國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3588 ChiL數字控制IC，以及IR3552與IR3546單、雙相位PowIRstage器件
2012-08-29 09:26:14
3092 
全球功率半導體和管理方案領導廠商，國際整流器公司（IR）近日推出IR3823 SupIRBuck?集成式穩壓器，適用于空間受限、節能高效的網絡通信、服務器和存儲應用。
2013-08-14 17:35:141531 微軟將以71.7億美元收購諾基亞設備與服務部門，加速發展Windows生態系統。
2013-09-03 14:36:461120 據外媒 TechCrunch 報導，亞馬遜的云服務部門 AWS 很可能已經悄然收購了網絡信息安全公司 harvest.ai。 harvest.ai 創始團隊中包括兩名前 NSA 員工，他們用機器學習和人工智能的方式，分析一家公司關鍵 IP 上的用戶行為，進而辨識和阻止有針對性的攻擊，防止資訊泄露。
2017-01-11 09:10:111753 在microLED顯示器和功率器件的驅動下，外延設備的出貨量在未來五年將增長三倍以上。 外延在半導體產業鏈中的位置 化合物半導體外延片正大舉進軍超越摩爾領域 據麥姆斯咨詢介紹，目前，外延生長用于硅基
2020-01-30 09:58:585823 )
2.IR915開啟openVPN服務器.
設計IR615 后端子網為192.168.10.0/24，IR915后端子網192.168.30.0/24，IR915_server 子網
2024-07-25 08:10:33
收購一款ITOP 4412開發板，有的請聯系我。。。。。。。。
2015-08-16 10:12:21
收購各系車輛OBD轉向燈數據，有剩余油量數據更好電話：***QQ：297266953聯系人：歐先生
2015-08-20 15:19:53
硅-硅直接鍵合技術主要應用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結構又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
Verilog設計內外延時
2012-08-15 16:31:14
打造唐山電腦維修旗艦店----------唐山亦道為嬴電腦科技上門服務部：唐山唯一一家以家庭客戶為主要服務對象的正規公司。主要服務項目：軟件安裝、殺毒、升級，家庭網絡調試安裝
2009-01-03 20:45:28
我想了解關于LED關于外延片生長的結構，謝謝
2013-12-11 12:50:27
18914951168求購廢硅片、碎硅片、廢晶圓、IC藍膜片、頭尾料 大量收購單晶硅~多晶硅各種廢硅片，頭尾料，邊皮料，IC碎硅片，...
2010-10-31 14:00:00
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測試儀，關于測試儀的機構和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
工作職責：1、售后服務部日常管理；2、對售后產品問題進行診斷和協調；3、對常見售后產品質量問題及時解答和歸總；任職要求：1、對照明特別是LED照明行業有3年以上工作經驗；2、對LED產品性能熟悉
2012-07-30 17:20:50
汽車是一個由數以萬計零部件組成的機電混合復雜系統，GRGTEST能幫助新能源汽車整車廠及零部件廠商快速提升零部件性能，滿足您對產品品質和安全的高要求，服務涵蓋汽車零部件的環境可靠性測試、電學性能
2016-12-26 13:59:56
本篇應用筆記作為第二部分，重點介紹高輸出的硅應變計
2021-03-11 07:56:41
聯系電話：***..聯系QQ：2668053208....收購蘋果5代液晶屏 收購蘋果5代主板 收購蘋果A5 A6 A4處理器收購蘋果ic收購蘋果外殼 收購5代外殼 收購5代攝像頭收購iphone5
2014-05-15 16:27:56
打擾下了，如果您現在也正在尋找新的發展平臺請您留意下我們公司我公司網站：www.jinbenteng.com以上兩職位均需要有汽車電子方面工作經驗。技術服務部副經理需要您具備汽車電子方面的售后工作
2009-08-04 16:26:39
the IR2339/IR2339n is a high performacne quad comparator ,which poerates form a single power supply to a wide range of voltages.
2008-09-08 13:03:19
46 NPN 硅外延三極管型號
2009-11-12 14:28:4121 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結構，將器件耐壓、導通電阻和電流處理能力提高到一個新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個管芯包括幾千個元胞
2009-12-21 10:52:2442 Vishay公司作出一項非約束性收購計劃，即耗資16億美元來收購IR公司（International Rectifier）的股票。如果該項交易通過的話，收購將強化Vishay的分立器件業務。IR與Vishay均是全球最大的
2008-08-19 13:14:151899 硅單晶外延層的質量檢測與分析
表征外延層片質量的主要參數是外延層電阻率、厚度、層錯及位錯密度、少數載流子壽命
2009-03-09 13:55:404098 
愛立信收購北電無線事業部 出資11.3億
在2009年1月宣布進入破產保護的北電(Nortel)決定放棄重整，并將逐步出售營運狀況良好的部
2009-08-17 09:48:28487 英國電信全球服務部和沃達豐將在Light Reading于倫敦舉辦的OSS 2.0會議上發表主題演講
TM Forum 也將參與討論
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2009-10-15 08:39:39899 啟用PowerFill外延硅工藝的電源設備
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-23 08:35:54807 ASM啟用功新的PowerFill外延技術的電源設備
ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個精
2010-01-23 09:32:321062 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-25 09:17:05708 ASM啟用新的PowerFill外延技術的電源設備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:292222 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341902 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開
2010-09-20 08:59:091458 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網絡通信和高端臺式機及筆記本電
2010-11-24 09:14:351748 IRPLCFL2 IR2156 42W，單管，緊湊型熒光燈鎮流器，110/220VAC IRPLCFL3 IR2156 雙向可控硅調光電路，27W，單管，小型熒光燈鎮流器，120VAC
2011-02-09 09:23:51106 利用外延片焊接技術,把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結構GaN藍光LED.與外延材料未轉移的同側結構相比,轉移
2011-04-14 13:29:3429 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術
2011-06-16 09:35:044803 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布擴充其 PowIRstage 集成式器件系列，推出專為下一代服務器、消費者及通信系統優化的 40A IR3553。
2011-12-06 16:06:313018 半導體硅工藝學是一部半導體材料技術叢書，重點闡述了半導體硅晶體us恒章、外延、雜質擴散和離子注入等工藝技術
2011-12-15 15:17:38119 本內容介紹了LED外延片基礎知識，LED外延片--襯底材料，評價襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:543460 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3551以擴充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特別適合下一代服務器、臺式電腦、顯卡及通信系統應用。
2012-02-17 09:37:092818 思科昨日宣布，它已經完成收購NDS Group的交易。思科還將通過收購NDS擴展其全球視頻產品在新生市場的銷售范圍，進一步拓寬其服務供應商的服務范圍和加深與客戶的關系。
2012-08-01 09:24:461276 本周一（25日），思科宣布將收購云服務管理解決方案供應商SolveDirect。
2013-03-26 10:10:25817 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出IR3891和IR3892 SupIRBuck集成式雙輸出穩壓器，適用于空受限的網絡通信、服務器和存儲應用。
2013-11-20 16:04:251496 NB-IoT Instruments -NBA-中科院測試服務部
2016-12-26 16:01:2234 法國阿斯克新城和德國德累斯頓 - 2018 年 2 月 1 日 - 來自電子、微電子及納米技術研究院 （IEMN） 的最新結果顯示，ALLOS 即將推出的適用于 1200 V 器件的硅基氮化鎵外延片產品具有超過 1400 V 的縱向和橫向擊穿電壓。
2018-02-26 10:17:426459 
華為全球技術服務部副總裁、管理服務與網絡保障服務部總裁沈惠豐發布AUTIN解決方案
2018-03-14 10:50:058856 氮化鎵外延片產品技術。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內多家杰出的消費類電子產品公司生產外延片的同時，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產品技術在Veeco Propel? MOCVD反應器上的可復制性。
2018-11-10 10:18:181790 無論您剛剛畢業還是有數年經驗，請考慮加入ADI公司。本視頻重點展現ADI公司企業信息服務部門激動人心的工作內容分析。
2018-06-01 14:57:003350 分析師凱蒂－休伯特（Katy Huberty）在給客戶的一份報告中指出?！疤O果應用商店已經成為蘋果服務部門最大動力來源?！毙莶貙⑻O果的目標股價從每股200美元上調到了214美元，與周三收盤價相比
2018-05-28 12:31:002889 IR2133IR2135 / IR2233IR2355（J＆S）是高壓，高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具有三個獨立的高端和低端參考輸出通道，用于3相應用。專有的HVIC技術可實現堅固耐用的單片結構
2018-05-31 13:00:0061 微軟收購的步伐在加速，繼收購github后，又收購人工智能創企Bonsai，計劃將Bonsai與該公司配備了GPU和Brainware的Azure云服務相結合，全方位部署云服務。
2018-06-21 09:48:424589 Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為Micro LED生產應用提供業內領先的硅基氮化鎵外延片產品技術。
2018-11-15 14:53:494130 近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發布公告稱，其控股子公司聚能晶源（青島）半導體材料有限公司（以下簡稱“聚能晶源”）成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚
2018-12-20 14:45:207537 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內領先的可提供具備長時可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圓的生產企業，且在
2018-12-20 15:21:176874 近日，歐司朗Sylvania與Wesco簽訂了收購SLS資產的最終協議，SLS將成為Wesco Services LLC子公司的一部分。據知情人士透露，這筆交易價格不到1億歐元。SLS是歐司朗在北美的服務部門，2018年的銷售額約為1億美元，總部位于馬薩諸塞州的威爾明頓。
2019-01-22 15:25:471583 據國外媒體報道，在上月26億美元收購Looker Data Sciences公司之后，搜索巨頭谷歌在云計算方面又有了新的收購目標，其已宣布將收購云存儲服務提供商Elastifile。
2019-07-10 16:33:31767 紐約州的金融監管機構是NYDFS，即紐約州金融服務部。長期以來，紐約州以其對加密貨幣嚴厲的監管著稱。紐約州的加密貨幣交易牌照BitLicense，也是美國所有州中最難拿到的加密貨幣許可牌照之一
2019-07-25 10:56:161484 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰，ALLOS 應用其獨特的應變工程技術，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN-on-Si） 外延片的出色一致性和可重復性。此外，公司還報告了其 300 mm 外延片的成功發展藍圖。
2020-04-08 16:53:125033 
近日，東方日升通過下屬全資公司向盾安光伏收購聚光硅業100％股權。在光伏產業快速發展的當下，東方日升本次的收購不僅體現了自身加快全產業鏈布局的決心，也展示出了對光伏產業的信心。 東方日升多年來一直在
2020-11-09 18:17:176521 11月17日消息，據國外媒體報道，電動汽車制造商特斯拉將在中國成立一個移動服務部門，特斯拉車主可使用簡單易用的二維碼來進行移動服務預約。 據悉，特斯拉一直采用的是直銷模式，沒有經銷商與4S店，其售后
2020-11-17 15:49:502770 本文檔的主要內容詳細介紹的是2SC3356微波低噪聲放大用NPN外延硅射頻晶體管的數據手冊免費下載。
2020-12-16 08:00:007 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰，ALLOS 應用其獨特的應變工程技術，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重復性
2020-12-24 10:20:302566 GaN?是一種寬帶隙半導體，它允許器件在比硅更高的溫度和更高的電壓下工作。此外，GaN 更強的介電擊穿能力可以構建更小，因此電阻更低的器件。具有較小電容的較小器件是由較低的特性Rds(on)產生
2022-07-29 18:19:472652 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:3810576 固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5215305 該外延片專為新能源汽車電驅系統開發，以適用目前更高效的800V電壓架構。并且該外延片基于國產設備開發，完全自主可控。
2022-11-18 10:08:542005 源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露出硅的源漏極區域實現外延生長。
2022-11-29 16:05:154887 氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應力而產生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007537 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業規模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:355312 硅基氮化鎵技術是一種新型的氮化鎵外延片技術，它可以提高外延片的熱穩定性和抗拉強度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。
2023-04-21 09:31:094421 外延層是在晶圓的基礎上，經過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
大部分從事后端設計的同行應該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經理、封裝同事等才會接觸這一部分內容。
2023-06-16 10:05:181966 
計算機、人工智能等新興領域。由于硅（Si）材料發光效率低，因此將發光效率高的III-V族半導體材料如砷化鎵（GaAs）外延在CMOS兼容Si基襯底上，并外延和制備激光器被公認為最優的片上光源方案。由于Si與GaAs材料間存在大的晶格失配、極性失配和熱膨
2023-06-26 15:46:041712 
金剛石異質外延已發展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質量的異質外延單晶金剛石已取得較大進展。本文主要從關于異質外延單晶金剛石及其電子器件兩個方面對異質外延單晶金剛石的發展進行了闡述。
2023-07-12 15:22:232593 
碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03863 
碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:343034 
近日，晶能光電發布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍全系列三基色Micro LED外延技術成果。
2023-09-01 14:07:442195 環?？萍及雽w公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學技術服務部 (CUTS) 簽署了三方協議，共同設計和開發使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數據中心電源產品。群光電能科技是一家成熟
2023-11-06 17:32:311338 
紫金山觀察消息顯示，該項目一期投資19.3億元，項目達產后，預估新增年收入25億元，將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年，6-8英寸化合物外延片12.6萬片/年的生產能力，支撐開展大尺寸硅外延和化合物外延研發以及產業化，擴大在高端功率器件、集成電路等應用領域的競爭優勢。
2023-11-14 15:44:121346 外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:166531 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態下，進行材料外延技術，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:1011188 
上海合晶硅材料股份有限公司（簡稱“上海合晶”，證券代碼688584）正式在科創板掛牌上市，標志著這家深耕半導體硅外延片領域多年的企業，迎來了全新的發展階段。
2024-02-19 09:37:461579 上海合晶硅材料股份有限公司（簡稱“上海合晶”，股票代碼：688584）近期在科創板成功上市，成為半導體行業的新星。該公司專注于半導體硅外延片的研發與生產，以其卓越的產品質量和創新的工藝技術在市場上樹立了良好的口碑。
2024-02-26 11:20:081859 上海合晶硅材料股份有限公司（以下簡稱“上海合晶”，股票代碼：SH:688584）近日在上海證券交易所科創板成功掛牌上市，標志著這家在半導體硅外延片制造領域深耕多年的企業邁入了全新的發展階段。
2024-03-11 16:05:081927 麥斯克電子近日宣布，其年產360萬片8英寸硅外延片的項目已成功封頂。據CEFOC中電四公司透露，該項目的總投資額超過14億元，建設規模宏大，占地建筑面積超過5萬平方米。預計項目建成并投產后，將大幅提升麥斯克電子在硅外延片領域的生產能力，年產量將達到360萬片8英寸硅外延片。
2024-05-06 14:58:312194 前言硅片按照產品工藝進行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經介紹SOI硅片，本期關注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋光片，單晶硅錠經過切割、研磨和拋光處理后得到
2024-06-12 08:09:075138 
蘋果公司近期采取了一項罕見的行動，其服務部門宣布裁員約100名員工，這一消息引起了業界的廣泛關注。據知情人士透露，裁員通知已于8月27日周二正式下達給受影響的員工，他們分散在由高級副總裁艾迪·庫伊領導的服務集團內的多個不同團隊中。
2024-08-29 15:45:01880 系統等領域。除硅基激光器外，硅基光探測器、硅基光調制器等硅基光電子器件技術已經基本成熟，但作為最有希望實現低成本、大尺寸單片集成的硅基外延激光器仍然面臨著諸多挑戰。
2024-10-24 17:26:3732074 
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用以及GAA結構中的作用。 ? 在現代半導體技術中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統的硅基材料逐漸難以滿足高性能和低功耗的需求。SiGe（硅鍺）作為一種
2024-12-20 14:17:496643 
SiC外延設備的復雜性主要體現在反應室設計、加熱系統和旋轉系統等關鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發，嚴重影響外延膜的質量。如何在提高外延生長速率和品質的同時，有效避免這些問題的產生，可以從以下幾個方面入手。?
2025-02-06 10:10:581349 引言
碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化學特性，在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領域具有廣泛應用。在SiC外延晶片的制備過程中，硅面貼膜是一道關鍵步驟，用于保護外延層免受機械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37317 
京準電鐘：關于GPS北斗衛星授時服務部署方案
2025-02-25 09:54:41731 
電子發燒友網站提供《ZSKY -DTA114YE PNP硅外延平面數字晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2025-05-13 17:03:060 在半導體行業中，硅基光電子技術是實現光互聯、突破集成電路電互聯瓶頸的關鍵，而在硅si襯底上外延生長高質量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺階儀作為重要的表征工具，在GaAs/Si異質外延研究中
2025-07-22 09:51:18537 
今天，硅基流動聯合沐曦集成電路（上海）股份有限公司（簡稱“沐曦”），全球首發基于沐曦曦云 C550 集群的月之暗面 Kimi-K2 大模型商業化服務部署。該服務運行于匯天網絡科技有限公司（簡稱“匯
2025-07-23 17:33:581669 半導體外延和薄膜沉積是兩種密切相關但又有顯著區別的技術。以下是它們的主要差異：定義與目標半導體外延核心特征：在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結構的單晶薄膜（外延層），強調晶體結構的連續性和匹配
2025-08-11 14:40:061537 
格羅方德（GlobalFoundries，納斯達克代碼：GFS）宣布收購總部位于新加坡的硅光晶圓代工廠Advanced Micro Foundry（AMF），此舉標志著格羅方德在推進硅光技術創新
2025-11-19 10:54:53430
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