注：本文轉載自電源網

在工業新能源與伺服驅動領域，高功率密度、高效率、長壽命及系統成本優化已經成為市場的核心挑戰。在2025年7月12日的電源網電力電子與應用大會（深圳站）上，安森美（onsemi）電源方案事業部市場拓展負責人Hank Zhao針對安森美硅基（IGBT/MOSFET）與碳化硅（SiC）技術的協同創新進行了分享。

光伏儲能系統：功率模塊組合實現效率與成本平衡

在工業級光伏儲能系統中，客戶時常面臨高功率密度、高效率、長壽命以及系統成本優化的多重挑戰。碳化硅方案在儲能端可大幅降低電池成本，已成為客戶提升能效的關鍵選擇。

針對這個大功率電源的應用，比如大功率的光伏、大功率的儲能，安森美今年推出了最新的F5BP模塊，運用這個模塊可滿足350千瓦等級的光伏逆變器的設計和250千瓦等級的儲能逆變器的設計，并且其附帶一個厚的銅基板，能夠有效的降低熱阻。針對100千瓦到150千瓦等級的儲能、光伏的應用，安森美也推出了碳化硅單管和碳化硅模塊的解決方案，從而有效的幫助客戶提高系統的整體效率。

伺服驅動應用：功率密度與動態響應的雙重突破

針對伺服電機對動態響應和功率密度的嚴苛要求，安森美提供了最新一代基于Field Stop 7的IGBT模塊，其最大電流可達到35A，它是一個1200V的模塊。

安森美今年又新推出了基于碳化硅的模塊，其等效電流最大可達到70A。這兩個模塊都是SPM31封裝，相對于35A IGBT模塊，70A的碳化硅模塊相當于功率密度翻倍，并且碳化硅模塊開關頻率可達40KHz，可以有效降低電機系統的體積和提高動態響應能力，和同樣功率等級的IGBT模塊對比，安森美碳化硅模塊由于開關損耗更小，所以散熱器就可以更小。因此在極端工作情況下對比，碳化硅/IPM的散熱器可以縮小到IGBT模塊下的1/20，甚至更小。

硅基與碳化硅的協同戰略：場景化技術路徑

在工業新能源應用中，碳化硅一直是市場上備受矚目的熱點，同時安森美也沒有忽視在大功率光伏逆變器或工業電機驅動領域中，硅基 IGBT 和 MOSFET 模塊仍具有重要地位。Hank Zhao表示：碳化硅遷移是一個漸進的過程，安森美通過技術組合滿足不同階段的工業需求。

針對大功率的光伏逆變器，目前主流的逆變方案仍然是以IGBT為主。但現在也有些客戶會逐漸嘗試采用混合碳化硅的技術，比如說在BOOST端采用碳化硅方案，針對儲能的應用有利于提高儲能的效率，大幅降低儲能電池的費用。儲能客戶會傾向于采用碳化硅的技術，那其他的比如電機驅動應用，由于成本的考慮，仍然以IGBT技術為主。一些客戶已經開始在高端電機驅動應用中采用碳化硅技術，其它比如EVC，碳化硅技術的使用已經越來越普遍。

技術遷移支持：全鏈路賦能客戶設計

客戶向碳化硅轉型時面臨驅動匹配、熱管理及PCB布局重構難題。安森美的FAE團隊能夠通過設計工具、參考設計、仿真模型和技術支持，幫助客戶克服這些挑戰并加速產品上市。比如：PLECS Model Generator和Elite Power Simulator在線工具，來方便客戶在線進行仿真。同時安森美提供豐富的Design Guide文件和評估板給到客戶。安森美FAE會根據客戶的實際工況來幫助客戶申請仿真數據文件，提供整套解決方案來加速產品設計。包含但不限于不同功率段不同封裝、單管或模塊方案、以及安森美的信號鏈等全套方案。

安森美通過硅基與碳化硅技術的創新融合，持續突破功率密度與效率邊界。從光伏儲能的綠色轉型到伺服系統的高精度控制，安森美模塊化的解決方案能為全球工業客戶提供可靠的技術基石，助力碳中和目標與智能制造升級的雙重使命。