美高森美公司（Microsemi ）宣布擴大RF功率產品線，推出DRF1400功率MOSFET。該產品非常適合在廣泛的工業、科學和醫療 （industrial、scientific and medical，ISM） 應用的RF產生器中使用，包括用于半導體、LCD和太陽能電池制造的電漿產生，以及工作頻率高達30 MHz 的CO2雷射器。

　　美高森美的DRF系列產品在單一高散熱性能封裝中整合RF閘極驅動器、功率MOSFET和相關的旁路電容器。DRF1400採用半橋拓撲，是美高森美 DRF系列中的第一款半橋拓撲元件，在1 kW下可提供高于92%的效率。此外，低寄生電容和電感，加上施密特（Schmitt）觸發器輸入、卡爾文（Kelvin）訊號地線、防振鈴功能、反相和同相（non-invert）選擇接腳，為kW到數千瓦的高頻ISM應用提供了改進的穩定性和控制功能。高整合度還可縮減材料清單（bill-of-material）元件數目和成本。其它功能包括：整合RF驅動器，可以簡化驅動級設計，允許輸入簡單的邏輯訊號；內部旁路電容器，可以減少寄生電感并提供最穩定的電源電壓；高崩潰電壓（500V） MOSFET，經由半橋拓撲達成較高的功率輸出；以及高散熱性能專有封裝，能夠提供高達1.4 kW的功率。

　　美高森美現可提供DRF1400的工程樣品，客戶可從美高森美購買相關的DRF1400參考設計包（13.56 MHz， Class-D半橋）。此參考設計包提供快速推出》1kW的RF功率設計所需的所有硬體，還提供涵蓋RF系統設計人員的運作基礎知識和設計考量的設計指南。