安森美(onsemi)發布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。
2024-03-26 09:57:19
3707 
意法半導體推出兼容低功耗藍牙5.0標準的 STEVAL-IDB008V1M 評估板，可加快使用了基于意法半導體第二代低功耗藍牙系統芯片（SoC）BlueNRG-2的模組的應用開發速度。
2020-06-20 10:16:074907 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
2021-04-27 09:35:371842 電平T型逆變拓撲，導通能效和開關能效均很出色，輸出電壓質量穩定。 ? 這兩款模塊中的 MOSFET采用意法半導體的第二代 SiC 技術，RD
2022-09-13 14:41:19976 
的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼 :STM) 推出第二代STM32 微處理器(MPU)，該產品在繼承了STM32生態系統基礎上，采用了全新
2023-05-18 14:12:091412 充電機(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調等汽車系統，產品優點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統設計靈活性。 ? 新模塊內置1200V SiC功率開關管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術確保碳化硅開關管具有
2023-10-31 15:37:592457 
高效運行等優勢，特別適用于需要并聯使用的大功率家電應用場景，包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 ? STGWA30IH160DF2具備175℃最高結溫特性和優異的熱阻系數，可確保30A額定電流下的高效散熱表現，在嚴苛工作環境中保持長期穩定運行。同時它還是意法半導體第二代IH系列首款1
2025-07-28 07:29:003534 化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發生這類問題）ROHM通過開發不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發揮了開關性能的優勢實現了Si IGBT很難實現的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯組成了1個開關
2018-11-27 16:38:39
。SiC半導體的功率元器件SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量產出貨，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模塊也于2012年＊1實現量產。此時，第二代
2018-11-29 14:39:47
解決方案·低壓伺服驅動解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會議程
▌參會福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報名預約【意法半導體工業峰會2023
2023-09-11 15:43:36
意法半導體已將其 STM32Cube.AI 機器學習開發環境放入云中，并配有可云訪問的意法半導體MCU板進行測試。這兩個版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
μA，故該芯片對低功耗電池供電系統非常有吸引力。其中還嵌入了多項安全特性以保護代碼，并有一個硬件加速器用于加密功能。 使用場景的選擇 第二代可穿戴設備有很多用途。傳感器可以集成到智能手表中，但包括
2018-09-21 11:46:21
AN15261基于CYWUSB6934將無線USB LS設計移植到無線USB LP。第二代無線電具有第一代無線電中不存在的其他強大功能：更高的傳輸比特率，更低的接收靈敏度，更高的最大發射功率，專用的發送和接收緩沖器以及自動CRC
2019-07-19 09:05:47
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
第二代導航衛星系統與第一代導航衛星系統在體制上的差別主要是：第二代用戶機可免發上行信號，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛星單程測距信號自己定位，系統的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
SiC-MOSFET的量產。SiC功率模塊已經采用了這種溝槽結構的MOSFET，使開關損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術規格書的規格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
包括車載在內的各種應用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當前的SiC-SBD?反向恢復時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮
2018-12-04 10:26:52
。 最后，與IGBT相比，功率MOSFET的通態損耗低，尤其是在低電流時更為顯著;關斷能耗低，但導通能耗較高。加快體硅二極管的反向恢復速度與所用技術工藝有關。 3 意法半導體的電機控制功率開關技術 為
2018-11-20 10:52:44
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
求分享USB3.1第二代應用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
白皮書
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書中，我們討論了最新一代超低抖動三次泛音晶體振蕩器的特點、優勢、性能和特性，這些振蕩器旨在為各種高速應用提供穩定準確的時鐘信號
2023-09-13 09:51:52
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
iPod nano(第二代)功能指南手冊
2009-12-10 15:27:12
106 在逐點晶晰第二代技術的基礎上，飛利浦又發展了高清逐點晶晰第二代，提高了一倍的畫面處理能力，
2006-04-15 22:38:09831 TinySwitch II系列第二代微型單片開關電源的原理
TinySwitch?II系列是美國PI（PowerIntegrations）公司繼TinySwitch之后，于2001年3月新推出的第二代增強型隔離
2009-06-30 16:40:383540 
日本第二代蓄電池產業及綜合對策
2009年11月6日8:32:09
網易財經訊 據商務部消息，畜電池是將風力發電、太陽能發電等納入供電系統的第二代電網——智能電網所
2009-11-06 08:32:15689 恩智浦推出第二代車載網絡CAN/LIN系統基礎芯片UJA107x系列
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）今日推出其第二代車載網絡CAN/LIN系統基礎芯片（SBC）——UJA107x產品系列。UJA107
2009-11-16 08:43:241463 飛思卡爾第二代觸摸感應控制器，具有更高的內部智能
飛思卡爾不久前宣布推出第二代觸摸感應控制器：MPR121。這是飛思卡爾繼MPR03x系列器件之后推出的第二代觸摸感
2010-01-06 10:43:311419 黑莓Tour第二代定名9650 即將發布
RIM黑莓Tour 9630早在去年7月份就正式上市，近日關于第二代Tour的消息也開始在網上出現。RIM今天終于
2010-01-30 09:33:35844 Tensilica日前發布第二代基帶引擎ConnX BBE16
Tensilica日前發布第二代基帶引擎ConnX BBE16，用于LTE(長期演進技術)及4G基帶SoC(片上系統)的設計。ConnX BBE16的16路MAC(乘數累加器)
2010-02-23 10:20:141018 Cegedim Relationship Management日前宣布全面推出第二代MI for iPad。MI for iPad是該公司利用iPad的優點針對生命科學行業設計的客戶關系管理(CRM)解決方案
2011-04-18 10:11:511321 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體推出第二代近距離通信（NFC）控制器。意法半導體表示，配合豐富的安全單元產品組合，新款IC將加快全新的智能手機安全非
2012-05-25 10:46:552870 
羅姆日前發布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產品（圖1）。特點是與該公司第一代產品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531938 恩智浦半導體近日發布了NTAG21x系列——公司第二代NFC標簽IC產品——進一步拓寬OEM廠商、嵌體客戶及終端用戶的NFC標簽部署范圍。
2012-11-08 10:31:471630 谷歌第二代無人駕駛車原型車近期在加州山景城（Mountain View）的電腦歷史博物館（Computer History Museum）展出。這輛第二代無人車是基于白色雷克薩斯RX 450H混合
2014-06-13 09:48:1811388 有消息稱，美國多家經銷商近日下調了 Apple Watch 的價格，參考過去發生在蘋果產品身上的更新規律，這被業界認為是第二代產品即將到來的征兆。
2016-08-29 09:55:481284 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 近日華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經宣布量產，是在第一代的基礎上實現了多方面的技術提升。目前，90nm G2 eFlash已實現了高良率的穩定量產，標志著華虹半導體在特色化嵌入式閃存技術上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461762 GlobalFoundries的FD-SOI技術已經略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導體（ST）的大單進補，在第二代FD-SOI技術解決方案領域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 近日，國際領先的定制化芯片設計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應商——燦芯半導體有限公司對外宣布推出基于SMIC40LL工藝的第二代DDR低功耗物理層IP，該IP與第一代的低功耗DDR PHY相比面積減少20%。
2018-03-17 10:43:398321 FPGA第二代開發板原理圖
2018-04-23 14:45:4679 本文首先分別對第一代半導體材料、第二代半導體材料和第三代半導體材料進行了概述，其次介紹了第三代半導體材料應用領域及我國第三代半導體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17152618 2018年10月10日，華虹半導體有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產，該平臺具有導通電阻低、高壓種類全、光刻層數少等優勢，對于工業控制應用和DC-DC轉換器等產品是理想的工藝選擇。
2018-10-16 15:41:179230 SiC功率器件大勢所趨，國際巨頭競相布局，全球領先的半導體供應商意法半導體擬通過并購整合進一步擴大SiC產業規模。日前，意法半導體宣布，公司已簽署協議，收購瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商
2019-04-06 16:41:362673 從材料專業知識和工藝工程，到SiC MOSFET和二極管設計制造，意法半導體加強內部SiC生態系統建設。
2019-12-03 16:36:551288 意法半導體推出兼容低功耗藍牙5.0標準的STEVAL-IDB008V1M評估板，可加快使用了基于意法半導體第二代低功耗藍牙系統芯片（SoC）BlueNRG-2的模組的應用開發速度。
2020-06-23 10:42:023483 直播時間 2020年9月10日上午1030 直播主題 意法半導體SiC產品及其工業應用指南 直播介紹 意法半導體在SiC產品上有超過20年的經驗，為客戶帶來了SiC Diode / MOSFET
2020-09-09 13:44:413263 半導體公司，而這次華為瞄準的卻是第二代半導體材料。在半導體材料領域一般劃分成三代，第一代半導體材料是以硅為主導，第二代則是以砷化鎵、磷化銦為代表，第三代則是以氮化鎵和碳化硅為主導。而此時華為哈勃“被迫營業”，
2021-01-27 16:13:403007 
中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術的樣機。
2021-02-24 11:41:082738 UG-1780：快速平臺第二代用戶指南
2021-05-18 11:26:204 CREE第二代SiCMOSFET驅動電路原理圖及PCB板設計電路原理圖光耦隔離電路和功率放大電路原理圖隔離電源電路原理圖PCB layout第一層layout第二層layout（負電層）第三層
2021-11-08 14:51:0157 燧原科技是國內首家發布第二代人工智能訓練及推理產品組合的公司。請問燧原科技分別于何時發布了第一代和第二代產品？（單選題）
2021-12-13 14:59:213271 意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業應用
2022-01-17 14:13:294628 [RZ/Five] RZ/G 系列，第二代用戶手冊概述：硬件
2023-01-09 19:08:230 ZMOD4410 數據表附錄 - IAQ 第二代：附加特性
2023-01-12 18:43:290 什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二
2023-02-21 10:16:473720 顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產品，第四代產品目前還沒有推出。溝槽型是發展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:393149 然而不知不覺中，現在這套電驅系統已經升級到了第二代，除了結構上的變化，部分零部件也采用了全新的設計，借著這次試駕名爵 eHS 的機會，我了解到了第二代 EDU 的一些細節信息，下面跟大家分享。
2023-03-24 10:53:314387 Arasan Chip Systems是移動和物聯網SoC半導體IP的領先供應商，今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC設計的第二代MIPI D-PHY IP。
2023-05-19 14:51:221207 第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光儲一體機，將會比上一代器件在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面性能更加出色。
2023-06-12 14:58:361004 [RZ/Five] RZ/G 系列，第二代用戶手冊概述：硬件
2023-06-30 18:54:160 ZMOD4410 數據表附錄 - IAQ 第二代：附加特性
2023-07-03 18:35:080 堅實基礎，同時也標志著瞻芯電子碳化硅晶圓廠邁進新的階段。 產品特性 瞻芯電子開發的第二代SiC MOSFET產品驅動電壓(Vgs)為15-18V，
2023-08-21 09:42:122839 
? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? ?? 意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅 （ SiC ） 功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現
2023-09-07 08:10:011443 
材料領域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:276881 
功率密度、非常緊湊的設計和簡化的裝配過程。該產品系列為系統設計人員提供了四件裝、六件裝和圖騰柱配置的選擇，以提高其靈活性。 這些模塊包括1,200V SiC電源開關，采用意法半導體尖端的第二代和第三代SiC MOSFET技術，以確保最小的RDS(on)值。這些器件以最小的溫度依賴性
2023-10-26 17:31:321801 泵、空調等汽車系統，產品優點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統設計靈活性。 ? 新模塊內置1200VSiC功率開關管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術確保碳化硅開關管具有很低的導通電阻RDS(o
2023-10-30 16:03:101264 SiC功率開關，利用意法半導體最先進的第二代和第三代SiC MOSFET技術，確保低 RDS(開)值。這些器件
2023-11-14 15:48:491784 今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術。
2024-01-19 09:48:161631 
近期，科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141888 3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:241748 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 第二代SiC碳化硅MOSFET關斷損耗Eoff
2024-06-20 09:53:401443 
PowerMasterSemiconductor推出了第二代1200VeSiCMOSFET，以滿足直流電動汽車充電站、太陽能逆變器、儲能系統(ESS)、電機驅動器和工業電源等一系列應用對更高效率、高
2024-07-17 10:53:00116088 
TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關。驅動電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI
2024-09-05 08:03:27985 
意法半導體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術，標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術，在能效、功率密度和穩健性方面均樹立了新的市場標桿，將為汽車和工業市場帶來革命性的改變。
2024-10-10 18:27:331619 意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195 近日，AMD（超威，納斯達克股票代碼：AMD ）今日宣布推出第二代 AMD Versal Premium 系列，這款自適應 SoC 平臺旨在面向各種工作負載提供最高水平系統加速。第二代 Versal
2024-11-13 09:27:161423 新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技術的優勢為
2024-11-29 01:03:07830 在《意法半導體新能源功率解決方案：從產品到應用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對其在相關領域的應用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501643 
安建半導體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產品平臺，融合國內尖端技術與設計，開創功率密度新高度，在開關特性和導通電阻等關鍵參數方面達到行業巔峰，助力高效能源轉換和低能耗運行
2025-02-07 11:26:421582 
2025年4月16日，在上海舉行的三電關鍵技術高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發布了第二代車規主驅SiC MOS 1200V 13mΩ產品，性能達到國際頭部領先水平。
2025-04-17 17:06:401385 致力于提供高品質汽車驅動芯片和高品質工業模擬芯片供應商上海類比半導體技術有限公司（下稱“類比半導體”或“類比”）宣布推出全新第二代高邊開關芯片HD8004，單通道低內阻4.3mΩ產品。
2025-05-21 18:04:201179 
采用TO-LL封裝的意法半導體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設計元素共同實現了出色的開關性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線則可幫助設計人員進一步降低開關損耗。
2025-06-09 09:57:38859 致力于提供高品質汽車驅動芯片和高品質工業模擬芯片供應商上海類比半導體技術有限公司（下稱“類比半導體”或“類比”）宣布推出全新第二代高邊開關芯片HD80012，單通道低內阻1.2mΩ產品。
2025-07-02 15:19:401138 
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業級與車規級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術，在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該器件在圖騰柱
2025-07-28 17:06:08842 新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
2025-11-24 17:05:151203 新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關損耗與低通態電阻等優勢，同時有助于優化系統成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13326 車載充電機（On-Board Charger，簡稱為OBC）的基本功能是：電網電壓經由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車載充電機，給車載動力電池進行慢速充電。基本半導體第二代SiC碳化硅
2023-08-17 10:07:23
電子發燒友App
工商網監
評論