世芯電子完整體現了其在先進FinFET（先進鰭式場效電晶體）的技術組合并且成功完成在臺積電7/6/5納米的流片。除了先進 FinFET的技術組合，世芯的ASIC整體設計解決方案更是涵蓋了全方位一流的IP種類和先進封裝技術。世芯在7/6/5納米的ASIC設計上能特別專注于具有數十億邏輯門數的超大規模/尺寸IC設計。這些先進的IC主要用于人工智能、高性能計算、網絡及存儲應用等領域。

擁有一套經過自身驗證的芯片設計流程和法則，是世芯成功的關鍵。它不僅能優化功耗、性能和面積的設計，同時還能符合客戶嚴格的流片計劃要求。世芯完整的7/6/5納米設計能力包括大規模芯片設計里必要的分區和簽核、測試設計流程，以及一套涵蓋了全面系統協同設計簽核的中介層/基板設計的完整2.5D封裝設計流程。

世芯的創新封裝服務也涵蓋信號/電源仿真及熱仿真（SI/PI），能提供即插即用的流片后解決方案，以減少基板層和由此產生的材料成本。這樣產生的7/6/5納米IC具有更精確的功率和熱估算流程，能避免流片后的失敗，在高功率設計中尤其關鍵。

世芯完整的5納米“設計到交付”方法側重于最大限度地縮短設計周期。其中的實體設計像是芯粒（Chiplet）技術平臺、高性能計算IP組合含世芯的D2D APLink IP、IP子系統集成服務，以及最新的2.5D異構封裝技術等。

“世芯的優勢一直是先進工藝芯片設計。在7納米系統芯片項目的設計流片量產上，我們與客戶再次合作并取得了100%的流片成功率。”世芯總裁兼首席執行官沈翔霖表示，“我們的設計和驗證法則乃經過嚴格認證，亦源于我們企業文化一貫秉持的核心服務理念”。

審核編輯 ：李倩