1公司開啟戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向，將專注應(yīng)用氮化鎵和高壓碳化硅的高功率市場

2聚焦AI數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施及工業(yè)電氣化領(lǐng)域

3通過迅速行動(dòng)和資源重組，加速布局高增長、高利潤率市場

加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未經(jīng)審計(jì)的第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績。

納微半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Chris Allexandre：“我非常榮幸在公司發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)刻領(lǐng)導(dǎo)納微2.0團(tuán)隊(duì)。隨著AI數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施及工業(yè)電氣化領(lǐng)域的高功率半導(dǎo)體需求迅速增長，納微半導(dǎo)體正迎來新的增長周期。

納微半導(dǎo)體在氮化鎵 (GaN) 與高壓碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域積累了十年以上的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，使得納微能夠充分把握這些全球性增長趨勢。目前，納微正實(shí)施戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型——從消費(fèi)電子與移動(dòng)市場，轉(zhuǎn)向增長更快、利潤更高、可持續(xù)性更強(qiáng)的高功率應(yīng)用領(lǐng)域。通過迅速的資源重組、產(chǎn)品路線優(yōu)化以及市場策略調(diào)整，納微將實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)質(zhì)量與規(guī)模的雙重提升，為客戶、員工及股東創(chuàng)造長期價(jià)值。”

2025年第三季度財(cái)務(wù)亮點(diǎn)

#營收

2025年第三季度營收為1,010萬美元， 2024年同期為2,170萬美元，2025年第二季度為1,450萬美元。

#營業(yè)虧損

本季度的GAAP營業(yè)虧損為1,940萬美元，2024年同期為2,900萬美元，2025年第二季度為2,170萬美元。

本季度非GAAP營業(yè)虧損為1,150萬美元，2024年同期為1,270萬美元，2025年第二季度為1,060萬美元。

#現(xiàn)金

截至2025年9月30日，公司持有1.506億美元現(xiàn)金及現(xiàn)金等價(jià)物。

市場、客戶和技術(shù)亮點(diǎn)

#獲NVIDIA認(rèn)可

納微半導(dǎo)體獲NVIDIA認(rèn)可為其下一代800 VDC AI工廠計(jì)算架構(gòu)的功率半導(dǎo)體合作伙伴，凸顯了公司在氮化鎵與高壓碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。該合作展示了納微技術(shù)在實(shí)現(xiàn)從公用電網(wǎng)到GPU全鏈路高效能、高功率密度與卓越性能中的關(guān)鍵作用。

#產(chǎn)品組合升級

全新推出的100V與650V GaNFast分立FETs，與高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片及高壓高功率的碳化硅產(chǎn)品共同支持NVIDIA下一代800 VDC AI工廠電源架構(gòu)，推動(dòng)高功率AI電源市場的快速增長。

#高壓模塊送樣

向領(lǐng)先的儲能與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施客戶送樣2.3 kV與3.3 kV高壓碳化硅功率模塊，拓展高功率能源領(lǐng)域應(yīng)用。

短期業(yè)務(wù)展望

2025年第四季度營收預(yù)計(jì)約為700萬美元，上下浮動(dòng)25萬美元。該調(diào)整主要源于公司戰(zhàn)略性降低中國小功率、低利潤率的消費(fèi)電子與移動(dòng)業(yè)務(wù)優(yōu)先級，同時(shí)優(yōu)化分銷網(wǎng)絡(luò)與渠道庫存，集中資源發(fā)展高功率市場與客戶。第四季度非GAAP毛利率預(yù)計(jì)為38.5%，上下浮動(dòng)0.5%；非GAAP運(yùn)營支出預(yù)計(jì)約為1,500萬美元。

關(guān)于納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）是新一代功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，專注于氮化鎵（GaN）與集成電路（IC）器件，以及高壓碳化硅（SiC）技術(shù)研發(fā)，旨在推動(dòng)人工智能與數(shù)據(jù)中心、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、高性能計(jì)算及工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的創(chuàng)新。憑借在寬禁帶技術(shù)領(lǐng)域超過30年的經(jīng)驗(yàn)積累，納微旗下的GaNFast功率芯片將氮化鎵功率器件、驅(qū)動(dòng)、控制、感測與保護(hù)功能高度集成，實(shí)現(xiàn)更快的功率傳輸、更高的系統(tǒng)功率密度及更卓越的能效表現(xiàn)。GeneSiC高壓碳化硅器件采用受專利保護(hù)的溝槽輔助平面技術(shù)，為中壓電網(wǎng)及基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先的耐壓能力、效率與可靠性。納微半導(dǎo)體已擁有或正在申請的專利超過300項(xiàng)，是全球首家獲得CarbonNeutral碳中和認(rèn)證的半導(dǎo)體公司。