電子發燒友網報道（文/梁浩斌）剛剛過去的2024年里，第三代半導體迎來了更大規模的應用，在清潔能源、新能源汽車市場進一步滲透的同時，數據中心電源、機器人、低空經濟等應用的火爆，也給第三代半導體行業
2025-01-05 05:53:00
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關鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導體；異質集成；半導體設備；青禾晶元；半導體技術突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進封裝；摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車與人工智能對芯片
2025-12-29 11:24:17133 
深耕，一舉斬獲兩項大獎——“2025年度第三代半導體市場開拓領航獎”，以及ST首款專為電機控制設計的600V半橋功率GaN及驅動器GANSPIN611榮獲的“2025年度優秀產品獎”！
2025-12-28 09:14:18272 
為推動小芯片創新的下一波浪潮，Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術（UCIe）IP 解決方案，在臺積電先進的 N3P 工藝上實現了業界領先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業向日
2025-12-26 09:59:44163 
Neway第三代GaN系列模塊的生產成本Neway第三代GaN系列模塊的生產成本受材料、工藝、規模、封裝設計及市場定位等多重因素影響，整體呈現“高技術投入與規模化降本并存”的特征。一、成本構成：核心
2025-12-25 09:12:32
2025年12月4日，深圳高光時刻！由第三代半導體產業標桿機構「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕，數百家SiC&GaN領域精英企業齊聚一堂，共襄產業盛事。
2025-12-13 10:56:01900 
集團【AspenCore】主辦的全球電子成就獎(WEAA)——年度功率半導體產品獎；另一項則是由第三代半導體產業知名研究機構【行家說】評定的 年度優秀產品獎 。
2025-12-11 15:25:38331 
2025年行至尾聲，智融科技憑借領先的數模混合設計實力、卓越的消費級電源管理方案，以及在第三代半導體驅動技術的前瞻布局，一舉攬獲多項行業大獎，成為國產數模混合IC與GaN/SiC第三代半導體驅動賽道的“雙料”先鋒！
2025-12-11 15:20:51377 AMEYA360代理品牌：上海永銘第三代半導體落地關鍵，如何為GaN/SiC系統匹配高性能電容解決方案 ? 引言：氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)技術正推動功率電子革命，但真正的場景落地，離不開
2025-12-04 15:34:17217 如有雷同或是不當之處，還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習！ 在半導體產業鏈中，特別是第三代半導體（寬禁帶半導體）產業鏈中，會有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區別是
2025-12-04 08:23:541014 
如有雷同或是不當之處，還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習！ 碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體的核心代表，憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性，正在新能源汽車、光伏儲能、工業電源
2025-12-04 08:21:12699 如有雷同或是不當之處，還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習！ 碳化硅是第三代半導體材料的代表；而半導體這個行業又過于學術，為方便閱讀，以下這篇文章的部分章節會以要點列示為主，如果遺漏
2025-12-03 08:33:44351 
（World Electronics Achievement Awards, 簡稱WEAA）年度功率半導體/驅動器產品獎，彰顯了安森美在第三代半導體領域技術領導地位和市場優勢。
2025-11-27 13:55:061348 在第三代半導體器件的研發與性能評估中，對半橋電路上管進行精確的電壓與電流參數測試，是優化電路設計、驗證器件特性的關鍵環節。一套科學、可靠的測試方案可為技術開發提供堅實的數據支撐，加速技術迭代與產業化
2025-11-19 11:01:05129 
引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導體材料，相比傳統硅基材料具有顯著的技術優勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場強達3MV/cm，是硅的10倍；熱導率
2025-11-19 07:30:471489 
11月11至14日，年度國際第三代半導體行業盛會——第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2025）在廈門隆重召開，中微
2025-11-18 14:02:44349 
行家說極光獎，作為聚焦于第三代半導體領域的專業獎項，以其嚴謹的產業洞察與技術前瞻性，已成為衡量企業創新深度與市場價值的重要風向標。它旨在表彰那些具有行業表率的優秀企業、引領產業變革的創新技術和優秀產品。
2025-11-17 10:19:49725 的硅（Si）器件，成為工業電源、新能源汽車和太陽能逆變器等領域的理想選擇。三安半導體推出的SDS120J005D3正是一款順應此趨勢的第三代碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC SBD），它以其強大的性能參數和出色的可靠性，為現代高頻高效電力轉換系
2025-11-17 09:16:42186 2025年11月11-14日，第十一屆國際第三代半導體論壇&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（IFWS&SSLCHINA 2025）在廈門盛大召開。作為覆蓋90余個國家及地區、匯聚
2025-11-14 17:53:472410 在全球碳中和戰略深入推進的關鍵節點，第三代半導體正成為突破能源轉換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來科技有限公司Gen3技術平臺650/700V系列場效應晶體管（FET）近期正式宣布全面推廣上市！該系列
2025-11-14 11:42:18414 
在全球對能源效率和功率密度要求日益嚴苛的背景下，以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體正以前所未有的速度推動著電力電子技術的革新。作為國內半導體領域的領軍企業，三安半導體（Sanan
2025-11-12 17:04:23580 
如有雷同或是不當之處，還請大家海涵。當前在各網絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習！ 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）作為第三代半導體材料的代表，以其優異的物理和化學特性，在電力電子、光電子、射頻器件等領域展現出了巨
2025-11-11 08:13:37873 
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導體行業領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經審計的第三季度財務業績。
2025-11-07 16:46:052452 近日，在2025世界智能網聯汽車大會（WICV）“中國芯”汽車芯片供需對接會上，歐冶半導體憑借在智能汽車第三代E/E架構芯片領域的創新突破與產業貢獻，獲評為“2025中國汽車芯片優秀供應商”。
2025-11-03 10:22:28455 NIST在2012年評選出了最終的算法并確定了新的哈希函數標準。Keccak算法由于其較強的安全性和優秀的軟硬件實現性能，最終成為最新一代的哈希函數標準。2015年8月NIST發布了最終的SHA-3
2025-10-28 07:13:32
10月25日，第三代半導體產業合作大會在鹽城高新區召開。省工業和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區委書記馬正華出席，鹽都區委副書記、區長臧沖主持會議。
2025-10-27 18:05:001276 在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動下，功率半導體正經歷前所未有的技術變革。SiC和GaN等第三代半導體器件的高頻、高壓特性，對封裝基板提出了更嚴苛的要求——既要承受超高功率密度，又要確保信號
2025-10-22 18:13:11243 
以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，正加速替代傳統硅基材料，在新能源汽車、工業控制等領域實現規模化應用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度，成為高頻通信、快充設備的核心
2025-10-13 18:29:43402 10月11日，一加宣布將與京東方聯合推出「第三代東方屏」。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕，第三代東方屏將為用戶帶來更流暢絲滑的游戲體驗，并在顯示素質、暗光顯示及護眼方面實現突破。第三代東方
2025-10-11 15:56:32740 
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術率先通過PSA 4級認證
2025-10-09 15:57:3042380 基礎，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術的一次重要演進，其目標不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場現有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺概述 B3M系列是基本半導體推出的第三代
2025-10-08 13:12:22499 
型柵極驅動器（BTD系列）和配套的電源管理芯片（BTP系列），明確圍繞第三代半導體——碳化硅（SiC）MOSFET驅動的 高頻、高壓、高可靠性 核心需求進行構建 。這些產品在設計上高度契合SiC器件的低閾值電壓、極高開關速度和高 ?dV/dt等特性帶來的挑戰。 該公司的策
2025-09-30 17:53:142833 
傾佳電子行業洞察：基本半導體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、電力電子設備
2025-09-21 16:12:351740 
等核心運算進行硬件加速優化，在圖像識別、自然語言處理等任務中展現出卓越的實時性。然而，傳統FPGA在功耗、尺寸和系統集成度上的局限性，使其難以滿足邊緣計算、工業機器人等對能效和緊湊性要求嚴苛的場景。 ? 萊迪思推出的Lattice NexusT
2025-09-16 14:35:175435 XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed（原CREE）推出的高功率碳化硅（SiC）電源模塊平臺，專為電動汽車、工業電源和牽引驅動等高要求應用設計。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
8月28日，為期三天(8月26日-28日)的深圳電子展暨嵌入式展在深圳會展中心(福田)圓滿落幕，作為電子行業的年度大展，elexcon匯聚了全球400+家頂尖技術巨頭，探討從AI芯片、存算一體、RISC-V生態，到第三代半導體、綠色能源電子等一系列議題。
2025-09-08 11:31:152240 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的杰出代表，其物理特性，如寬禁帶、高臨界電場和高熱導率，從根本上超越了傳統硅（Si）基功率器件的性能極限。這些本征優勢為電力電子系統的革新提供了堅實基礎，尤其是在高壓、大功率和高頻應用中。
2025-08-30 10:03:114774 
Semiconductor）深耕第三代半導體領域，隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模塊系列，包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3
2025-08-25 18:07:22835 
著第三代半導體技術的快速發展，友尚電子推出了一款基于安森美半導體NCP1618或NCP1655控制器與SiC Cascode JFET（UJ4C075060K3S）的≧500W主動式PFC效率優化方案。該方案旨在通過創新設計，顯著提升PFC功率級的效率與熱性能，同時保持系統的穩定性與簡潔性。
2025-08-11 17:41:00640 
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
在第三代半導體加速滲透的浪潮中，聞泰科技半導體業務堅持研發創新，推出行業領先的SiC Trench MOS，不僅彰顯了技術突破的實力，更成為企業價值增長、推動產業升級的關鍵錨點。
2025-07-31 10:11:371989 近日，在第五屆全國新型儲能技術及工程應用大會現場，廣州智光儲能科技有限公司（簡稱 “智光儲能”）與海辰儲能聯合發布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級聯型高壓大容量儲能系統。這一突破性成果標志著全球首個大容量儲能電池從技術發布到閉環應用的完整落地，為儲能產業安全與高效發展注入新動能。
2025-07-30 16:56:141230 深愛半導體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅動電路、保護功能的“系統級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
近日，總投資超200億元的長飛先進半導體基地項目正式運營投產。該項目是目前國內規模最大的碳化硅半導體基地，年產36萬片6英寸碳化硅晶圓，可滿足144萬輛新能源汽車制造需求，推動我國第三代半導體實現
2025-07-22 07:33:221042 
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數的特性。
2025-07-10 17:48:14954 
高頻噪聲和干擾，在新能源汽車電驅、第三代半導體等高頻高壓場景中，為工程師提供更具效率的測量方案。
一、核心參數
帶寬：100MHz-500MHz
差分電壓：高達7000Vpk
精度：±2
2025-07-07 20:45:43
LFE5U-25F-7BG256I，LATTICE(萊迪思)，FPGA器件 LFE5U-25F-7BG256I，LATTICE(萊迪思)，危芯練戲：依叭溜溜寺山寺依武叭武ECP5
2025-06-26 10:43:51
LFE5U-45F-6BG554C ，LATTICE(萊迪思)，FPGA器件 2025-06-26 10:231. 總體描述ECP5?/ECP5-5G? 系列 FPGA 器件經過優化，能夠
2025-06-26 10:28:47
此前，6.20~22日，為期三天的2025南京世界半導體博覽會圓滿落幕，本次大會集聚優勢資源，聚焦人工智能技術、第三代半導體、汽車半導體、先進封裝等熱點領域，聯合權威產業專家、行業優秀公司及政府相關部門，共繪產業高質量發展藍圖。
2025-06-24 17:59:231317 此前，6月20日至22日，為期三天的2025南京世界半導體博覽會圓滿落幕。本屆大會匯聚優質資源，聚焦人工智能技術、第三代半導體、汽車半導體、先進封裝等前沿熱點領域，攜手權威產業專家、行業領軍企業及政府相關部門，共同擘畫產業高質量發展新藍圖。
2025-06-23 17:57:461190 電子發燒友網綜合報道，消息人士稱，英偉達計劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片，試圖重新奪回市場份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:003666 近日，國內首家聚焦智能汽車第三代E/E架構的SoC芯片及解決方案商歐冶半導體宣布，已完成億元人民幣B3輪融資。本輪融資由光學龍頭企業舜宇光學科技旗下舜宇產業基金戰略領投，合肥高投、老股東太極華青佩誠
2025-06-19 16:09:251079 第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現，正在成為半導體領域的重要發展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術發揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農業運輸設備專用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領先高性能解決方案， 功率轉換效率超過98%，功率密度高達35kW
2025-06-16 10:01:2346469 
發展最成熟的第三代半導體材料，可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節能減碳行業，萬眾矚目。陶瓷方面，
2025-06-15 07:30:57968 尋跡智行第三代自研移動機器人控制器BR-300G獲歐盟CE認證
2025-06-12 13:47:53497 
作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破，其研發團隊持續創新，正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500 
繼X60和X100之后，進迭時空正在基于開源香山昆明湖架構研發第三代高性能處理器核X200。與進迭時空的第二代高性能核X100相比，X200的單位性能提升75%以上，達到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:071230 
Silicon Labs（芯科科技）第三代無線開發平臺SoC代表了下一代物聯網無線產品開發趨勢，該系列產品升級了三大功能特性：可擴展性、輕松升級、頂尖性能，因而得以全面滿足未來物聯網應用不斷擴增
2025-06-04 10:07:39926 SiXG301和SiXG302是芯科科技采用22納米工藝節點推出的首批無線SoC系列產品，在計算能力、功效、集成度和安全性方面實現突破性進展
2025-05-26 14:27:43577 
隨著電子技術的快速發展，半導體材料的研究與應用不斷演進。傳統的硅（Si）半導體已無法滿足現代電子設備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導體材料應運而生。第三代半導體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 瑞能G3 超結MOSFET Analyzation 瑞能超結MOSFET “表現力”十足 可靠性表現 ? ? 可靠性保障 ?瑞能嚴謹執行三批次可靠性測試，確保產品品質。? ?瑞能超級結 MOSFET
2025-05-22 13:59:30490 
隨著AI技術井噴式快速發展，進一步推動算力需求，服務器電源效率需達97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機遇，瑞能半導體先發制人，推出的第三代超結MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
近日，英飛凌的磁傳感器門類再添新兵，第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經歷兩代產品的迭代之后應運而生。
2025-05-22 10:33:421346 
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
2025-05-19 10:16:02
，這一革新使電池儲電能力顯著增強，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲存更多電能，為手機制造商打造輕薄產品提供了技術支撐。 ? 彭博社指出，蘋果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極電池的推出，
2025-05-19 03:02:002928 恩智浦半導體發布采用16納米FinFET技術的新一代S32R47成像雷達處理器，進一步鞏固公司在成像雷達領域的專業實力。S32R47系列是第三代成像雷達處理器，性能比前代產品提升高達兩倍，同時改進
2025-05-12 15:06:4353530 板卡使用Xilinx最新的第三代RFSOC系列，單顆芯片包含8路ADC和DAC，64-bit Cortex A53系列4核CPU，Cortex-R5F實時處理核，以及大容量FPGA。
2025-05-10 11:54:18927 
制造與封測領域優質供應商榜單。本屆大會以\"新能源芯時代\"為主題，匯集了來自功率半導體、第三代材料應用等領域的行業專家與企業代表。
作為專注電子測試測量領域的高新技術企業，麥科
2025-05-09 16:10:01
近日，在2025上海國際車展上，吉利與雷諾合資的浩思動力攜Gemini小型增程器驚艷亮相。這款超級集成動力系統搭載聞泰科技半導體業務的氮化鎵器件，憑借高功率與高頻開關特性，實現效率提升、體積縮小和可靠性增強，不僅展現聞泰科技在第三代半導體領域的深厚技術沉淀，更標志著汽車動力系統迎來新變革。
2025-05-08 10:01:03967 日前，集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL）推出其新一代
2025-05-07 10:56:10728 
，顯著提升系統在效率、體積和可靠性方面的表現。此次合作中，安世依托領先的第三代半導體技術，為浩思動力打造低碳化、智能化的新一代動力總成解決方案提供了堅實的技術支撐。 在2025上海國際車展上，吉利與雷諾合資的全球動力總成領域領軍企業浩思動力以“多路徑共達
2025-04-29 10:48:473343 
近日，半導體技術公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產品采用先進的共封裝設計，具備更快的開關速度、更低的導通與開關損耗，適用于
2025-04-25 11:39:28987 
第三代半導體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業電源、軌道交通等領域展現出顯著優勢。然而，SiC器件的高頻開關特性也帶來了動態測試的挑戰：開關速度可達納
2025-04-22 18:25:42683 
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
2025-04-22 14:32:21
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
新的機遇和挑戰。為了更好地解讀產業格局，探索未來的前進方向，行家說三代半與行家極光獎聯合策劃了 《第三代半導體產業-行家瞭望2025》 專題報道。 ? ? 日前， 意法半導體意法半導體中國區-功率分立和模擬產品器件部-市場及應用副總裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:413662 隨著新能源電動汽車行業的蓬勃發展，其動力系統的關鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求，金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26985 
? ? ? 今日，兆易創新宣布與納微半導體正式達成戰略合作！雙方將強強聯合，通過將兆易創新先進的高算力MCU產品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術進行優勢整合，打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885 
近日，國內首家智能汽車第三代E/E架構AI SoC芯片及解決方案商歐冶半導體宣布，已成功完成數億元人民幣B2輪融資。本輪融資由國投招商、招商致遠資本及聚合資本共同投資。
2025-03-25 09:48:28854 。 ??本季度開始，AYANEO、壹號方糖和Retroid Pocket等OEM廠商將陸續推出搭載全新驍龍G系列平臺的手持游戲設備。 今日，高通技術公司宣布推出其2025年的全新驍龍G系列游戲平臺組合，專為各類玩家的手持游戲設備而打造。全新產品組合包括第三代驍龍G3、第二代驍
2025-03-18 09:15:202366 
? 日前，廣東領益智造股份有限公司（簡稱“領益智造”）2025年供應商大會于廣東深圳領益大廈成功召開。納微達斯（無錫）半導體有限公司（簡稱“納微半導體”）憑借領先的第三代功率半導體技術，與領益智造
2025-03-14 11:51:043894
亮點 ：國產企業級NVMe主控芯片領軍者，第三代PCIe 4.0芯片已量產，正在研發7nm PCIe 5.0產品，客戶覆蓋數據中心與云計算頭部企業。
8. 知存科技（WITINMEM）
領域 ：存算一體
2025-03-05 19:37:43
一談起低軌衛星，大家勢必會說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線，大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個樣，一眾企業在模仿，試圖實現超越和跟隨。最近，拆了一臺第三代星鏈終端。但是，看不懂，完全
2025-03-05 17:34:166275 
近日，威睿電動汽車技術（寧波）有限公司（簡稱“威睿公司”）2024年度供應商伙伴大會于浙江寧波順利召開。納微達斯（無錫）半導體有限公司（簡稱“納微半導體”）憑借在第三代功率半導體中的技術創新和協同成果，喜獲“優秀技術合作獎”。
2025-03-04 09:38:23968 SemiQ最新發布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產品基礎上實現突破性升級，芯片面積縮小20%，開關損耗更低，能效表現更優。該產品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統、工業
2025-03-03 11:43:431484 
近日，經國際權威機構評估，羅萊迪思通過全球軟件領域高級別CMMI成熟度5級評估認證，并榮獲CMMI5級證書。這一里程碑式的成就，不僅彰顯了羅萊迪思在軟件研發領域的實力，也標志著公司在項目管理
2025-02-26 15:33:52735 
一、引言隨著科技的不斷發展，功率半導體器件在電力電子系統、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301609 
近日，在深圳舉辦的行家說第三代半導體年會——碳化硅&氮化鎵產業高峰論壇上，聞泰科技半導體業務憑借其領先產品“針對工業和可再生能源應用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優秀產品獎」。這一榮譽不僅是對聞泰科技半導體業務技術創新的認可，更是對其在第三代半導體領域深耕細作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:301020 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館舉辦；展會將匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場，打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺，集中展示半導體器件、功率模塊、第三代半導體、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品
2025-02-13 11:49:01742 
近日，萊迪思半導體公司(LSCC)發布了其202X年四季度的財務報告。報告顯示，公司在該季度的調整后每股收益(EPS)為0.15美元，略低于分析師預期的0.19美元。然而，在營收方面，萊迪思半導體
2025-02-11 16:06:49738 近日，中國在太空成功驗證了首款國產碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進展標志著第三代半導體材料有望牽引中國航天電源系統升級換代，為中國航天事業以及相關制造業的轉型升級注入強大動力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061341 在《意法半導體新能源功率解決方案：從產品到應用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對其在相關領域的應用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
來源：新華網 我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是我國制造業轉型升級的驅動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉，我國在太空
2025-02-05 10:56:13517 本文介紹第三代寬禁帶功率半導體的應用 在電動汽車的核心部件中，車用功率模塊（當前主流技術為IGBT）占據著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅動系統的關鍵性能，還占據了電機逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150 
全球第三代半導體產業發展迅速，成為半導體技術研究的前沿和產業競爭的焦點。在新能源汽車等應用市場快速發展的推動下，國內外廠商正在積極布局碳化硅業務，發展前景究竟如何？ 隨著全球科技的飛速發展，半導體
2025-01-08 17:23:51801 
電子發燒友網站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
2025-01-08 14:43:01
0 近期，萊迪思成功舉辦了其年度開發者大會，吸引了全球超過6000名行業精英、技術專家和技術愛好者共襄盛舉。此次盛會聚焦于低功耗FPGA解決方案的最新進展，旨在探索可編程技術的無限可能。 為期兩天
2025-01-07 11:08:42854 電子發燒友網站提供《EE-220：將外部存儲器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費下載
2025-01-06 16:12:110
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