LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復（可將開關損耗降低多達 80%）以及低開關節點振鈴（可降低 EMI）。這些優勢實現了像圖騰柱 PFC 這樣的密集和高效的拓撲結構。

LMG341xR150 通過集成一組獨特的功能來簡化設計、最大限度地提高可靠性并優化任何電源的性能，從而為傳統的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供智能替代方案。集成柵極驅動可在接近零的 V 電壓下實現 100 V/ns 的開關DS 系列振鈴、小于 100ns 的電流限制響應可針對意外的擊穿事件進行自我保護，過熱關斷可防止熱失控，系統接口信號提供自我監控功能。
*附件：具有集成驅動器和保護功能的 LMG341xR150 600V、150mΩ、GaN FET 數據表 .pdf

特性

• TI GaN 工藝通過加速可靠性應用內硬開關配置文件認證
• 支持高密度電源轉換設計
  • 優于共源共柵或獨立 GaN FET 的系統性能
  • 低電感 8 mm × 8 mm QFN 封裝，易于設計和布局
  • 可調節的驅動強度，用于開關性能和 EMI 控制
  • 數字故障狀態輸出信號
  • 只需要 +12 V 的非穩壓電源
• 集成柵極驅動器
  • 零共源電感
  • 高頻設計的傳播延遲為 20ns
  • 用于補償閾值變化的微調柵極偏置電壓可確保可靠的開關
  • 25V/ns 至 100V/ns 可調轉換速率
• 強大的保護
  • 無需外部保護元件
  • 具有 <100 ns 響應的過流保護
  • 大于 150V/ns 的轉換速率抗擾度
  • 瞬態過壓抗擾度
  • 過熱保護
  • 所有電源軌上的欠壓鎖定 （UVLO） 保護
• 設備選項：
  • LMG3410R150 ：鎖存過流保護
  • LMG3411R150 ：逐周期過流保護

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?產品型號?：LMG341xR150（包括LMG3410R150和LMG3411R150）
• ?特性?：600V GaN FET，集成驅動器和保護功能，低電感8mm×8mm QFN封裝
• ?優勢?：高功率密度、高效率、超低的輸入和輸出電容、無反向恢復電荷

2. 主要特性

• ?集成驅動器?：
  • 零共源電感
  • 20ns傳播延遲
  • 可調整的門極偏置電壓和斜率
• ?保護功能?：
  • 過流保護（<100ns響應）
  • 過溫保護
  • 欠壓鎖定（UVLO）保護
  • 瞬態過壓免疫
• ?設備選項?：
  • LMG3410R150：鎖存式過流保護
  • LMG3411R150：逐周期過流保護

3. 應用領域

• 工業AC-DC轉換器
• 筆記本電腦電源適配器
• LED顯示屏
• 伺服驅動器功率級

4. 電氣特性

• ?最大漏源電壓?：600V
• ?連續漏極電流?：
  • @Tj = 25℃：17A
  • @Tj = 100℃：13.5A
• ?導通電阻?：
  • @Tj = 25℃：150mΩ
  • @Tj = 125℃：250mΩ

5. 開關特性

• ?最大dv/dt?：>100V/ns
• ?傳播延遲?：
  • 開通：14.4ns（RDRV = 15kΩ, VNEG = -14V）
  • 關斷：24ns（RDRV = 15kΩ, VNEG = -14V）
• ?故障延遲?：50ns（過流故障到FAULT引腳變低）

6. 熱信息

• ?結到環境熱阻?（RθJA）：28.6°C/W
• ?結到頂部外殼熱阻?（RθJC(top)）：9.9°C/W
• ?結到底部外殼熱阻?（RθJC(bot)）：1.4°C/W

7. 布局指南

• ?電源環路電感?：最小化電源環路電感以減少電壓應力和EMI。
• ?信號地連接?：源極引腳也是信號地參考，信號地平面應通過低阻抗連接到源極。
• ?旁路電容器?：驅動器的旁路電容器應放置在靠近IC的位置，以最小化阻抗。

8. 應用和實施

• ?典型應用?：提供了半橋配置的典型應用電路圖和設計步驟。
• ?設計注意事項?：包括斜率選擇、信號電平轉換、Bootstrap電路設計等。

9. 電源供應建議

• ?隔離電源供應?：推薦使用隔離電源供應高側設備，以減少寄生參數并提高設計效率。
• ?Bootstrap二極管?：在半橋配置中，可以使用Bootstrap二極管為頂部開關提供浮動電源，但需謹慎選擇二極管并管理Bootstrap電壓。