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LED外延片基礎知識

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SiC外延測試需要哪些分析

對于摻雜的SiC外延,紅外光譜測量膜厚為通用的行業標準。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率,因此試樣的反射光譜會出現反映外延層厚度信息的連續干涉條紋。
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不合格的碳化硅外延如何再生重利用?

此外,研磨技術的缺點還有統一性不高,多加工時對外延的厚度的組合比較苛刻,并且加工效率較低。如果將研磨后的外延再進行CMP處理,則需要較長的時間才能去除掉損傷層。并且由于襯底的厚度不同,外延的厚度也不同,因此每一外延的減薄要求也不同,整體加工效率較低。
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麥斯克電子年產360萬8英寸硅外延項目封頂

麥斯克電子近日宣布,其年產360萬8英寸硅外延的項目已成功封頂。據CEFOC中電四公司透露,該項目的總投資額超過14億元,建設規模宏大,占地建筑面積超過5萬平方米。預計項目建成并投產后,將大幅提升麥斯克電子在硅外延領域的生產能力,年產量將達到360萬8英寸硅外延。
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材料認識-硅拋光外延

前言硅片按照產品工藝進行分類,主要可分為硅拋光、外延和SOI硅片。上期我們已經介紹SOI硅片,本期關注硅拋光外延。硅拋光硅拋光又稱硅單晶拋光,單晶硅錠經過切割、研磨和拋光處理后得到
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外延和擴散的區別是什么

外延和擴散都是半導體制造過程中使用的材料。它們的主要區別在于制造過程和應用領域。 制造過程: 外延是通過在單晶硅片上生長一層或多層半導體材料來制造的。這個過程通常使用化學氣相沉積(CVD)或
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