国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

5qYo_ameya360 ? 來(lái)源:fqj ? 2019-05-29 15:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1)的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。

該系列產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)壓縮機(jī)※2)的逆變器電路和PTC加熱器※3)的開(kāi)關(guān)電路,而且傳導(dǎo)損耗更低※4),達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平,非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。

另外,加上已經(jīng)在量產(chǎn)中的650V產(chǎn)品,該系列共擁有11種機(jī)型,產(chǎn)品陣容豐富,可滿足客戶多樣化需求。

前期工序的生產(chǎn)基地為L(zhǎng)APIS Semiconductor Miyazaki Co., Ltd.(日本宮崎縣),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand)(泰國(guó))。

近年來(lái)隨著環(huán)保意識(shí)的提高和燃油價(jià)格的飆升,電動(dòng)汽車的市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。搭載引擎的傳統(tǒng)車輛,壓縮機(jī)的動(dòng)力源為引擎,而隨著電動(dòng)車輛的增加,壓縮機(jī)日益電動(dòng)化,而且其市場(chǎng)規(guī)模也在不斷擴(kuò)大。

另外,以往汽車空調(diào)制熱,是利用引擎運(yùn)行的廢熱;如今以PTC加熱器為熱源使溫水循環(huán)制熱的系統(tǒng)等的需求也在日益增加。由于驅(qū)動(dòng)頻率較低,這些應(yīng)用的逆變器電路和開(kāi)關(guān)電路中所使用的半導(dǎo)體主要是IGBT。尤其是在電動(dòng)汽車中,壓縮機(jī)和加熱器的功耗會(huì)影響續(xù)航距離,因此需要更高的效率。

另一方面,為了延長(zhǎng)電動(dòng)汽車(EV)的續(xù)航距離,所配置電池的容量也呈日益增加趨勢(shì)。特別是在歐洲,采用高電壓(800V)電池的汽車越來(lái)越多,這就需要更高耐壓且更低損耗的功率元器件。因此,除650V耐壓的IGBT產(chǎn)品外,對(duì)1200V耐壓IGBT的需求也日益高漲。

在這種背景下,ROHM開(kāi)發(fā)出滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓產(chǎn)品,與650V耐壓產(chǎn)品共同構(gòu)成了豐富的產(chǎn)品陣容。RGS系列實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗(Vce(sat.)),非常有助于應(yīng)用的小型化和高效化。

此外,1200V耐壓產(chǎn)品的短路耐受※5)時(shí)間為10μsec(Tj=25℃),即使在要求高可靠性的車載領(lǐng)域也可放心使用。

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 業(yè)界領(lǐng)先的低傳導(dǎo)損耗

通過(guò)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),在1200V耐壓級(jí)別將傳導(dǎo)損耗(VCE(sat.))降至1.70V(typ Tj=25℃),與其他公司同等產(chǎn)品(1200V、40A產(chǎn)品)相比,傳導(dǎo)損耗改善了約10~15%。

尤其是在電動(dòng)壓縮機(jī)和PTC加熱器中,由于驅(qū)動(dòng)頻率較低,故對(duì)傳導(dǎo)損耗的重視程度高于開(kāi)關(guān)特性,RGS系列的出色表現(xiàn)已經(jīng)獲得客戶的高度好評(píng)。

2. 產(chǎn)品陣容豐富,滿足客戶多樣化需求

此次推出的四款1200V耐壓產(chǎn)品,加上量產(chǎn)中的650V耐壓產(chǎn)品,共11種機(jī)型。產(chǎn)品陣容中包括IGBT單品和續(xù)流二極管※6)內(nèi)置型兩種類型的產(chǎn)品,客戶可根據(jù)需求自由選用。

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

目標(biāo)電路示例

電動(dòng)壓縮機(jī)

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

PTC加熱器

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    262965
  • Rohm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    415

    瀏覽量

    67874

原文標(biāo)題:新品:滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

文章出處:【微信號(hào):ameya360,微信公眾號(hào):皇華電子元器件IC供應(yīng)商】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關(guān)鍵組件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討英飛凌
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:25 ?1942次閱讀

    2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

    EiceDRIVER? 1200V高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器.pdf 產(chǎn)品概述 這兩款驅(qū)動(dòng)器屬于2ED132x系列,專為控制半橋配置中最大阻斷電壓為+1200VIGBT或SiC MOSF
    的頭像 發(fā)表于 12-20 11:15 ?1341次閱讀

    車載 OBC 充電機(jī)車規(guī)電容:AEC-Q200 認(rèn)證 + 長(zhǎng)壽命 5000h

    車載OBC充電機(jī)車規(guī)電容若需滿足AEC-Q200認(rèn)證與5000小時(shí)長(zhǎng)壽命(125℃環(huán)境)要求,可優(yōu)先選擇合粵電子HVB系列、皇冠型1500UF40V
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:20 ?384次閱讀

    請(qǐng)問(wèn)CW32微控制器是否滿足特定的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),如AEC-Q100?

    CW32微控制器是否滿足特定的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),如AEC-Q100?
    發(fā)表于 12-16 08:08

    1200V/10μF 超高壓鋁電解電容 工業(yè)變頻器專用 耐高壓沖擊

    1200V/10μF超高壓鋁電解電容在工業(yè)變頻器中可作為輔助濾波或小功率場(chǎng)景核心濾波元件,但需結(jié)合其耐壓、容量特性及工業(yè)變頻器需求綜合評(píng)估適用性。 以下從耐壓性能、容量特性、工業(yè)變頻器需求匹配性
    的頭像 發(fā)表于 12-08 10:57 ?338次閱讀

    AEC-Q100測(cè)試考核

    AEC-Q100測(cè)試考核是汽車電子委員會(huì)(Automotive Electronics Council)制定的規(guī)范,主要針對(duì)車載應(yīng)用的芯片進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量與可靠性確認(rèn),以提高車載電子的穩(wěn)定性和標(biāo)
    發(fā)表于 11-27 07:28

    AFGB30T65RQDN IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    分布。AFGB30T65RQDN IGBT具有短路額定值,同時(shí)兼具高品質(zhì)因數(shù)及低導(dǎo)通損耗和低開(kāi)關(guān)損耗。 該IGBT滿足AEC-Q101要求,無(wú)鉛,符合RoHS
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:08 ?910次閱讀

    Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100V MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通電
    的頭像 發(fā)表于 09-18 18:19 ?1242次閱讀

    揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管

    揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管,產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺(tái),極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗,產(chǎn)品參數(shù)一致性好,可靠性優(yōu)良,適用于伺服、變頻器等各類中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。
    的頭像 發(fā)表于 09-18 18:01 ?2691次閱讀
    揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>單管

    新品 | 針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊

    新品針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK2B模塊,采用六單元配置,通過(guò)AQG324認(rèn)證。一個(gè)模塊采用
    的頭像 發(fā)表于 07-31 17:04 ?955次閱讀
    新品 | 針對(duì)<b class='flag-5'>車載</b>充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? <b class='flag-5'>1200V</b>和硅基模塊

    車規(guī)級(jí)SiLM5932SHOCG-DG 30V, 12A 帶主動(dòng)保護(hù)的單通道隔離驅(qū)動(dòng)器深度剖析

    驅(qū)動(dòng):±12A源/灌電流峰值,直驅(qū)1200V/1700V IGBT模塊 納秒級(jí)響應(yīng):90ns傳輸延遲(典型值),保障PWM控制精度 150kV/μs CMTI:工業(yè)級(jí)共模抗擾度,徹底杜絕誤觸發(fā) 寬壓
    發(fā)表于 07-15 09:25

    聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET

    在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn),高功率電壓系統(tǒng)對(duì)1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切,1200V SiC功率器件成為行業(yè)競(jìng)相攻堅(jiān)的焦點(diǎn)。在這一趨勢(shì)下
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?1293次閱讀

    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊

    新品EasyDUAL1B和2B,1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B,2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術(shù),電流等級(jí)涵蓋75A
    的頭像 發(fā)表于 05-13 17:04 ?1495次閱讀
    新品 | EasyDUAL? 1B和2B,<b class='flag-5'>1200V</b>共發(fā)射極<b class='flag-5'>IGBT</b>模塊

    AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生

    (Gen3)1200V aSiC MOSFET系列產(chǎn)品,旨在為蓬勃發(fā)展的工業(yè)電源應(yīng)用市場(chǎng)提供更高能效解決方案。與AOS上一代產(chǎn)品相比,該系列產(chǎn)品在高負(fù)載條件下能夠保持較低導(dǎo)通損耗的同時(shí),其開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù)
    發(fā)表于 05-07 10:56 ?828次閱讀
    AOS推出第三代<b class='flag-5'>1200V</b> aSiC MOSFET,專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生

    龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT

    在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品,專為高頻應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺(tái)與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力,為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場(chǎng)
    的頭像 發(fā)表于 04-29 14:43 ?1167次閱讀