前言

硅片按照產品工藝進行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。

上期我們已經介紹SOI硅片，本期關注硅拋光片和外延片。

硅拋光片

硅拋光片又稱硅單晶拋光片，單晶硅錠經過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片，是單面或者雙面被拋光成原子級平坦度的硅片。

硅拋光片按照摻雜程度不同分為輕摻硅拋光片和重摻硅拋光片，摻雜元素的摻入量越大，導電性越強，硅拋光片的電阻率越低。

輕摻硅拋光片廣泛應用于大規模集成電路的制造，如CPU、GPU、MCU等，只少部分用作硅外延片的襯底材料，市場占比約 74%。重摻硅拋光片一般用作硅外延片的襯底材料，主要用于制作功率器件。市場占比約 26%。

硅外延片

硅拋光片經過外延生長形成外延片。外延是通過化學氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層具有特定摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結構的新硅單晶層，即外延片=襯底+外延層。

外延生長的新單晶層既可與襯底材質相同（同質外延），也可不同（異質外延）。外延層厚度通常控制在幾微米范圍內。

外延技術可以減少硅片中因晶體生長產生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應用于二極管、IGBT等功率器件的制造，在工業電子、汽車電子等領域廣泛使用。

隨著半導體制造工藝的進步，外延片應用增加，占比逐漸上升，28nm以上的制程都需要使用外延技術，未來外延片將占據主流。

拋光片與外延片的劃片要點

不管是同質外延還是異質外延，其意義在于進一步提升產品靈活性，并取得更好的穩定性和可靠性。經過過外延處理，拋光片表面的材料純度和均勻度得以顯著提升。相比機械拋光的拋光片，外延片表面更為平整、潔凈，微缺陷和雜質大幅減少，電阻率更加均勻，對表面顆粒、層錯、位錯等缺陷的控制也更加精確。

在劃切兩種類型硅片時，要注意不同結構材料的品質表現。具體劃切方案歡迎咨詢西斯特科技。