国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

納微車規級第三代“快速”碳化硅MOSFET助力Brightloop打造氫燃料電池充電器

納微芯球 ? 來源:納微芯球 ? 2025-06-16 10:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

GeneSiC MOSFET技術為燃料電池和重型運輸領域的高壓大功率‘多變換器’賦予無與倫比的功率密度

日前;納微半導體宣布與法國知名電力電子制造商——Brightloop達成合作:納微的車規級第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農業運輸設備專用的氫燃料電池充電器。

BrightLoop所提供的領先高性能解決方案,功率轉換效率超過98%,功率密度高達35kW/kg和6kW/L。BrightLoop高壓大功率多變流器與其功率流處理器技術相結合,旨在為交流和直流應用(如燃料電池的能源管理場景、重型應用以及高壓網絡適配)提供卓越性能。

納微半導體的車規級第三代快速碳化硅 MOSFET應用于BrightLoop 250kW高壓DC-DC變換器中,其最大輸出電壓可達950VDC, 最大輸出電流為480A,可并聯以實現兆瓦級功率能力。

憑借著在碳化硅領域的20年技術創新積累,納微GeneSiC獨家的“溝槽輔助平面柵”技術可提供業界領先的溫度特性,為功率需求高、可靠性要求高的應用提供高速、低溫升運行的功率轉換方案。第三代快速碳化硅MOSFET相較同類產品不僅效率顯著提升,外殼溫度也低25°C,同時使用壽命長3倍。

d9e1a5aa-468e-11f0-b715-92fbcf53809c.png

“溝槽輔助平面柵”技術使得碳化硅MOSFET的導通電阻(RDS(ON))幾乎不隨溫升影響,從而在整個工作范圍內實現最低的功率損耗。與競爭對手相比,該技術在高溫的實際工況下的導通電阻低接近20%。所有GeneSiC碳化硅MOSFET均具備已公布的最高100%測試雪崩能力出色的短路耐受能力及緊湊的閾值電壓分布,便于并聯應用。

納微半導體

首席執行官兼聯合創始人

Gene Sheridan

“納微非常榮幸與領先的高功率密度和高效率變換器領域的佼佼者——BrightLoop達成合作。

雙方將共同提供技術支持和系統領導力,積極推動下一代高功率密度、高可靠性變換器解決方案的發展。”

BrightLoop

首席執行官兼創始人

Florent Liffran

“納微半導體所提供的領先碳化硅技術對于效率、耐用性和可靠性方面的提升至關重要。

我們的高功率密度、智能、高效且可擴展的多變流器將提升客戶的能源輸送容量與品質,持續引領行業發展。”

關于BrightLoop

BrightLoop Converters 是高性能應用電力電子領域的領先制造商。針對重型車輛、采礦設備、海事、賽車運動、國防、航空航天和鐵路等最惡劣環境的需求,BrightLoop Converters開發和制造具有市場最佳功率重量比的高效率、高可靠性功率變換器。公司已為一級方程式(Formula 1)、電動方程式(Formula E)或 ETCR 等要求最嚴苛的混合動力和電動系列賽事的頂尖參與者提供產品,其目標始終是不斷創新并革新電力電子領域。

關于納微半導體

納微半導體(納斯達克股票代碼: NVTS)是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司,于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起,為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過300項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾,也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。

納微半導體、GaNFast、 GaNSense、GeneSiC以及納微標識是Navitas Semiconductor 及其子公司的商標或注冊商標。所有其他品牌、產品名稱和標志都是或可能是各自所有者用于標識產品或服務的商標或注冊商標。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電池充電
    +關注

    關注

    9

    文章

    482

    瀏覽量

    75943
  • 氫燃料電池
    +關注

    關注

    11

    文章

    362

    瀏覽量

    44492
  • 納微半導體
    +關注

    關注

    7

    文章

    159

    瀏覽量

    21158

原文標題:納微半導體攜手法國BrightLoop打造下一代氫燃料電池充電解決方案

文章出處:【微信號:納微芯球,微信公眾號:納微芯球】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用

    基本半導體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術與應用 第一章:B3M技術平臺架構前沿 本章旨在奠定對基本半導體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術認知
    的頭像 發表于 10-08 13:12 ?339次閱讀
    基本半導體B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術與應用

    傾佳電子行業洞察:基本半導體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設計

    傾佳電子行業洞察:基本半導體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設計 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源、
    的頭像 發表于 09-21 16:12 ?1574次閱讀
    傾佳電子行業洞察:基本半導體<b class='flag-5'>第三代</b>G3<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>助力</b>高效電源設計

    碳化硅器件的應用優勢

    碳化硅第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩定,哪怕是在超過300℃的高溫環境下,打破了
    的頭像 發表于 08-27 16:17 ?1021次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優勢

    Wolfspeed推出第四高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四 (Gen 4) 1200 V 碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSF
    的頭像 發表于 08-11 16:54 ?2130次閱讀

    高精度可編程直流負載箱—專攻燃料電池充放電測試與動態消納

    技術的可靠性提升提供了關鍵技術支撐。以下是其在燃料電池領域的具體應用與技術優勢: 設備內置可編程電阻網絡,支持毫秒負載切換,可模擬燃料電池
    發表于 08-06 13:15

    基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方
    的頭像 發表于 08-01 10:25 ?1087次閱讀
    基本半導體推出34mm封裝的全<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術應用打造
    發表于 06-25 09:13

    電鏡技術在第三代半導體中的關鍵應用

    第三代半導體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現,正在成為半導體領域的重要發展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術發揮著不可或缺的作用
    的頭像 發表于 06-19 14:21 ?446次閱讀
    電鏡技術在<b class='flag-5'>第三代</b>半導體中的關鍵應用

    SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應用方案

    發展最成熟的第三代半導體材料,可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節能減碳行業,萬眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發表于 06-15 07:30 ?749次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>第三代</b>半導體材料 |  耐高溫絕緣材料應用方案

    第三代半導體的優勢和應用領域

    )和碳化硅(SiC),它們在電力電子、射頻和光電子等領域展現出卓越的性能。本文將詳細探討第三代半導體的基本特性、優勢、應用領域以及其發展前景。
    的頭像 發表于 05-22 15:04 ?1573次閱讀

    比亞迪推出全新一碳化硅功率芯片

    在3月17日的超級e平臺技術發布會上,比亞迪發布了劃時代超級e平臺,推出閃充電池、3萬轉電機和全新一
    的頭像 發表于 03-24 17:10 ?1406次閱讀

    SemiQ第三代SiC MOSFET充與工業應用新突破

    SemiQ最新發布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產品基礎上實現突破性升級,芯片面積縮小20%,開關損耗更低,能效表現更優。該產品專為電動汽車充電樁、可再生
    的頭像 發表于 03-03 11:43 ?1324次閱讀
    SemiQ<b class='flag-5'>第三代</b>SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>:<b class='flag-5'>車</b>充與工業應用新突破

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性
    發表于 01-04 12:37

    第三代半導體產業高速發展

    當前,第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業高速發展。其中,新能源汽車市場的快速發展是第三代半導體技術推進的重要動力之一,新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現
    的頭像 發表于 12-16 14:19 ?1239次閱讀

    第三代寬禁帶半導體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優勢,且它們在電力電子系統和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導體
    的頭像 發表于 12-05 09:37 ?2485次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶半導體:<b class='flag-5'>碳化硅</b>和氮化鎵介紹