縮減硅工藝的可怕競爭，最近又難倒了一位參賽選手。格羅方德（GlobalFoundries）今日宣布，它將無限期地暫停 7nm LP 工藝的開發，以便將資源轉移到更加專業的 14nm 和 12nm
2018-08-28 09:24:20
5192 今年對于格芯來說，是其轉型開始的重要一年。 8月份，格芯宣布將擱置7納米FinFET項目，并調整相應研發團隊來支持強化的產品組合方案。同時，格芯為了更好地施展格芯在ASIC設計和IP方面的強大背景
2018-11-01 09:57:391950 延續7納米制程領先優勢，臺積電支援極紫外光(EUV)微影技術的7納米加強版(7+)制程將按既定時程于3月底正式量產，而全程采用EUV技術的5納米制程也將在2019年第2季進入風險試產。 據了解，獨家
2019-02-13 10:08:155233 延續7納米制程領先優勢，臺積電支持極紫外光(EUV)微影技術的7納米加強版(7+)制程將按既定時程于3月底正式量產，而全程采用EUV技術的5納米制程也將在2019年第2季進入風險試產。
2019-02-14 00:06:002519 生產線比其他代工廠的生產線要小得多。 中芯國際的前代制造技術為28納米，因此14納米工藝切實提高了晶體管密度，提高了性能，并降低了功耗，這自然使該公司能夠生產更復雜，更昂貴的芯片，而這些芯片原本可以外包給更大的競爭對手。 目前，中芯國際在其300毫米晶
2019-11-19 10:40:267769 那么20納米的平面型晶體管還有市場價值么？這是一個很好的問題，就在此時，在2013年初，20nm的平面型晶體管技術將會全面投入生產而16納米/14納米 FinFET器件的量產還需要一到兩年，并且還有
2013-03-15 09:02:542671 
Cadence設計系統公司（Cadence Design Systems， Inc.）（納斯達克代碼：CDNS）今日宣布與TSMC簽訂了一項長期合作協議，共同開發16納米FinFET技術，以其適用于
2013-04-09 11:00:051123 格羅方德表示2015年推出10納米，此進度比臺積電領先兩年，也比英特爾2016年投入研發還領先一年。
2013-04-28 09:11:361210 我們的FinFET制程分為兩個世代，包括14納米和7納米。過去我們的14納米是和三星電子（Samsung Electronics）合作，在7納米上我們選擇不同技術，加上收購IBM資產后，我們的研發資源變廣，因此決定自己開發7納米制程技術。
2016-11-03 09:17:281902 12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現實到高端智能手機、網絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用。 這項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高
2017-09-25 16:12:369306 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器（eMRAM）技術。作為業界最先進的嵌入式內存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領域、工業控制器、數據中心、物聯網及汽車等廣泛應用提供優越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業界領先的存儲
2017-09-25 17:21:098685 美國加利福尼亞圣克拉拉，2017年9月20日 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務器系統處理器定制的量產14納米高性能（HP）技術。這項雙方共同開發的工藝
2017-09-27 11:11:2910466 格芯各類技術與解決方案，覆蓋主題十分廣泛，包括FDX?設計和生態系統、IoT，5G/網絡和汽車解決方案智能應用，FDX?、FinFET和射頻技術，嵌入式內存解決方案和主流平臺等。
2017-10-24 10:12:247800 美國加利福尼亞州圣克拉拉及中國上海，（2017年11月15日）——格芯（GLOBALFOUNDRIES）及上海復旦微電子集團股份有限公司今日宣布，已通過使用格芯55納米低功率擴展(55LPx) 技術
2017-11-16 14:31:5313706 制程進度，共同執行長趙海軍表示，先進制程14納米FinFET將于2019年量產，第二代28納米HKMG制程也會于2018年底問世，外界都睜大眼睛等著檢視成績單。 中芯國際15日的線上法說中，仍是由趙海軍主持會議，梁孟松僅簡短發言，代表加入新團隊后的首次現“聲”，也滿
2017-11-27 16:29:531679 根據供應鏈傳出的消息指出，中國大陸最大的晶圓代工廠中芯國際，目前最新的14納米FinFET制程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準。因此，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠了。
2018-06-15 14:09:469752 8月30日，中芯國際發布2018年中期業績，收入同比增長11.5%至17.22億美元；毛利同比增長5.6%至4.38億美元。中芯國際在14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。中芯國際的第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段。
2018-08-31 14:44:336228 晶圓代工大廠格芯宣布，旗下最先進的FinFET解決方案“12LP+”，已通過技術驗證，目前準備在紐約州馬爾他的Fab 8進行生產，預計在今年下半年進行試產。
2020-07-06 10:06:054198 這款測試芯片是業界首款采用12納米FinFet（FF）技術為音頻IP提供完整解決方案的產品。該芯片完美結合了高性能、低功耗和優化的占板面積，為電池供電應用提供卓越的音質與功能。這款專用測試芯片通過
2024-02-22 14:46:181424 
2013年韓國首爾納米技術展NANO KOREA2013年韓國納米展 韓國納米展 首爾納米展新材料展 微電子技術展 精密陶瓷展展會時間:2013年7月 10-12日主辦單位：韓國納米組織委員會 韓國
2013-02-24 13:52:34
Finfet技術（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
的日常防護需求。尤其適合對手機，智能穿戴設備做整機處理，并可達到IPX7的專業防水等級。特點：具有防水、耐腐蝕，導電性能。 主要工藝：在真空狀態，一定條件納米材料形成氣體沉積在產品表面。360°無死角
2018-09-19 13:34:06
`納米防水技術還在推廣當中。很多人沒接觸過。納米技術的防水、防潮，耐腐蝕。技術的應用的比較廣，比如音響喇叭網，容易吸潮，納米鍍膜后完全不會吸潮。對音質測試完全無影響。藍牙耳機耐汗耐腐蝕。鞋子防水抗濺，莫高檔品牌已經在做了。LED防水防潮等等。`
2018-09-21 15:26:09
XP3358是一款數字高性能單級高PF(PF>0.9)恒壓(V)控制芯片適用于反(Fyback)或升降壓(buck-boost)電源拓撲。芯格諾專利的數字控制算法使得XP3358具備
2023-08-11 16:32:14
`7納米芯片一直被視為芯片業“皇冠上的珍珠”，令全球芯片企業趨之若鶩。在大家熱火朝天地競相布局7納米工藝時，全球第二大的芯片大廠GlobalFoundries（格羅方德，格芯，以下簡稱GF）突然宣布
2018-09-05 14:38:53
蘋果晶圓代工龍頭臺積電16納米鰭式場效晶體管升級版（FinFET Plus）將在明年1月全產能量產，搭配整合型扇出晶圓尺寸封裝（InFO WLP）的系統級封裝（SiP）技術，在x86及ARM架構64位
2014-05-07 15:30:16
`AGM（傲格芯），成立于2012年，是國內領先的提供可編程邏輯SOC芯片的半導體集成電路，AGM自有編譯全套軟件，（包括自有的synthesis,place,route,timing
2020-09-01 15:01:39
隨著智能家居技術的不斷進步，即熱式熱水器作為現代家庭中的重要組成部分，正逐漸向智能化、節能化方向發展。本方案通過采用武漢芯源半導體的CW32F030系列單片機，以其高性能、超強抗干擾等特性，為即熱式
2024-06-06 14:17:47
。公司主要投資人帶領的科研工作組從事新材料、納米技術的研究已有十幾年的時間，并在納米基礎材料的研究中取得了一系列的成果。研制開發了幾項在國內外領先的產品技術，具有完全自主知識產權?，F已擁有5項授權專利
2011-11-12 09:57:00
的芯片代工業務，隨著電子行業的競爭升級，我們將能看到更多省電又輕薄的手機。比如目前全球領先芯片制作商都在追的10nm線程，不僅如此，廠商們還把目光投向7納米甚至是5納米，相信不久的將來會有更精湛的產品呈現在我們面前。敬請期待吧！
2016-12-16 18:20:11
，并以此為資本爭奪下一代iPhone的芯片代工業務，隨著電子行業的競爭升級，我們將能看到更多省電又輕薄的手機。比如目前全球領先芯片制作商都在追的10nm線程，不僅如此，廠商們還把目光投向7納米甚至是5納米，相信不久的將來會有更精湛的產品呈現在我們面前。敬請期待吧！
2016-06-29 14:49:15
1、引言自1991年日本Iijima教授發現碳納米管以來，納米技術吸引了大量科學家的興趣和研究，是目前科學界的研究熱點。基于碳納米管獨特的電學特性，提出了利用碳納米管陣列構筑新型天線和傳輸線的設想
2019-05-28 07:58:57
中芯國際將45納米工藝技術延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約
2009-10-15 08:22:441035 中芯國際65納米技術國際領先
虎年春節，寧先捷終于和家人一起過了年。身為中芯國際集成電路制造(北京)有限公司技術開發中心負責人，他此
2010-03-23 11:10:161260 該14納米產品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級工藝節點上開發系統級芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術以14納米標準設計的SoC能夠大幅降低功耗。 這
2012-11-16 14:35:551642 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術。
2013-02-20 23:04:308361 全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于臺積電16納米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知識產權）。
2014-05-21 09:44:543163 FastSPICE? （AFS） 平臺。除此之外，Calibre 和 Analog FastSPICE 平臺已可應用在基于TSMC 7 納米 FinFET 工藝最新設計規則手冊 （DRM） 和 SPICE 模型的初期設計開發和 IP 設計。
2016-03-24 11:13:191110 12月13 日，格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分，FX-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。
2016-12-15 14:03:261971 加利福尼亞，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其基于7納米FinFET工藝技術的FX-7TM專用集成電路（ASIC）。FX-7是一個集成式設計平臺，將先進的制造工藝技術與差異化
2017-06-14 16:35:073033 加利福尼亞，圣克拉拉（2017年8月9日）——格芯今日宣布推出2.5D封裝解決方案，展示了其針對高性能14納米FinFET FX-14?ASIC集成電路設計系統的功能。
2017-08-14 17:46:541075 賽靈思、Arm、Cadence和臺積公司今日宣布一項合作，將共同構建首款基于臺積7納米FinFET工藝的支持芯片間緩存一致性（CCIX）的加速器測試芯片，并計劃在2018年交付
2017-09-23 10:32:124604 賽靈思、Arm、Cadence和臺積公司今日宣布計劃在 2018 年交付 7 納米 FinFET 工藝芯片。這一測試芯片旨在從硅芯片層面證明 CCIX 能夠支持多核高性能 Arm CPU 和 FPGA 加速器實現一致性互聯。
2017-09-25 11:20:207378 半導體行業觀察：全球第二大晶圓代工廠格芯半導體股份有限公司宣布，正式啟動建設12英寸晶圓成都制造基地 關鍵詞：格芯
2017-10-24 15:48:4310095 在2011年初，英特爾公司推出了商業化的FinFET，使用在其22納米節點的工藝上［3］。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術。由于FinFET具有功耗低
2018-07-18 13:49:00123257 
格芯之前跳過 20 納米及 10 納米制程節點，直接進入 14 納米及 7 納米制程節點，14 納米制程穩定量產，而 7 納米制程預計在 2018 年底前量產。制程進展從合作伙伴 AMD 得到的反應都還不錯，可讓 AMD 的 Zen 2、Zen 3 架構處理器按計劃執行生產。
2018-05-18 15:27:085516 中芯國際最新的14納米FinFET制程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到95%的水準，距離2019年正式量產的目標似乎已經不遠
2018-07-06 15:23:524048 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem獲聯華電子（UMC）的先進14納米FinFET制程技術認證。ANSYS和聯電透過認證和完整套裝半導體設計解決方案，支援共同客戶滿足下一代行動和高效能運算（HPC）應用不斷成長的需求。
2018-07-17 16:46:004095 與上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝在減少30%芯片尺寸基礎上，實現性能提升27%或高達40%功耗降低。讓OEM廠商能夠在即將發布的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。
2018-07-22 11:13:495153 根據外媒報導，晶圓代工大廠格芯（Globalfoundries）技術長Gary Patton日前表示，格芯將在2018年底推出7納米制程，并且將于2019年大規模量產。Gary Patton指出，格
2018-08-06 11:01:003565 中芯國際14納米FinFET技術獲得重大進展 8月9日，中芯國際公布了在14納米FinFET技術開發上獲得的重大進展。第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段。除了28納米PolySiON和HKC，28納米HKC+技術開發也已完成。28納米HKC持續上量，良率達到業界水平。
2018-08-18 10:31:004587 8月28日，全球第二大晶圓代工芯片制造商GlobalFoundries（以下簡稱格芯）宣布將擱置7nm FinFET項目，以支持公司戰略調整。集邦咨詢研究經理林建宏認為，這對全球晶圓格局影響有限，當下全球7nm代工晶圓市場以臺積電為首的格局已定，即便如此，格芯停產對臺積電并非完全有利。
2018-08-30 16:22:002274 晶圓代工大廠格芯在28日宣布，無限期停止7納米制程的投資與研發，轉而專注現有14/12納米FinFET制程，及22/12納米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002751 全球半導體先進制程競賽，臺積電的對手又有一名退出。全球最大半導體芯片制造商之一格芯（Globalfoundries）已決定退出開發最先進生產技術的爭奪戰，電子業對臺積電的倚賴將進一步加深。
2018-08-28 15:26:002931 Globalfoundries（簡稱格芯）公司今天宣布無限期停止7nm工藝的投資研發，轉而專注現有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝?？紤]到格芯這幾年來營收及盈利狀況
2018-08-29 15:13:003967 全球第二大半導體晶圓代工廠格芯宣布，將在7納米FinFET先進制程發展無限期休兵。聯電之后半導體大廠先進制程競逐又少一家，外界擔憂將對全球代工晶圓產業造成什么影響，集邦咨詢（TrendForce）針對幾個面向進行分析。
2018-08-31 15:12:004163 據報道，晶圓代工大廠格芯宣布退出7 納米，市場以利多解讀臺積電后市，異康集團及青興資本首席顧問楊應超指出，從先進制程競爭來說，臺積電確實是受惠者，然而大廠退出市場，也反映半導體高成長不再。
2018-08-31 14:19:053811 格芯方面表示，他們正在重新部署具備領先優勢的FinFET發展路線圖，以服務未來幾年采用該技術的下一波客戶。公司將相應優化開發資源，讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用，提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043646 提供7納米及以下的晶圓代工替代選項，讓ASIC業務部與更廣泛的客戶展開合作，特別是日益增多的系統公司，他們需要ASIC服務同時生產規模需求無法僅由格芯提供。
2018-08-31 16:18:284490 全球第二大晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）昨（28）日意外宣布，將無限期擱置7納米計劃。
2018-08-31 17:32:193223 （GLOBALFOUNDRIES）今天宣布其轉型的重要一步，繼今年初湯姆·嘉菲爾德（Tom Caulfield）接任首席執行官后，格芯正在重塑其技術組合，依照嘉菲爾德所闡述的戰略方向，重點關注為高增長市場中的客戶提供真正的差異化產品。 格芯正在重新部署具備領先優勢的FinFET發展路線圖，以服務未來幾年采用該技術的下
2018-09-03 07:41:01477 美國晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）退出7納米競賽后，知情人士消息證實，超微正與格芯重談晶圓供給協議（Wafer Supply Agreement，WSA）。
2018-09-10 10:08:004134 8月底，全球第二大晶圓代工廠格芯（Globalfoundries，“GF”）宣布退出7納米及以下先進制程的研發與投資，這是繼聯電之后，第二家宣布放棄10納米以下制程的半導體公司。雖然放棄7納米及以下
2018-09-27 16:14:005049 關鍵詞：格芯 , FinFET 功能豐富的半導體平臺為下一代計算應用提供具有競爭力的性能和可擴展性 格芯今日在其年度全球技術大會(GTC)上宣布計劃在其14/12nm FinFET產品中引入全套
2018-10-04 00:09:01415 著名的美國半導體企業格羅方德半導體股份有限公司Global Foundries宣布，將放棄未來7納米技術的研發，這意味著未來參與 7 納米戰局的芯片大廠只剩英特爾、三星和臺積電三家。
2018-10-28 09:38:176115 8月份，格芯宣布將擱置7納米 FinFET項目，并調整相應研發團隊來支持強化的產品組合方案。同時，格芯為了更好地施展格芯在ASIC設計和IP方面的強大背景和重大投資，將建立獨立于晶圓代工業務外的ASIC業務全資子公司。
2018-11-01 09:25:241376 關鍵詞：22FDX , AI芯片 , FD-SOI 近日，云天勵飛以及瑞芯微電子宣布，它們采用格芯22FDX技術自主研發設計的AI芯片成功流片。2018年7月，格芯宣布其22FDX技術憑借優良性能
2018-11-05 16:31:02500 三個月前，晶圓代工大廠格芯突然宣布擱置7納米FinFET項目，業內嘩然。在臺積電、三星等競爭對手正在努力搶占7nm制程市場之時，格芯為何作出此舉？放棄7nm制程后，格芯未來的路又將走向何方？這是業界關心的問題。
2018-12-03 14:30:563452 如果中芯國際能夠批量生產14納米FinFET場效應晶體管，并且，進一步向前推進“半世代”工藝12納米，那么將使中芯與競爭對手并駕齊驅，甚至超前，居于國內晶圓代工的領先地位。尤其，臺積電受限于登陸投資，工藝卡位在16納米，那么12納米對于中芯而言，就具備地利優勢。
2019-02-20 15:58:036232 日前，業界再度傳出晶圓代工廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）正在為其新加坡Fab 7廠尋找買家。對此，格芯今天官方作出回應。
2019-03-15 15:54:283042 4月16日，三星官網發布新聞稿，宣布已經完成5納米FinFET工藝技術開發，現已準備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233799 值得注意的是，去年6月，格芯開始全球裁員，在建的成都12寸晶圓廠項目招聘暫停。去年8月，格芯宣布無限期停止7nm工藝的投資研發，轉而專注現有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2019-04-24 16:23:214152 在昨日的財報說明會上，中芯國際聯席首席執行官，趙海軍博士和梁孟松博士說：“中芯國際在14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段。除了28納米PolySiON和HKC，我們28納米HKC+技術開發也已完成。
2019-08-30 16:07:447804 格芯指出，新開發出基于ARM架構的3D高密度測試芯片，是采用格芯的12納米FinFET制程所制造，采用3D的ARM網狀互連技術，允許資料更直接的傳輸到其他內核，極大化的降低延遲性。而這樣的架構，這可以降低資料中心、邊緣運算以及高端消費者應用程式的延遲，并且提升數據的傳輸速度。
2019-08-12 16:36:543247 才與臺積電進行專利訴訟官司和解，并簽訂10年交互授權協議的晶圓代工大廠格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布，與IC設計廠SiFive正在合作研發將高頻寬存儲器（HBM2E）運用于格芯最近宣布
2019-11-06 15:59:553626 據中國臺灣消息報道，中國大陸芯片代工廠商中芯國際已經從競爭對手臺積電手中，奪得華為旗下芯片企業海思半導體公司的14納米FinFET工藝的芯片代工訂單。
2020-01-14 15:31:433455 關注半導體產業的臺灣《電子時報》（DigiTimes）1 月 13 日報道稱，中國大陸芯片代工廠商中芯國際擊敗臺積電，奪得華為旗下芯片企業海思半導體公司的 14 納米 FinFET 工藝芯片代工訂單。
2020-01-16 09:00:016363 三星日前簡要介紹了GAAFET中核心技術MCBFET（多橋溝道場效應晶體管），基于它打造的3nm芯片，相較于7nm FinFET,可以減少50%的能耗，增加30%的性能。
2020-04-15 09:12:363882 臺積電3納米將繼續采取目前的FinFET晶體管技術，這意味著臺積電確認了3納米工藝并非FinFET技術的瓶頸，甚至還非常有自信能夠在相同的FinFET技術下，在3納米制程里取得水準以上的良率。這也代表著臺積電的微縮技術遠超過其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:233682 7月3日消息，作為先進的特色工藝半導體代工廠，格芯? （GF?） 近日宣布其先進的FinFET解決方案12LP+已完成技術認證，準備投入生產。12LP+是格芯推出的差異化解決方案，針對人工智能（AI
2020-07-06 15:16:562563 宣布為支持公司戰略調整，格芯將擱置7納米FinFET項目，并調整相應研發團隊來支持強化的產品組合方案。一大部分頂尖技術人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產品和其他差異化產品的工作上。 簡單地說：就是 ，哥以后不跟著臺積電玩了，哥要走特色工藝去了。這個官宣
2020-12-02 14:16:273066 據科創板日報報道稱，中芯國際的第二代FinFET已進入小量試產。 科創板中芯國際在互動平臺表示，公司第一代FinFET14納米已于2019年四季度量產；第二代FinFETN+1已進入客戶導入階段
2020-12-04 18:08:152429 中芯國際在互動平臺上回答投資者時表示，第二代FinFET 已進入小量試產。 在回答投資者 近來公司 7 納米產品生產研發進展如何？的問題時，中芯國際表示，公司第一代 FinFET 14nm 已于
2020-12-07 11:23:373352 當我們聊到格芯的時候，行業內的人都知道他們是在全球都名列前茅的晶圓代工廠。在產品線方面，他們不但擁有成熟的平面晶體管制造工藝，還擁有性能優越的FinFET工藝。此外，格芯這些年來還在FD-SOI
2021-02-22 15:45:043114 博世之所以選擇格芯作為下一代毫米波汽車雷達的合作伙伴，是因為格芯在射頻和毫米波特殊工藝半導體代工解決方案方面處于領先地位。格芯22FDX射頻解決方案具備出色的性能、功耗和廣泛的功能集成能力，是汽車雷達的理想半導體解決方案。
2021-03-17 10:08:382563 上海天數智芯半導體今日正式發布全自研高性能云端7納米芯片BI及產品卡，實現國產高性能GPGPU歷史上的突破。
2021-03-31 16:01:034270 擁有一套經過自身驗證的芯片設計流程和法則，是世芯成功的關鍵。它不僅能優化功耗、性能和面積的設計，同時還能符合客戶嚴格的流片計劃要求。世芯完整的7/6/5納米設計能力包括大規模芯片設計里必要的分區和簽核、測試設計流程
2022-04-14 14:39:401697 5納米芯片相比7納米芯片的工藝技術要求更高、更好更低、性能更好。芯片工藝中5nm和7nm的兩個數值，代表的是芯片晶體管導電溝道的長度。
2022-06-29 17:00:3930825 據悉，臺積電在本次技術論壇上主要透露以下三點信息：一是半導體產業正發生三大改變;二是低端芯片短缺成為供應鏈瓶頸;三是3納米量產在即，2納米2025年量產。
2022-09-06 16:00:204177 的新一代S32區域處理器和通用汽車MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領先汽車處理企業恩智浦半導體宣布與臺積電合作交付行業首創的采用16納米FinFET技術的汽車嵌入式MRAM（磁隨機存儲器）。在向軟件定義汽車（SDV）的過渡中，汽車廠商需要在單個硬件平臺上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:021289 今天要介紹的數字后端基本概念是FinFET Grid，它也是一種設計格點。介紹該格點前，我們首先來了解一下什么是FinFET技術。
2023-07-12 17:31:452208 
半導體芯科技編譯 新的解決方案支持提高電源性能和效率、安全性和連接性的需求。 在其年度技術峰會上，格芯（Global Foundries）宣布了其兩個技術平臺的進展，將支持自動駕駛、互聯和電動汽車
2023-09-06 17:38:59827 AutoPro?平臺的一部分，該平臺為格芯的汽車客戶提供廣泛的技術解決方案和制造服務，最大限度地減少認證工作并加快上市時間。該技術的結溫為175℃，適合在極端溫度下管理車輛的關鍵功能。 博世公司汽車電子執行副總裁Jens Fabrowsky表示：“通過在格芯AutoPro平臺上利用這種40納米
2023-12-25 14:49:04948 IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現出近乎兩倍的性能提升。這一成就預計將帶來多項技術進步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導致更強大的芯片類別的開發。
2023-12-26 10:12:551206 ）的功率氮化鎵（GaN）技術及其完整的知識產權組合。此次收購不僅標志著格芯在技術創新領域的又一里程碑，也預示著其在汽車、物聯網及人工智能數據中心等前沿應用市場將實現更為顯著的效率提升與性能飛躍。
2024-07-08 10:10:213349 來源：Silicon Semiconductor 此次技術收購擴展了 GF（格芯） 的電源管理解決方案和差異化路線圖。 GlobalFoundries （格芯）收購了 Tagore
2024-07-08 12:33:011271 上，全面提供可定制化的模擬IP解決方案。這一合作不僅鞏固了Agile Analog在模擬IP設計領域的領先地位，也進一步拓寬了格芯工藝技術的應用邊界。
2024-07-27 14:41:321733 非晶納米晶磁芯是一種具有特殊磁性特性的材料，廣泛應用于電子和電力領域。這種材料的磁性能主要來源于其獨特的微觀結構，即非晶態和納米晶態的結合。 1. 非晶納米晶磁芯的基本概念 非晶納米晶磁芯是一種由非
2024-10-09 09:10:282896 流轉。這家全球第三大晶圓代工廠，正以每月 3 萬片的產能推進 7 納米工藝客戶驗證，標志著中國大陸在先進制程領域的實質性突破。 技術突圍的底層邏輯 中芯國際的 7 納米工藝采用自主研發的 FinFET 架構，通過引入高介電常數金屬柵極（HKMG）和極紫外光刻（EUV）預研技術，將晶體管密
2025-08-04 15:22:2110998
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