01:045801 公司Soitec 宣布了下一階段的碳化硅 (SiC)襯底合作計劃，由意法半導體在今后18個月內完成對Soitec碳化硅襯底技術的產前認證測試。此次合作的目標是意法半導體采用 Soitec 的 SmartSiC 技術制造未來的8寸碳化硅襯底，促進公司的碳化硅器件和模塊制造業務，
2022-12-08 12:22:481146 碳化硅技術龍頭企業 碳化硅市場格局 碳化硅產業鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環節，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據Yole數據顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
技術方面，意法半導體與Soitec就碳化硅晶圓制造技術合作達成協議。意法半導體希望通過此次合作，使其未來200mm晶圓生產可以采用Soitec的Smart碳化硅技術。
2023-02-06 16:25:171392 碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件”結構。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:482004 全球碳化硅產業呈現明顯的行業上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產業鏈中的核心環節，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:042505 意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:512274 碳化硅襯底 產業鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節。
2023-05-09 09:36:486511 
? ? ?? 本報訊 6月7日，中國領先的化合物半導體公司三安光電與全球排名前列的半導體公司意法半導體聯合宣布：雙方已簽署協議，擬在中國重慶合資共同建立一個新的碳化硅器件制造工廠。同時，三安光電將在
2023-06-08 19:05:021041 
6月7日，中國領先的化合物半導體制造平臺三安光電與全球排名前列的半導體公司意法半導體聯合宣布：雙方已簽署協議，擬在中國重慶合資建立一個新的8英寸碳化硅器件制造工廠。同時，三安光電將在當地獨資建立一個
2023-06-09 08:37:421013 
? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? ? ? 意法半導體和三安光電將成立一家合資制造廠，進行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規模量產 ? ? 該合資廠將有助于滿足
2023-06-09 09:30:01993 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 ?意法半導體和三安光電將成立一家合資制造廠，進行8英寸碳化硅(SiC)器件大規模量產?該合資廠將有助于滿足中國汽車電氣化、工業電力和能源等應用對意法半導體SiC器件日益增長的需求?該合資廠將采用ST
2023-07-31 17:19:201332 
近日，意法半導體與知名汽車Tier 1制造商博格華納達成了一項重要戰略合作協議。該協議旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件，以升級博格華納的車規功率模塊。
2023-09-06 10:07:01523 碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產業鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
2023年9月，科友半導體自產首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:461174 業內人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展，多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166 在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環節。
2023-10-27 09:35:573651 目前，全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數據包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134 
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233792 龍頭廠商 理想汽車 簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。按照協議, 意法半導體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰略部署。 隨著汽車行業電動化和綠色低碳轉型的持續深入，高壓純電動車因其能效更高、續航里
2023-12-22 08:20:011199 
12 月 22 日消息，據意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協議。
2023-12-24 10:35:241212 今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術。
2024-01-19 09:48:161639 
在這次考察中，考察團主要針對博藍特公司計劃將其第三代半導體碳化硅襯底項目引入到延陵鎮，這筆交易總預算高達十億元人民幣，其中包括兩年內生產 25 萬片六至八英寸碳化硅襯底的能力。如果按照企業預期估算，該項目完成后每年潛在銷售額將達到 15 億元。
2024-01-19 13:57:202956 1月23日，山東有研硅半導體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業務合作協議》，該協議旨在充分發揮雙方各自優勢，創新業務合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。
2024-01-29 14:36:571705 近日，國內領先的半導體企業芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰略合作協議。這一協議的達成，標志著雙方在SiC功率模塊領域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應用。
2024-03-15 09:44:431103 羅姆與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）襯底晶圓多年長期供貨協議基礎上，
2024-04-23 10:17:57957 代碼:STM) 宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現有的150mm (6英寸) 碳化硅 (SiC) 襯底晶圓多年長期供貨協議基礎上，繼續擴大合作。根據新簽署的長期供貨協議
2024-04-26 11:30:001058 
羅姆集團與全球知名的半導體巨頭意法半導體（簡稱ST）近日共同宣布，雙方將深化合作關系，進一步擴展在碳化硅（SiC）襯底晶圓領域的合作。此次合作基于雙方現有的針對150mm（6英寸）碳化硅襯底晶圓的多年長期供貨協議，意法半導體將獲得羅姆集團旗下SiCrystal公司更大量的碳化硅襯底晶圓供應。
2024-05-07 10:16:491123 近日，純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作，共同推動碳化硅（SiC）功率器件的生產。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠，利用Soitec的SmartSiC技術生產碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:201196 來源：國芯網，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 6月2日消息，意法半導體宣布將在意大利卡塔尼亞建設世界首個全流程垂直集成的碳化硅工廠。 在該園區中，意法半導體將整合碳化硅產業鏈從襯底開發到外延生長
2024-06-04 09:34:281497 近日，汽車電子領域的佼佼者意法半導體（簡稱ST）與全球知名汽車及新能源汽車制造商吉利汽車集團宣布了一項重要合作。雙方已簽署碳化硅（SiC）器件的長期供應協議，標志著雙方在原有合作基礎上，對碳化硅器件的聯合研發與應用將邁入新的階段。
2024-06-04 14:30:471236 。 ??卡塔尼亞碳化硅產業園將實現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區內完成從芯片研發到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產，賦能汽車和工業客戶的電氣化進程和高能效轉型。 意法半導體（簡稱ST）宣布將在意大利卡塔
2024-06-06 09:15:261623 
近日，半導體行業的佼佼者意法半導體（STMicroelectronics）與領先的汽車制造商吉利汽車集團宣布簽署了一份長期碳化硅（SiC）供應協議。此舉不僅鞏固了雙方在SiC器件領域的現有合作，更標志著雙方合作關系的進一步深化。
2024-06-06 09:40:44994 全球半導體行業的領軍企業意法半導體（簡稱ST）近日宣布，將在意大利卡塔尼亞建立一座全新的綜合性大型制造基地，專注于8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模塊的制造、封裝、測試等全流程生產。這一重要舉措不僅體現了意法半導體在碳化硅技術領域的深厚實力，也標志著公司向全面垂直整合碳化硅產業鏈邁出了堅實的一步。
2024-06-07 18:07:053036 近日，重慶三安意法8英寸碳化硅（SiC）襯底廠正式投產，標志著這一高科技項目比預期提前兩個月進入生產階段，為中國電動汽車產業供應鏈注入了強勁動力。該項目由全球領先的半導體制造商意法半導體
2024-09-04 18:07:241531 意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195 ????????意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協議，保證安培碳化硅功率模塊的供應安全。
2024-12-05 10:41:211095 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。
2025-01-09 14:48:331280 在半導體領域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質量的精準把控愈發關鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394 
在當今蓬勃發展的半導體產業中，碳化硅（SiC）襯底作為關鍵基礎材料，正引領著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數猶如精密天平上的砝碼，細微
2025-01-14 10:23:10400 碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導體材料，因其出色的物理和化學特性，如高硬度、高熔點、高熱導率和化學穩定性，在半導體產業中得到了廣泛的應用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關鍵材料，其生產過程復雜
2025-02-03 14:21:001983 一、引言
隨著碳化硅在半導體等領域的廣泛應用，對其襯底質量的檢測愈發關鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質量的重要參數，準確測量這些參數對于保證器件性能至關重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286 碳化硅（SiC）在半導體中扮演著至關重要的角色，其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優勢： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352673 三安光電和意法半導體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(安意法半導體有限公司，簡稱安意法)，全面落成后預計總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠預計將在2025年四季度投產，屆時將成為國內首條8英寸車規級碳化硅功率芯片規?；慨a線。
2025-02-27 18:12:341593 近日，三安光電與意法半導體在重慶合資設立的安意法半導體碳化硅晶圓工廠正式通線，預計2025年四季度批量生產，形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應，結合過去二十年合資汽車和自主品牌的此消彼長發展歷程，不難看出國產碳化硅功率半導體必須走自立自強與突圍之路：從合資依賴到自主創新的路徑分析。
2025-03-01 16:11:141016 日前，服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（ST）與重慶郵電大學在重慶安意法半導體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產業發展論壇”上正式簽署產學研戰略合作協議。
2025-03-21 09:39:241358 01襯底碳化硅襯底是第三代半導體材料中氮化鎵、碳化硅應用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料，經過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造過程后形成的單片材料。按照電學性能
2025-07-15 15:00:19962 
摘要
本文針對碳化硅襯底 TTV 厚度測量中各向異性帶來的干擾問題展開研究，深入分析干擾產生的機理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測量的準確性與可靠性，為碳化硅半導體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30659 
提供理論與技術支持。
引言
隨著碳化硅半導體產業的蓬勃發展，對碳化硅襯底質量要求日益嚴苛，晶圓總厚度變化（TTV）作為關鍵質量指標，其精確測量至關重要。激光干涉法
2025-08-12 13:20:16779 ，為半導體制造工藝的穩定運行提供支持。
引言
在碳化硅半導體制造過程中，TTV 厚度測量數據是評估襯底質量的關鍵依據。然而，受測量設備性能波動、環境變化、樣品特性
2025-08-14 13:29:381028 本文通過對比國產與進口碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀在性能、價格、維護成本等方面的差異，深入分析兩者的性價比，旨在為半導體制造企業及科研機構選購測量設備提供科學依據，助力優化資源配置。
引言
在
2025-08-15 11:55:31707 摘要
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統闡述其操作規范與實用技巧，通過規范測量流程、分享操作要點，旨在提高測量準確性與效率，為半導體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標準化操作
2025-08-20 12:01:02552 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀，系統闡述其操作規范與實用技巧，通過規范測量流程、分享操作要點，旨在提高測量準確性與效率，為半導體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測量提供標準化操作指導
2025-08-23 16:22:401083 摘要
本文聚焦碳化硅襯底晶圓總厚度變化（TTV）厚度測量技術，剖析其在精度提升、設備小型化及智能化測量等方面的最新發展趨勢，并對未來在新興應用領域的拓展及推動半導體產業發展的前景進行展望，為行業技術
2025-09-01 11:58:10840
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