近日，在深圳舉辦的行家說第三代半導體年會——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，聞泰科技半導體業(yè)務憑借其領先產(chǎn)品“針對工業(yè)和可再生能源應用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎」。這一榮譽不僅是對聞泰科技半導體業(yè)務技術創(chuàng)新的認可，更是對其在第三代半導體領域深耕細作成果的肯定。

“行家極光獎”由行家說開創(chuàng)，旨在表彰持續(xù)進行技術創(chuàng)新，助力產(chǎn)業(yè)進步的國內外碳化硅和氮化鎵企業(yè)。而“年度優(yōu)秀產(chǎn)品”則聚集了國內SiC&GaN企業(yè)的多項研發(fā)成果，涉及產(chǎn)業(yè)鏈上下游各個領域。聞泰科技半導體業(yè)務能夠在眾多行業(yè)佼佼者中斬獲殊榮，充分展現(xiàn)了公司作為全球半導體龍頭的強大實力，也彰顯了其在第三代半導體領域的深厚積淀和卓越成果。

半導體業(yè)務盈利穩(wěn)健

向好態(tài)勢持續(xù)鞏固

2024年，聞泰科技半導體業(yè)務向好態(tài)勢持續(xù)鞏固，營收逐季增長，下半年整體毛利率水平較上半年實現(xiàn)提升。

在全球功率半導體去庫存周期的背景下，公司仍然保持了穩(wěn)健的盈利能力。前三季度累計凈利潤達17.43億元，第三季度實現(xiàn)收入38.32億元，環(huán)比增長5.86%，毛利率達40.5%，凈利潤6.66億元，環(huán)比增長18.92%。

第四季度，盡管受到傳統(tǒng)淡季和汽車下游客戶去庫存的影響，但依靠中國區(qū)份額及收入的持續(xù)快速增長以及消費、數(shù)據(jù)中心、服務器等下游需求旺盛，公司營收實現(xiàn)同比個位數(shù)增長、環(huán)比基本持平，毛利率水平延續(xù)了二季度以來的優(yōu)異表現(xiàn)。

深耕GaN領域

堅定推動行業(yè)革新

聞泰科技高度重視并且積極開拓第三代半導體技術，同步布局GaN、SiC與IGBT等高壓產(chǎn)品并均實現(xiàn)量產(chǎn)。早在2019年起，公司的產(chǎn)品組合中就已經(jīng)包含了GaN FET。

經(jīng)過多年深耕，聞泰科技在GaN領域已完成從研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化的歷程，擁有豐富的GaN FET產(chǎn)品系列，適合各種功率轉換的應用，包括Cascode GaN、650V e-mode器件、100/150V e-mode器件等。雖然現(xiàn)階段GaN業(yè)務占比較小，但相關產(chǎn)品的不斷擴充，充分體現(xiàn)了公司堅守研發(fā)承諾，促進技術發(fā)展的決心。

值得一提的是，目前公司半導體業(yè)務是業(yè)內唯一可同時提供級聯(lián)型（D-mode，Cascode）和增強型（E-mode）兩種類型GaN FETs器件的供應商，并且獨家提供擁有最佳散熱性能CCPAK封裝的650 V GaN FETs產(chǎn)品。此外，公司半導體業(yè)務的GaN FETs器件還具備較低的反向恢復電荷（Qrr）、卓越的溫度穩(wěn)定性和優(yōu)異的反向續(xù)流能力等多個技術領先優(yōu)勢，進一步鞏固了市場競爭力。

公司半導體業(yè)務在GaN領域的創(chuàng)新和產(chǎn)品開發(fā)為未來的業(yè)務增長奠定了基礎。隨著全球對可再生能源的需求不斷增長，GaN技術憑借其高效能和高頻率特性，正在成為推動新能源設備性能提升的關鍵因素，進一步推動行業(yè)的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新。

戰(zhàn)略聚焦半導體

邁向全新增長周期

通過戰(zhàn)略聚焦半導體業(yè)務，聞泰科技正在構建全新發(fā)展格局，鞏固并提升在全球功率半導體行業(yè)第一梯隊的優(yōu)勢地位。

目前公司半導體業(yè)務的增長主要源自低ASP的中低壓器件產(chǎn)品，但未來伴隨更多高ASP產(chǎn)品投入市場，公司產(chǎn)品ASP將實現(xiàn)幾倍甚至十幾倍的提升，從而進入下一個更大的增長周期中。

展望未來，聞泰科技半導體業(yè)務將繼續(xù)以科技創(chuàng)新為導向，在更多前沿領域積極探索，打造價值增長的新引擎，為推動全球半導體行業(yè)的發(fā)展貢獻更多力量。

獲獎產(chǎn)品

針對工業(yè)和可再生能源應用的CCPAK封裝GaN FET

本次獲獎的GAN039-650NTB是一款性能卓越的氮化鎵場效應管，其典型導通電阻僅為33 mΩ，這一數(shù)值在同類產(chǎn)品中尤為突出。該器件采用了創(chuàng)新的CCPAK1212i頂部散熱封裝技術，這一技術不僅極大地提升了散熱效率，還開創(chuàng)了寬禁帶半導體與銅夾片封裝技術相結合的新紀元，為半導體封裝領域帶來了革命性的變革。