GaN是一種寬帶隙半導體，它允許器件在比硅更高的溫度和更高的電壓下工作。此外，GaN 更強的介電擊穿能力可以構建更小，因此電阻更低的器件。具有較小電容的較小器件是由較低的特性Rds(on)產生的。IVWorks（韓國）利用基于深度學習的人工智能 (AI) 外延技術制造氮化鎵 (GaN) 外延片，這是直流功率器件和 5G 通信設備的關鍵材料，已獲得 670 萬美元的 B 輪投資.

因此，IVWorks 現在已獲得總計 1000 萬美元的資金。三星旗下專業投資子公司三星風險投資參與了本輪種子輪后續投資，以及其他新投資者如KB Investment、KDB Bank和Dt & Investment。IVWorks 最近還完成了 1740 萬美元的 C 輪融資，因此總融資額為 2740 萬美元。

外延GaN晶圓具有高效率和高功率輸出的特點，是用于功率和RF（射頻）器件的基礎材料。它用于IT產品中的快速充電器、電動汽車中的電源轉換器、5G基站和國防雷達。

“GaN具有高電子遷移率、高電流密度和高擊穿電壓特性，使得制造在高頻下工作的高效率、高輸出功率器件成為可能。與 Si、SiC 和 GaAs 材料相比，它更小、更快，并且具有更高的效率和更高的功率輸出。然而，GaN 在自支撐晶圓技術上尚未得到充分發展，與 Si SiC GaAs 不同，因此需要在異質襯底（Si 或 SiC）上進行 GaN 外延生長。雖然 Si 可以以低成本接收大直徑晶圓，但與 GaN 的晶格失配和熱膨脹系數差異很大，需要一種控制應力和缺陷密度的技術。這些技術的實施給提高生產力帶來了困難。與 Si 相比，SiC晶格失配小，熱膨脹系數低，容易實現高質量的GaN外延生長。由于 SiC 襯底的高價格，其應用僅限于需要嚴格熱管理的大功率射頻設備，”IVWorks 總裁兼首席執行官 Young-Kyun Noh 說。

8英寸硅基氮化鎵

氮化鎵外延技術

IVWorks利用自有的高效環保外延系統技術和基于人工智能的生產平臺，生產用于功率器件的6-8英寸GaN-Si外延片和用于射頻器件的4-6英寸GaN-SiC外延片。

“外延工藝是自下而上的納米技術領域，需要在原子層級精確控制晶體生長。“Domm”系統可以通過在外延生長過程中在原子層級實時監控晶體生長狀態并通過機器學習監控數據集來實時控制過程，從而最大限度地提高生產力，”Noh 說。

這些資金是通過新的投資籌集的，預計將用于擴大制造能力和增強基于人工智能的制造平臺。近期的市場發展（如蘋果、三星、華為等IT產品中使用GaN快速充電器，以及GaN功率器件在電動汽車車載充電器和電源轉換器中的擴展）已在本輪融資中有所體現輪，表明公司有興趣保持差異化的技術專長，并專注于響應市場需求的大規模增長。

6 英寸 GaN on SiC

“這筆資金將用于擴大產能和推進自主開發的基于人工智能的生產平臺的開發。GaN外延片產量翻倍（4" GaN on SiC的產能為7800片/月或8" GaN on Si為2100片/月）。新建的Fab應用AI生產平臺“Domm”Level 4，展示了“AI生產”階段。它的目標是在 2023 年在韓國市場（KOSDAQ）上市，并計劃利用上市獲得的資金建立一個應用 Domm 5 級（AI 制造）的全自動智能工廠，”Noh 說。

據 Noh 介紹，IVWorks si 目前正在生產具有競爭力的 4 英寸 SiC 上 GaN，并已完成 6 英寸原型開發。在 GaN on Si 的情況下，正在生產 8 英寸 GaN on Si。2022 年，12 英寸 GaN on Si 有望發布。

審核編輯 黃昊宇