安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。
2024-03-26 09:57:19
3707 
意法半導(dǎo)體推出兼容低功耗藍(lán)牙5.0標(biāo)準(zhǔn)的 STEVAL-IDB008V1M 評(píng)估板，可加快使用了基于意法半導(dǎo)體第二代低功耗藍(lán)牙系統(tǒng)芯片（SoC）BlueNRG-2的模組的應(yīng)用開(kāi)發(fā)速度。
2020-06-20 10:16:074907 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。
2021-04-27 09:35:371842 電平T型逆變拓?fù)洌瑢?dǎo)通能效和開(kāi)關(guān)能效均很出色，輸出電壓質(zhì)量穩(wěn)定。 ? 這兩款模塊中的 MOSFET采用意法半導(dǎo)體的第二代 SiC 技術(shù)，RD
2022-09-13 14:41:19976 
的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics ，簡(jiǎn)稱 ST ；紐約證券交易所代碼 :STM) 推出第二代STM32 微處理器(MPU)，該產(chǎn)品在繼承了STM32生態(tài)系統(tǒng)基礎(chǔ)上，采用了全新
2023-05-18 14:12:091412 充電機(jī)(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡(jiǎn)易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200V SiC功率開(kāi)關(guān)管，意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開(kāi)關(guān)管具有
2023-10-31 15:37:592457 
高效運(yùn)行等優(yōu)勢(shì)，特別適用于需要并聯(lián)使用的大功率家電應(yīng)用場(chǎng)景，包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 ? STGWA30IH160DF2具備175℃最高結(jié)溫特性和優(yōu)異的熱阻系數(shù)，可確保30A額定電流下的高效散熱表現(xiàn)，在嚴(yán)苛工作環(huán)境中保持長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)它還是意法半導(dǎo)體第二代IH系列首款1
2025-07-28 07:29:003534 化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類問(wèn)題）ROHM通過(guò)開(kāi)發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開(kāi)關(guān)性能的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)了Si IGBT很難實(shí)現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個(gè)晶體管并聯(lián)組成了1個(gè)開(kāi)關(guān)
2018-11-27 16:38:39
。SiC半導(dǎo)體的功率元器件SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量產(chǎn)出貨，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模塊也于2012年＊1實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此時(shí)，第二代
2018-11-29 14:39:47
解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會(huì)議程
▌參會(huì)福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報(bào)名預(yù)約【意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36
意法半導(dǎo)體已將其 STM32Cube.AI 機(jī)器學(xué)習(xí)開(kāi)發(fā)環(huán)境放入云中，并配有可云訪問(wèn)的意法半導(dǎo)體MCU板進(jìn)行測(cè)試。這兩個(gè)版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
μA，故該芯片對(duì)低功耗電池供電系統(tǒng)非常有吸引力。其中還嵌入了多項(xiàng)安全特性以保護(hù)代碼，并有一個(gè)硬件加速器用于加密功能。 使用場(chǎng)景的選擇 第二代可穿戴設(shè)備有很多用途。傳感器可以集成到智能手表中，但包括
2018-09-21 11:46:21
AN15261基于CYWUSB6934將無(wú)線USB LS設(shè)計(jì)移植到無(wú)線USB LP。第二代無(wú)線電具有第一代無(wú)線電中不存在的其他強(qiáng)大功能：更高的傳輸比特率，更低的接收靈敏度，更高的最大發(fā)射功率，專用的發(fā)送和接收緩沖器以及自動(dòng)CRC
2019-07-19 09:05:47
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點(diǎn)？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)與第一代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)在體制上的差別主要是：第二代用戶機(jī)可免發(fā)上行信號(hào)，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛(wèi)星單程測(cè)距信號(hào)自己定位，系統(tǒng)的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開(kāi)關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當(dāng)前的SiC-SBD?反向恢復(fù)時(shí)間trr快（可高速開(kāi)關(guān)）?trr特性沒(méi)有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮
2018-12-04 10:26:52
。 最后，與IGBT相比，功率MOSFET的通態(tài)損耗低，尤其是在低電流時(shí)更為顯著;關(guān)斷能耗低，但導(dǎo)通能耗較高。加快體硅二極管的反向恢復(fù)速度與所用技術(shù)工藝有關(guān)。 3 意法半導(dǎo)體的電機(jī)控制功率開(kāi)關(guān)技術(shù) 為
2018-11-20 10:52:44
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
求分享USB3.1第二代應(yīng)用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
白皮書
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書中，我們討論了最新一代超低抖動(dòng)三次泛音晶體振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)、性能和特性，這些振蕩器旨在為各種高速應(yīng)用提供穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)鐘信號(hào)
2023-09-13 09:51:52
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
意法半導(dǎo)體官方的庫(kù)怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
iPod nano(第二代)功能指南手冊(cè)
2009-12-10 15:27:12
106 在逐點(diǎn)晶晰第二代技術(shù)的基礎(chǔ)上，飛利浦又發(fā)展了高清逐點(diǎn)晶晰第二代，提高了一倍的畫面處理能力，
2006-04-15 22:38:09831 TinySwitch II系列第二代微型單片開(kāi)關(guān)電源的原理
TinySwitch?II系列是美國(guó)PI（PowerIntegrations）公司繼TinySwitch之后，于2001年3月新推出的第二代增強(qiáng)型隔離
2009-06-30 16:40:383540 
日本第二代蓄電池產(chǎn)業(yè)及綜合對(duì)策
2009年11月6日8:32:09
網(wǎng)易財(cái)經(jīng)訊 據(jù)商務(wù)部消息，畜電池是將風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能發(fā)電等納入供電系統(tǒng)的第二代電網(wǎng)——智能電網(wǎng)所
2009-11-06 08:32:15689 恩智浦推出第二代車載網(wǎng)絡(luò)CAN/LIN系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片UJA107x系列
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）今日推出其第二代車載網(wǎng)絡(luò)CAN/LIN系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片（SBC）——UJA107x產(chǎn)品系列。UJA107
2009-11-16 08:43:241463 飛思卡爾第二代觸摸感應(yīng)控制器，具有更高的內(nèi)部智能
飛思卡爾不久前宣布推出第二代觸摸感應(yīng)控制器：MPR121。這是飛思卡爾繼MPR03x系列器件之后推出的第二代觸摸感
2010-01-06 10:43:311419 黑莓Tour第二代定名9650 即將發(fā)布
RIM黑莓Tour 9630早在去年7月份就正式上市，近日關(guān)于第二代Tour的消息也開(kāi)始在網(wǎng)上出現(xiàn)。RIM今天終于
2010-01-30 09:33:35844 Tensilica日前發(fā)布第二代基帶引擎ConnX BBE16
Tensilica日前發(fā)布第二代基帶引擎ConnX BBE16，用于LTE(長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù))及4G基帶SoC(片上系統(tǒng))的設(shè)計(jì)。ConnX BBE16的16路MAC(乘數(shù)累加器)
2010-02-23 10:20:141018 Cegedim Relationship Management日前宣布全面推出第二代MI for iPad。MI for iPad是該公司利用iPad的優(yōu)點(diǎn)針對(duì)生命科學(xué)行業(yè)設(shè)計(jì)的客戶關(guān)系管理(CRM)解決方案
2011-04-18 10:11:511321 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體推出第二代近距離通信（NFC）控制器。意法半導(dǎo)體表示，配合豐富的安全單元產(chǎn)品組合，新款I(lǐng)C將加快全新的智能手機(jī)安全非
2012-05-25 10:46:552870 
羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品（圖1）。特點(diǎn)是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導(dǎo)通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531938 恩智浦半導(dǎo)體近日發(fā)布了NTAG21x系列——公司第二代NFC標(biāo)簽IC產(chǎn)品——進(jìn)一步拓寬OEM廠商、嵌體客戶及終端用戶的NFC標(biāo)簽部署范圍。
2012-11-08 10:31:471630 谷歌第二代無(wú)人駕駛車原型車近期在加州山景城（Mountain View）的電腦歷史博物館（Computer History Museum）展出。這輛第二代無(wú)人車是基于白色雷克薩斯RX 450H混合
2014-06-13 09:48:1811388 有消息稱，美國(guó)多家經(jīng)銷商近日下調(diào)了 Apple Watch 的價(jià)格，參考過(guò)去發(fā)生在蘋果產(chǎn)品身上的更新規(guī)律，這被業(yè)界認(rèn)為是第二代產(chǎn)品即將到來(lái)的征兆。
2016-08-29 09:55:481284 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)已經(jīng)宣布量產(chǎn)，是在第一代的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461762 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來(lái)消息，又迎來(lái)意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 近日，國(guó)際領(lǐng)先的定制化芯片設(shè)計(jì)方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體有限公司對(duì)外宣布推出基于SMIC40LL工藝的第二代DDR低功耗物理層IP，該IP與第一代的低功耗DDR PHY相比面積減少20%。
2018-03-17 10:43:398321 FPGA第二代開(kāi)發(fā)板原理圖
2018-04-23 14:45:4679 本文首先分別對(duì)第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行了概述，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17152618 2018年10月10日，華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn)，該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-16 15:41:179230 SiC功率器件大勢(shì)所趨，國(guó)際巨頭競(jìng)相布局，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體擬通過(guò)并購(gòu)整合進(jìn)一步擴(kuò)大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。日前，意法半導(dǎo)體宣布，公司已簽署協(xié)議，收購(gòu)瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商
2019-04-06 16:41:362673 從材料專業(yè)知識(shí)和工藝工程，到SiC MOSFET和二極管設(shè)計(jì)制造，意法半導(dǎo)體加強(qiáng)內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)。
2019-12-03 16:36:551288 意法半導(dǎo)體推出兼容低功耗藍(lán)牙5.0標(biāo)準(zhǔn)的STEVAL-IDB008V1M評(píng)估板，可加快使用了基于意法半導(dǎo)體第二代低功耗藍(lán)牙系統(tǒng)芯片（SoC）BlueNRG-2的模組的應(yīng)用開(kāi)發(fā)速度。
2020-06-23 10:42:023483 直播時(shí)間 2020年9月10日上午1030 直播主題 意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品及其工業(yè)應(yīng)用指南 直播介紹 意法半導(dǎo)體在SiC產(chǎn)品上有超過(guò)20年的經(jīng)驗(yàn)，為客戶帶來(lái)了SiC Diode / MOSFET
2020-09-09 13:44:413263 半導(dǎo)體公司，而這次華為瞄準(zhǔn)的卻是第二代半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域一般劃分成三代，第一代半導(dǎo)體材料是以硅為主導(dǎo)，第二代則是以砷化鎵、磷化銦為代表，第三代則是以氮化鎵和碳化硅為主導(dǎo)。而此時(shí)華為哈勃“被迫營(yíng)業(yè)”，
2021-01-27 16:13:403007 
中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術(shù)的樣機(jī)。
2021-02-24 11:41:082738 UG-1780：快速平臺(tái)第二代用戶指南
2021-05-18 11:26:204 CREE第二代SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理圖及PCB板設(shè)計(jì)電路原理圖光耦隔離電路和功率放大電路原理圖隔離電源電路原理圖PCB layout第一層layout第二層layout（負(fù)電層）第三層
2021-11-08 14:51:0157 燧原科技是國(guó)內(nèi)首家發(fā)布第二代人工智能訓(xùn)練及推理產(chǎn)品組合的公司。請(qǐng)問(wèn)燧原科技分別于何時(shí)發(fā)布了第一代和第二代產(chǎn)品？（單選題）
2021-12-13 14:59:213271 意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用
2022-01-17 14:13:294628 [RZ/Five] RZ/G 系列，第二代用戶手冊(cè)概述：硬件
2023-01-09 19:08:230 ZMOD4410 數(shù)據(jù)表附錄 - IAQ 第二代：附加特性
2023-01-12 18:43:290 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二
2023-02-21 10:16:473720 顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒(méi)有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導(dǎo)體要到2025年才開(kāi)始推出。
2023-03-14 11:22:393149 然而不知不覺(jué)中，現(xiàn)在這套電驅(qū)系統(tǒng)已經(jīng)升級(jí)到了第二代，除了結(jié)構(gòu)上的變化，部分零部件也采用了全新的設(shè)計(jì)，借著這次試駕名爵 eHS 的機(jī)會(huì)，我了解到了第二代 EDU 的一些細(xì)節(jié)信息，下面跟大家分享。
2023-03-24 10:53:314387 Arasan Chip Systems是移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)SoC半導(dǎo)體IP的領(lǐng)先供應(yīng)商，今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC設(shè)計(jì)的第二代MIPI D-PHY IP。
2023-05-19 14:51:221207 第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光儲(chǔ)一體機(jī)，將會(huì)比上一代器件在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面性能更加出色。
2023-06-12 14:58:361004 [RZ/Five] RZ/G 系列，第二代用戶手冊(cè)概述：硬件
2023-06-30 18:54:160 ZMOD4410 數(shù)據(jù)表附錄 - IAQ 第二代：附加特性
2023-07-03 18:35:080 堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，同時(shí)也標(biāo)志著瞻芯電子碳化硅晶圓廠邁進(jìn)新的階段。 產(chǎn)品特性 瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V，
2023-08-21 09:42:122839 
? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國(guó)” ， 關(guān)注我們 ???????? ?? 意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅 （ SiC ） 功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實(shí)現(xiàn)
2023-09-07 08:10:011443 
材料領(lǐng)域中，第一
代、
第二代、第三
代沒(méi)有“一
代更比一
代好”的說(shuō)法。氮化鎵、碳化硅等材料在國(guó)外一般稱為寬禁帶
半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物
半導(dǎo)體，或?qū)⒌墶⑸榛墶⒘谆熤瞥?/div>
2023-09-12 16:19:276881 
功率密度、非常緊湊的設(shè)計(jì)和簡(jiǎn)化的裝配過(guò)程。該產(chǎn)品系列為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了四件裝、六件裝和圖騰柱配置的選擇，以提高其靈活性。 這些模塊包括1,200V SiC電源開(kāi)關(guān)，采用意法半導(dǎo)體尖端的第二代和第三代SiC MOSFET技術(shù)，以確保最小的RDS(on)值。這些器件以最小的溫度依賴性
2023-10-26 17:31:321801 泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡(jiǎn)易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200VSiC功率開(kāi)關(guān)管，意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開(kāi)關(guān)管具有很低的導(dǎo)通電阻RDS(o
2023-10-30 16:03:101264 SiC功率開(kāi)關(guān)，利用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的第二代和第三代SiC MOSFET技術(shù)，確保低 RDS(開(kāi))值。這些器件
2023-11-14 15:48:491784 今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:161631 
近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141888 3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:241748 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 第二代SiC碳化硅MOSFET關(guān)斷損耗Eoff
2024-06-20 09:53:401443 
PowerMasterSemiconductor推出了第二代1200VeSiCMOSFET，以滿足直流電動(dòng)汽車充電站、太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)電源等一系列應(yīng)用對(duì)更高效率、高
2024-07-17 10:53:00116088 
TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開(kāi)關(guān)。驅(qū)動(dòng)電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI
2024-09-05 08:03:27985 
意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術(shù)，在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面均樹(shù)立了新的市場(chǎng)標(biāo)桿，將為汽車和工業(yè)市場(chǎng)帶來(lái)革命性的改變。
2024-10-10 18:27:331619 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，意法半導(dǎo)體還針對(duì)
2024-10-12 11:30:592195 近日，AMD（超威，納斯達(dá)克股票代碼：AMD ）今日宣布推出第二代 AMD Versal Premium 系列，這款自適應(yīng) SoC 平臺(tái)旨在面向各種工作負(fù)載提供最高水平系統(tǒng)加速。第二代 Versal
2024-11-13 09:27:161423 新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為
2024-11-29 01:03:07830 在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501643 
安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，融合國(guó)內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計(jì)，開(kāi)創(chuàng)功率密度新高度，在開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面達(dá)到行業(yè)巔峰，助力高效能源轉(zhuǎn)換和低能耗運(yùn)行
2025-02-07 11:26:421582 
2025年4月16日，在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達(dá)到國(guó)際頭部領(lǐng)先水平。
2025-04-17 17:06:401385 致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動(dòng)芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布推出全新第二代高邊開(kāi)關(guān)芯片HD8004，單通道低內(nèi)阻4.3mΩ產(chǎn)品。
2025-05-21 18:04:201179 
采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素共同實(shí)現(xiàn)了出色的開(kāi)關(guān)性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線則可幫助設(shè)計(jì)人員進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗。
2025-06-09 09:57:38859 致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動(dòng)芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布推出全新第二代高邊開(kāi)關(guān)芯片HD80012，單通道低內(nèi)阻1.2mΩ產(chǎn)品。
2025-07-02 15:19:401138 
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
2025-07-28 17:06:08842 新品采用.XT擴(kuò)散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
2025-11-24 17:05:151203 新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開(kāi)關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢(shì)，同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13326 車載充電機(jī)（On-Board Charger，簡(jiǎn)稱為OBC）的基本功能是：電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車載充電機(jī)，給車載動(dòng)力電池進(jìn)行慢速充電。基本半導(dǎo)體第二代SiC碳化硅
2023-08-17 10:07:23
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