近日，意法半導體公司宣布，將推出一種基于18納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI)技術的新進工藝，這一技術還配備了嵌入式相變存儲器(ePCM)，意在為下一代嵌入式處理設備提供強大支持。該技術是意法半導體與三星代工廠合作研發的成果，它將大幅提升嵌入式處理應用的性能和功耗效率，同時還能實現更大的內存容量和更高水平的模擬與數字外設集成。

意法半導體微控制器、數字IC和射頻產品部總裁Remi El-Ouazzane表示，意法半導體一直走在半導體行業創新的前列，特別是在為汽車和航空航天應用提供FDSOI和PCM技術方面。現在，他們準備邁出下一步，從下一代STM32微控制器開始，把這些技術的優勢帶給工業應用的開發者們。

與目前采用的ST 40nm嵌入式非易失性存儲器(eNVM)技術相比，新的18nm FD-SOI技術搭載ePCM，將在以下方面實現顯著提升：

1.功耗比提高超過50%;

2.非易失性存儲器(NVM)密度提高2.5倍，能實現更大的片上存儲；

3.密度提升三倍，可集成人工智能和圖形加速器等數字外設，以及最先進的安全功能；

4.無線MCU的射頻性能得到3dB的系數改善。

此外，這項技術還能夠在3V電壓下運行，支持電源管理、復位系統、時鐘源和數字/模擬轉換器等模擬功能，是目前20納米以下唯一能支持此功能的技術。它還憑借強大的高溫操作、輻射硬化和數據保留功能，在汽車應用中已獲驗證，為工業應用提供了所需的可靠性。

新技術支持的微控制器將為開發人員帶來高性能、低功耗和大內存容量的無線MCU，以滿足邊緣人工智能處理、多協議射頻堆棧、無線更新和高級安全功能不斷增長的需求。這將使得當前使用微處理器的開發人員能夠選擇更高集成度、更具成本效益的微控制器，進一步提升超低功耗設備的能效。意法半導體的這一新產品組合將進一步鞏固其在行業中的領先地位。

預計首款基于新技術的STM32微控制器樣品將在2024年下半年提供給選定客戶，計劃于2025年下半年開始投入生產。