国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

陸芯:單管IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-05-19 09:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代Trench Field-Stop技術的400V 200A~400A系列IGBT、650V 5A~200A系列IGBT、1200V&1350V 10A~100A系列IGBT,1700V系列IGBT,Hybrid系列IGBT,中壓SGT MOS等多個系列產品;性能優(yōu)異,可靠性和穩(wěn)定性高,廣泛應用于新能源電動汽車、電機驅動領域、高頻電源領域、感應加熱等領域。

上海陸芯的產品(IGBT、Hybrid、SGT MOS、FRD)包括芯片、單管和模塊,具有以下技術優(yōu)勢:

1.優(yōu)化耐壓終端環(huán),實現(xiàn)IGBT高阻斷電壓,達到工業(yè)級和汽車級可靠性標準;

2.控制少子壽命,優(yōu)化飽和壓降和開關速度,實現(xiàn)安全工作區(qū)(SOA)和短路電流安全工作區(qū)SCSOA性能最優(yōu);

3.改善IGBT有源區(qū)元胞設計可靠性,抑制IGBT的閂鎖效應;

4.調節(jié)背面減薄、注入、退火、背金等工藝;實現(xiàn)60um~180um晶圓厚度的大規(guī)模量產。

534ae70e-d085-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

5375ce74-d085-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

單管IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS


用于:逆變器/UPS/儲能/焊機

539619a4-d085-11ec-8521-dac502259ad0.png

53bf240c-d085-11ec-8521-dac502259ad0.png

53d7ff54-d085-11ec-8521-dac502259ad0.png

54010a66-d085-11ec-8521-dac502259ad0.png

543ec6d0-d085-11ec-8521-dac502259ad0.png

545377f6-d085-11ec-8521-dac502259ad0.png

546a8702-d085-11ec-8521-dac502259ad0.png

54a1ef62-d085-11ec-8521-dac502259ad0.png

5503ba94-d085-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

5543c83c-d085-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

5555a8d6-d085-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

55890bea-d085-11ec-8521-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IGBT
    +關注

    關注

    1288

    文章

    4331

    瀏覽量

    262992
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    選型手冊:HCKD5N65BM2 高速 IGBT 分立器件

    威兆半導體推出的HCKD5N65BM2是一款650V高壓高速IGBT(搭配反并聯(lián)二極),采用TO-252封裝,適配電機驅動、風扇驅動等場景。一、產品基本信息器件類型:TrenchFS
    的頭像 發(fā)表于 01-06 11:24 ?320次閱讀
    選型手冊:HCKD5<b class='flag-5'>N65</b>BM2 高速 <b class='flag-5'>IGBT</b> 分立器件

    TP65H070G4PS 650V SuperGaN? GaN FET:高效開關的理想之選

    TP65H070G4PS 650 V SuperGaN? GaN FET.pdf 一、產品概述 TP65H070G4PS 是一款 650V
    的頭像 發(fā)表于 12-29 14:45 ?365次閱讀

    科技正式推出YGJ75N65FSA1內絕緣IGBT

    科技正式推出內絕緣IGBT,產品型號為YGJ75N65FSA1。產品采用LUXIN FS
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:28 ?1224次閱讀
    <b class='flag-5'>陸</b><b class='flag-5'>芯</b>科技正式推出YGJ75<b class='flag-5'>N65</b>FSA1內絕緣<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>

    深入解析 FGHL50T65MQDTL4:650V、50A 場截止溝槽 IGBT

    在功率半導體領域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體)一直扮演著至關重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的場截止溝槽
    的頭像 發(fā)表于 12-08 11:35 ?1789次閱讀
    深入解析 FGHL50T<b class='flag-5'>65</b>MQDTL4:<b class='flag-5'>650V</b>、50<b class='flag-5'>A</b> 場截止溝槽 <b class='flag-5'>IGBT</b>

    貼片MOS100N03 TO-252規(guī)格書

    貼片MOS100N03 TO-252電流100A 30V
    發(fā)表于 12-04 17:12 ?0次下載

    選型手冊:MOT20N65HF N 溝道功率 MOSFET 晶體

    仁懋電子(MOT)推出的MOT20N65HF是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借高開關速度、100%雪崩測試驗證及650V
    的頭像 發(fā)表于 11-24 14:33 ?399次閱讀
    選型手冊:MOT20<b class='flag-5'>N65</b>HF <b class='flag-5'>N</b> 溝道功率 MOSFET 晶體<b class='flag-5'>管</b>

    Vishay 48V 100A eFuse 技術解析:革新電子保險絲設計的參考方案

    Vishay/Dale 48V 100A電子保險絲設計用于保護電源應用中的硬件,具有可調電流限制功能。該款100A電子保險絲提供安全連接,并斷開48V電源(通常是高能量電池組)。48
    的頭像 發(fā)表于 11-13 14:13 ?820次閱讀
    Vishay 48<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>100A</b> eFuse 技術解析:革新電子保險絲設計的參考方案

    合科泰650V高壓MOSHKTD7N65的特性和應用

    在工業(yè)電源、電機驅動及照明系統(tǒng)等高壓應用場景中,功率MOS的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS HKTD7N65,憑借650V耐壓、7
    的頭像 發(fā)表于 11-07 17:46 ?1596次閱讀

    科技推出IGBTYGW15N120TMA1

    科技正式推出1200V15A GEN3 IGBT,產品型號為YGW15
    的頭像 發(fā)表于 10-30 17:21 ?1953次閱讀
    <b class='flag-5'>陸</b><b class='flag-5'>芯</b>科技推出<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>YGW15<b class='flag-5'>N</b>120TMA1

    揚杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT

    揚杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT,產品采用新一代微溝槽工藝平臺,極大的優(yōu)化了器件的導通損耗,產品
    的頭像 發(fā)表于 09-18 18:01 ?2692次閱讀
    揚杰科技推出新一代To-<b class='flag-5'>247PLUS</b>封裝1200<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>

    科技推出IGBTYGW50N120TMA1

    科技正式推出1200V50A GEN3 IGBT,產品型號為YGW50
    的頭像 發(fā)表于 08-21 14:46 ?1941次閱讀
    <b class='flag-5'>陸</b><b class='flag-5'>芯</b>科技推出<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>YGW50<b class='flag-5'>N</b>120TMA1

    永源微APJ14N65D-650V N-Channel增強模式MOSFET

    : VDS = 650V (類型:730V) IDM =14A RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V (類型:560mΩ
    發(fā)表于 07-15 16:22

    永源微APJ14N65FIPIT(AP65R650)650VN-Channel增強模式MOSFET

    特性: VDS = 650V (類型:730V) IDM =14A RDS(ON) < 650mΩ @ VGS=10V (類型:560
    發(fā)表于 07-09 13:35

    科技推出IGBTAU40N120T3A5

    科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT,產品型號為AU40
    的頭像 發(fā)表于 05-27 12:04 ?1199次閱讀
    <b class='flag-5'>陸</b><b class='flag-5'>芯</b>科技推出<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>AU40<b class='flag-5'>N120T3A</b>5

    科技推出1200V40A GEN3 IGBT

    科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT,產品型號為YGK40
    的頭像 發(fā)表于 03-11 16:17 ?1042次閱讀
    <b class='flag-5'>陸</b><b class='flag-5'>芯</b>科技推出1200<b class='flag-5'>V40A</b> GEN3 <b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>單</b><b class='flag-5'>管</b>