国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

格芯擱置7納米FinFET項目!是技術的羈絆,還是成本的考量?

0BFC_eet_china ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-31 16:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天發布新聞稿,宣布其轉型的重要一步。繼今年初湯姆·嘉菲爾德(Tom Caulfield)接任首席執行官后,格芯正在重塑其技術組合,依照嘉菲爾德所闡述的戰略方向,重點關注為高增長市場中的客戶提供真正的差異化產品。

擱置7納米 FinFET項目

文中稱,格芯正在重新部署具備領先優勢的FinFET發展路線圖,以服務未來幾年采用該技術的下一波客戶。公司將相應優化開發資源,讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用,提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創新IP及功能。

為支持此次戰略調整,格芯將擱置7納米 FinFET項目,并調整相應研發團隊來支持強化的產品組合方案。在裁減相關人員的同時,一大部分頂尖技術人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產品和其他差異化產品的工作上。

熟悉格芯產品路線的人應該知道,在2017年6月中旬,格芯宣布他們的7納米FinFET技術測試良率已經達到65%,將于2018年上半年推出第一批客戶產品,并將于2018年下半年實現量產。

格芯官方網站的新聞稿截圖

“客戶對半導體的需求從未如此高漲,并要求我們在實現未來技術創新方面發揮越來越大的作用”。對于這個決定,格芯的信任CEO嘉菲爾德表示,“今天,絕大多數無晶圓廠客戶都希望從每一代技術中獲得更多價值,以充分利用設計每個技術節點所需的大量投資。從本質上講,這些節點正在向為多個應用領域提供服務的設計平臺過渡,從而為每個節點提供更長的使用壽命。這一行業動態導致設計范圍到達摩爾定律外部界限的無晶圓廠客戶越來越少。我們正重組我們的資源來轉變業務重心,加倍投資整個產品組合中的差異化技術,有針對性的服務不斷增長的細分市場中的客戶?!?/p>

嘉菲爾德在今年接受《EETimes》采訪時表示,目前格芯最需要的就是新發展機會。雖然格芯是全世界市占率僅次臺積電的半導體代工廠商,但整體來說營運卻談不上多成功,技術上相較臺積電、三星落后許多,放棄了自家研發的 14 納米 XM 技 術,改用三星 14 納米工藝全套授權,才較穩定提供 AMD 及其他客戶 14 納米工藝產能,整體獲利情況不佳,也是格芯當前亟需改變的地方。

是技術的羈絆,還是成本的考量?

2016年9月,格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中的技術積淀,來研發自己7納米FinFET技術的計劃,該技術于2016年初2月8日在Fab 8晶圓廠中開始生產。當時格芯表示,還將持續投資下一代技術節點的研究與開發。

通過與合作伙伴IBM和三星的密切合作,2015年格芯便宣布推出7納米測試芯片。據官方報道,為了加快7LP的量產進程,格芯還在2017年下半年首次購進兩個超紫外光(EUV)光刻工具,此后,格芯還于去年中宣布推出業內首款基于硅納米片晶體管的5納米樣片。

但格芯CTO兼全球研發高級副總裁Gary Patton 曾透露,在EUV 技術上,格芯的7 納米工藝確實面臨很多挑戰,包括如何進一步提升良率、光罩防塵膜瑕疵等問題,必須努力克服才能投入大規模量產,目標是將良率提高到95%。如今項目的擱置或許也有技術方面的原因。

格芯并不是首家放棄追求7納米工藝的晶圓代工廠商,***財經媒體《財訊》今年早些時候在采訪聯華電子(UMC)總經理王石時,得知他們將“不再投資 12 納米以下的先進工藝”,原因是一直在追趕最先進的工藝,會導致投資成本越來越高,而且還只能跟在臺積電后面。

后續重點關注ASIC和FDX業務

此外,為了更好地施展格芯在ASIC設計和IP方面的強大背景和重大投資,公司正在建立獨立于晶圓代工業務外的ASIC業務全資子公司。相關的ASIC業務需要持續使用最先進的技術。該獨立ASIC實體將為客戶提供7納米及以下的晶圓代工替代選項,讓ASIC業務部與更廣泛的客戶展開合作,特別是日益增多的系統公司,他們需要ASIC服務同時生產規模需求無法僅由格芯提供。

其實相較于FinFET,格芯一直以來都是FD-SOI的堅定支持者,不單因為FD-SOI的光罩成本較FinFET工藝低30%,而且還具有低功耗和支持RF的優點。所以不排除格芯擱置7納米FinFET,是為了把更多精力放在FD-SOI上。

格芯也在新聞稿中稱,正在加強投資具有明顯差異化、為客戶增加真正價值的領域,著重投資能在其產品組合中提供豐富功能的產品。包括繼續側重于FDX?平臺、射頻產品(包括RF SOI和高性能鍺硅)和模擬/混合信號,以及滿足越來越多低功耗、實時連接、車載設計需求的其他技術。

“減輕前沿技術領域的投資負擔將使格芯能夠對物聯網、IoT5G行業和汽車等快速增長市場中對大多數芯片設計員真正重要的技術進行更有針對性的投資,” Gartner研發副總裁Samuel Wang,先生表示,“雖然最先進技術往往會占據大多數的熱搜頭條位置,但鮮少有客戶能夠承擔為實現7納米及更高精度所需的成本和代價。14納米及以上技術將在未來許多年繼續成為芯片代工業務的重要需求及驅動因素。這些領域將有極大的創新空間,可以助力下一輪科技發展狂潮?!?/p>

后記

目前,7納米工藝領域的晶圓代工玩家只剩下臺積電、三星和還在10納米量產時間點上掙扎英特爾,不過英特爾一直強調,他們對于工藝節點的定位更加嚴格,其10納米工藝甚至比臺積電和三星自稱的7納米要好。

而對于他們的客戶——無晶圓廠芯片設計公司來說,能負擔得起7納米工藝代工費的也不算多,除了手機SoC廠商高通、海思、蘋果、聯發科以外,還有老牌半導體巨額英特爾、英偉達、三星、AMD等等。但是在用7納米做這些芯片之前,代工廠們會選擇一些又土豪、產品又好做的廠商來驗證他們的7納米工藝,比如以前的FPGA,和今年的礦機ASIC。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 納米
    +關注

    關注

    2

    文章

    730

    瀏覽量

    42412
  • FinFET
    +關注

    關注

    12

    文章

    260

    瀏覽量

    92256

原文標題:重磅!格芯宣布擱置7納米FinFET項目

文章出處:【微信號:eet-china,微信公眾號:電子工程專輯】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    重磅研究:7nm FinFET 性能優化的隱藏密碼 —— 柵極與鰭片間距調控

    Gate和FinSpaceVariation對應力調制及FinFET性能的影響隨著半導體工藝持續向先進節點演進,圖形化工藝偏差引發的細微效應已成為器件性能優化的核心考量要素。普迪飛
    的頭像 發表于 02-05 16:22 ?1029次閱讀
    重磅研究:<b class='flag-5'>7</b>nm <b class='flag-5'>FinFET</b> 性能優化的隱藏密碼 —— 柵極與鰭片間距調控

    盾時代助力中科院蘇州納米所建立零信任安全架構

    盾時代中標中國科學院蘇州納米技術納米仿生研究所(簡稱:中科院蘇州納米所)!盾時代基于零信任安全理念,構建以“身份”為核心的安全邊界,通
    的頭像 發表于 01-28 09:09 ?640次閱讀

    技術報告 | Gate 和 Fin Space Variation 對應力調制及 FinFET 性能的影響

    技術報告·文末下載報告名稱《Gate和FinSpaceVariation對應力調制及FinFET性能的影響》關鍵詞FinFET7nm技術;
    的頭像 發表于 01-22 15:03 ?471次閱讀
    <b class='flag-5'>技術</b>報告 |  Gate 和 Fin Space Variation 對應力調制及 <b class='flag-5'>FinFET</b> 性能的影響

    技術選型思考:超聲切割核心部件的總成本考量

    企業在選擇核心部件時,通常會先關注采購單價。但對于需要集成到最終產品中的部件,其總擁有成本(TCO)才是更全面的評估維度。對于超聲波切割刀換能器這類精密組件,一些隱性成本容易被忽略,卻會顯著影響項目
    的頭像 發表于 12-29 18:02 ?234次閱讀
    <b class='flag-5'>技術</b>選型思考:超聲切割核心部件的總<b class='flag-5'>成本</b><b class='flag-5'>考量</b>

    國產芯片真的 “穩” 了?這家企業的 14nm 制程,已經悄悄滲透到這些行業…

    最近扒了扒國產芯片的進展,發現中國際(官網鏈接:https://www.smics.com)的 14nm FinFET 制程已經不是 “實驗室技術” 了 —— 從消費電子的中端處理器,到汽車電子
    發表于 11-25 21:03

    電線是多的好還是的好

    的墻內布線、固定設備接線(如空調、熱水器),需長期穩定且不易彎曲。 大電流傳輸:同截面積下,單電線載流量更高,適合工業電機、大型設備等高功率場景。 長距離傳輸:減少導體間接觸電阻,降低能量損耗。 成本敏感項目:在預算有
    的頭像 發表于 09-16 10:20 ?2752次閱讀
    電線是多<b class='flag-5'>芯</b>的好<b class='flag-5'>還是</b>單<b class='flag-5'>芯</b>的好

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導體芯片產業的前沿技術

    工藝中性能與成本的平衡,并縮短較大規模芯片的設計時間,同時降低風險。 產業界將粒做成IP的例子: ①存儲器②光互連③片上網絡④FPGA⑤RISC-V 5)粒研發前沿 粒之間通訊的
    發表于 09-15 14:50

    原榮獲2025年度設計服務合作伙伴獎

    近日,在2025年 (GlobalFoundries) 北美技術峰會上,原獲頒“年度設計服務合作伙伴”獎。這一榮譽充分肯定了原在芯片
    的頭像 發表于 09-09 15:40 ?836次閱讀

    國際 7 納米工藝突破:代工龍頭的技術躍遷與拓能半導體的封裝革命

    流轉。這家全球第三大晶圓代工廠,正以每月 3 萬片的產能推進 7 納米工藝客戶驗證,標志著中國大陸在先進制程領域的實質性突破。 技術突圍的底層邏輯 中國際的
    的頭像 發表于 08-04 15:22 ?1.2w次閱讀

    羅方德推出GlobalShuttle多項目晶圓服務

    羅方德(GlobalFoundries)推出GlobalShuttle多項目晶圓(multi-project wafer, MPW),計劃通過將多個芯片設計項目集成于同一片晶圓上,助力客戶將差異化芯片設計轉化為實際產品,同時無
    的頭像 發表于 07-26 15:27 ?1198次閱讀

    體硅FinFET和SOI FinFET的差異

    三維立體結構成為行業主流。然而在FinFET陣營內部,一場關于“地基材料”的技術路線競爭悄然展開——這便是Bulk Silicon(體硅) 與SOI(絕緣體上硅) 兩大技術的對決。這場對決不僅關乎性能極限的突破,更牽動著芯片
    的頭像 發表于 06-25 16:49 ?2226次閱讀
    體硅<b class='flag-5'>FinFET</b>和SOI <b class='flag-5'>FinFET</b>的差異

    超聲波指紋模組靈敏度飛升!低溫納米燒結銀漿立大功

    超聲波指紋模組靈敏度飛升!低溫納米燒結銀漿立大功 在科技飛速發展的今天,指紋識別技術已經成為我們生活中不可或缺的一部分,宛如一位忠誠的安全小衛士,時刻守護著我們的信息與財產安全。當你早上睡眼惺忪
    發表于 05-22 10:26

    FinFET與GAA結構的差異及其影響

    本文介紹了當半導體技術FinFET轉向GAA(Gate-All-Around)時工藝面臨的影響。
    的頭像 發表于 05-21 10:51 ?3902次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFET</b>與GAA結構的差異及其影響

    FinFET技術在晶圓制造中的優勢

    本文通過介紹傳統平面晶體管的局限性,從而引入FinFET技術的原理、工藝和優勢。
    的頭像 發表于 04-14 17:23 ?1631次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFET</b><b class='flag-5'>技術</b>在晶圓制造中的優勢

    電子榮獲思新能源“聯合創新獎”

    近日,上海瞻電子科技股份有限公司憑借與思新能源在光儲充領域的深度合作,以及在碳化硅(SiC)功率器件領域的技術創新,在思2025全球供應商大會上榮獲 “聯合創新獎”。這一獎項不僅
    的頭像 發表于 03-21 17:05 ?1026次閱讀