自1980年代中期以來，MOSFET一直是大多數開關電源（SMPS）選擇的晶體管技術。MOSFET用作主開關晶體管，并用作門控整流器來提高效率。本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET做了比較，以便選擇最適合電源應用的開關 。

自1980年代中期以來，MOSFET一直是大多數開關電源（SMPS）首選的晶體管技術。當用作門控整流器時，MOSFET是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。

對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的縮寫。對工程師來說，它代表金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。

由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。同步整流器應用幾乎總是使用N溝道技術，這主要是因為N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過在柵極上施加正電壓導通。

MOSFET多數是載流子器件， N溝道MOSFET在導電過程中有電子流動。P溝道在導電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。

N溝道MOSFET在柵-源極端子上施加適當閾值的正電壓時導通；P溝道MOSFET通過施加給定的負的柵-源極電壓導通。

MOSFET的柵控決定了它們在SMPS轉換器中的應用。例如，N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側開關，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離反激式轉換器。在同步整流器應用以及以太網供電（PoE）輸入整流器中，低側開關也被用來代替二極管作為整流器。P溝道MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩壓器中的高側開關。根據應用的不同，N溝道MOSFET也可用作降壓穩壓器高側開關。這些應用需要自舉電路或其它形式的高側驅動器。

審核編輯 ：李倩