安森美 (onsemi) NTK3134N單N溝道功率MOSFET具有ESD保護功能,是優(yōu)化用于高效開關應用優(yōu)化的強大MOSFET。安森美 (onsemi) NTK3134N組件采用緊湊的3引腳SOT-723封裝,在4.5V電壓下實現(xiàn)0.20Ω的低R ~DS(on) ~ ,可最大限度地減少傳導損耗并提升熱性能。NTK3134N MOSFET的漏源電壓額定值為20V,穩(wěn)態(tài)漏極連續(xù)電流能力為890mA(最大值),非常適合用于便攜式電子設備、DC-DC轉換器和負載開關電路。開關速度快和柵極電荷低,有助于降低功耗并提高整體系統(tǒng)效率,使這些MOSFET成為空間受限、功耗敏感設計的可靠選擇。
數(shù)據手冊;*附件:onsemi NTK3134N單N溝道功率MOSFET數(shù)據手冊.pdf
特性
- N溝道開關,具有低R
DS(on) - 比SC89占位面積小44%,厚度薄38%
- 低閾值水平,允許1.5V R
DS(on)額定值 - 可在低邏輯電平柵極驅動下運行
- 3引腳SOT-723,631AA外殼,樣式5封裝
- 無鉛、無鹵/無BFR,符合RoHS標準
原理圖

?NTK3134N MOSFET:專為緊湊型便攜設備設計的高效功率開關解決方案?
在現(xiàn)代便攜式電子設備設計中,功率管理和開關效率是關鍵考量因素。安森美(onsemi)推出的NTK3134N單N溝道功率MOSFET,以其小巧的封裝、優(yōu)異的電氣性能和廣泛的適用性,為工程師提供了理想的功率開關解決方案。本文將從器件特性、技術參數(shù)和應用優(yōu)勢三個方面展開分析。
?一、核心產品特性?
NTK3134N是一款集成了ESD保護的N溝道功率MOSFET,具有以下突出特點:
- ?封裝革新?
- 采用SOT-723封裝,相比傳統(tǒng)SC89封裝面積減小44%,厚度降低38%
- 三引腳設計:1-柵極、2-源極、3-漏極(頂視圖)
- 適用于高密度PCB布局
- ?電氣性能優(yōu)勢?
- 低導通電阻:典型值0.20Ω@4.5V,0.26Ω@2.5V
- 低閾值電壓:支持1.5V邏輯電平驅動
- 最大漏極電流:890mA(連續(xù))
- ?環(huán)保合規(guī)?
- 無鉛、無鹵素/BFR、符合RoHS標準
?二、關鍵技術參數(shù)詳解?
? 最大額定值(TJ=25°C) ?
- 漏源電壓(VDSS):20V
- 柵源電壓(VGS):±8V
- 連續(xù)漏極電流(ID):890mA(穩(wěn)態(tài))
- 功率耗散(PD):550mW(TA=25°C,t≤5s)
? 電氣特性(TJ=25°C) ?
- 柵極閾值電壓(VGS(TH)):0.45-2.4V(典型1.2V)
- 導通電阻變化:
- 4.5V柵壓:0.20-0.35Ω
- 1.5V柵壓:0.56Ω(200mA條件下)
?開關特性?
- 開啟延遲時間(td(ON)):6.7ns(VGS=4.5V)
- 上升時間(tr):4.8ns
- 關斷延遲時間(td(OFF)):17.3ns
- 下降時間(tf):7.4ns
?熱性能?
- 結到環(huán)境熱阻(RθJA):
- 穩(wěn)態(tài):280°C/W(標準焊盤)
- 5秒脈沖:228°C/W
?三、典型應用場景?
基于其優(yōu)異的性能指標,NTK3134N特別適用于以下應用領域:
- ?負載/功率開關?
- 便攜設備中的電源路徑管理
- 子系統(tǒng)功率分配控制
- ?接口切換?
- ?邏輯電平轉換?
- 1.8V/3.3V系統(tǒng)間接口
- 低電壓處理器與外圍設備連接
- ?超小型便攜設備電池管理?
- 充電控制電路
- 電池保護系統(tǒng)
- 電源多路復用切換
?四、設計考量與建議?
?布局優(yōu)化?
- 建議使用1平方英寸焊盤面積(銅面積1.127平方英寸,含走線)
- 最小推薦焊盤尺寸下熱阻升至400°C/W,需謹慎評估散熱
?驅動要求?
- 1.5V柵極電壓即可獲得滿意的導通性能
- 適合電池供電系統(tǒng)的低電壓操作
?溫度管理?
- 導通電阻隨溫度上升而增加(見圖5特性曲線)
- 高溫環(huán)境下需適當降額使用
?五、產品選型指南?
安森美提供多種包裝選項:
- NTK3134NT1G:4000只/卷帶
- NTK3134NT1H:4000只/卷帶
- NTK3134NT5G:8000只/卷帶
- NTK3134NT3G:40000只/卷帶
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