瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析（2）
瑞能G3 超結MOSFET
Analyzation
瑞能超結MOSFET “表現力”十足
可靠性表現
可靠性保障
?瑞能嚴謹執行三批次可靠性測試，確保產品品質。
?瑞能超級結 MOSFET 在可靠性檢驗中，不僅展現出樣本間的高度一致性，更實現了零老化問題。
?瑞能超級結 MOSFET 展現出卓越的抗靜電(ESD)能力。
升溫表現
測試環境
測試平臺:
1200W服務器電源
輸入:
220VAC, 50HZ
工作頻率：
62KHZ
器件溫升曲線對比
器件溫升@100%負載
WSJ3M65R065D的溫升明顯低于競品。
效率表現
測試平臺：1200W服務器電源
輸入電壓：220VAC，50HZ
工作頻率：62KHZ
測量結果
采用WSJ3M65R065D系統整體效率比采用 Competitor A或Competitor B提升了約0.1%。
Solution
瑞能在服務器電源中的解決方案
瑞能方案
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
151文章
9664瀏覽量
233491 -
數據中心
+關注
關注
18文章
5647瀏覽量
75009 -
瑞能半導體
+關注
關注
0文章
76瀏覽量
7172
原文標題：瑞能半導體第三代超結MOSFET（下）：數據中心能效的“六邊形戰士”
文章出處：【微信號：weensemi，微信公眾號：瑞能半導體】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
第三代紅外技術（IR-III）并不是陣列式
（PATRO）高解析強光抑制攝像機、帕特羅（PATRO）遠距離紅外一體攝像機、帕特羅（PATRO）紅外防雷攝像機 正當IR-III技術以新臉孔出現在紅外夜視市場時，市場上也出現了第三代陣列式紅外攝像機，造成
發表于 02-19 09:35
第三代半導體科普，國產任重道遠
？到了上個世紀六七十年代，III-V族半導體的發展開辟了光電和微波應用，與第一代半導體一起，將人類推進了信息時代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代
發表于 05-15 17:09
中國第三代半導體名單！精選資料分享
據業內權威人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業
發表于 07-27 07:58
基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 產品優點 綜上所述，基本半導體推出的第三代碳化硅肖特基二極管有以下優點： 更低VF：
發表于 02-28 17:13
什么是第三代半導體？第三代半導體受市場關注
繼5G、新基建后，第三代半導體概念近日在市場上的熱度高居不下。除了與5G密切相關外，更重要是有證券研報指出，第三代半導體有望納入重要規劃，消息傳出后多只概念股受到炒作。證券業人士提醒，
發表于 09-21 11:57
?4711次閱讀
第三代半導體的發展研究
據了解，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入十四五規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨
瑞能半導體關于第三代半導體的發展思量
些新興材料中，碳化硅、氮化鎵技術目前來看相對較為成熟，，因此這兩種材料也成為近年來市場布局的重點。下面查IC網小編帶大家一起看一看瑞能半導體沈鑫在全球CEO峰會發表的關于
什么是第三代半導體？一、二、三代半導體什么區別？
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代
什么是第三代半導體？哪些行業“渴望”第三代半導體？
招商引資名單中。 問題來了：第三代半導體產業是真的進入春天還是虛火上升？又有哪些行業真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對于IGBT、MOSFET和超級結
第三代半導體產業高速發展
當前，第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業高速發展。其中，新能源汽車市場的快速發展是第三代半導體技術推進的重要動力之一
瑞能半導體第三代超結MOSFET技術解析（1）
隨著AI技術井噴式快速發展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發制人，推出的
第三代半導體的優勢和應用領域
隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用
基本半導體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章：B3M技術平臺架
工商網監
評論