在全球碳中和戰(zhàn)略深入推進(jìn)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體正成為突破能源轉(zhuǎn)換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來(lái)科技有限公司Gen3 技術(shù)平臺(tái)650/700V系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）近期正式宣布全面推廣上市！該系列產(chǎn)品將從器件可靠性、效率最大化、應(yīng)用集成度等方面重新定義功率半導(dǎo)體性能邊界，其核心突破將為消費(fèi)電子、新能源汽車、光伏逆變器等多領(lǐng)域帶來(lái)革命性的能效躍升。

Gen3 技術(shù)平臺(tái)亮點(diǎn)

技術(shù)躍升（相較 Gen2）：打破性能邊界的六大核心突破

卓越柵極性能：兼容傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)架構(gòu)

Gen3 技術(shù)平臺(tái)采用創(chuàng)新柵極設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)所有寬禁帶器件中最強(qiáng)的柵極魯棒性，柵極驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單且與傳統(tǒng) Si MOSFET 完全兼容。這一特性使現(xiàn)有產(chǎn)線無(wú)需大規(guī)模改造即可實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級(jí)，顯著降低客戶導(dǎo)入成本。

超低反向電壓降：同規(guī)格產(chǎn)品最低水平

Gen3 技術(shù)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)同規(guī)格產(chǎn)品最低的反向電壓降特性，較行業(yè)平均水平降低25%，顯著減少續(xù)流損耗。在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，這一優(yōu)勢(shì)可使整體系統(tǒng)效率提升0.3-0.5個(gè)百分點(diǎn)，特別適用于新能源汽車主逆變器和高頻 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

芯片面積持續(xù)優(yōu)化：DPW 相對(duì) Gen2 優(yōu)化33%

通過(guò)引入新工藝設(shè)備，Gen3 平臺(tái)成功攻克了老產(chǎn)線的制造桎梏。我們采用更緊湊的互連結(jié)構(gòu)與低延遲柵極優(yōu)化布線，顯著降低了互連部分占地面積。憑借工藝與結(jié)構(gòu)的協(xié)同創(chuàng)新，平臺(tái) DPW 相對(duì)提升33%，F(xiàn)OM 相對(duì)優(yōu)化15%，達(dá)成了更小尺寸與更強(qiáng)性能的完美統(tǒng)一。

產(chǎn)品效率躍升：器件損耗相對(duì)降低5%**

在約2500W的輸出功率（P-out）下，效率高達(dá)99.3%，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)性能躍升。（**是指在測(cè)試電路 Boost 半橋升壓電路 240Vin-400Vout 中得到）

熱性能優(yōu)化：持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行的最優(yōu)解

在最大輸出功率約7700W的嚴(yán)苛條件下，相同 Rds(on) 器件實(shí)測(cè)溫升降低8.6℃，相對(duì)降幅高達(dá)66%。顯著提升系統(tǒng)在持續(xù)高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和壽命。

ESD 能力增強(qiáng)：較上一代相對(duì)提升50%，全面實(shí)現(xiàn)≥2000V（HBM&CDM）

封裝類型：近20種封裝滿足全場(chǎng)景應(yīng)用

Gen3 技術(shù)平臺(tái)提供全面的封裝解決方案，覆蓋從消費(fèi)電子到工業(yè)級(jí)應(yīng)用的全場(chǎng)景需求：

支持包含TO-247-3/4L、TO-220、TO-252-3/4L、DFN8x8-8L、PQFN8x8-2L、TOLL、TOLT、TO-247PLUS-4L、QDPAK等全系列近20種封裝。

八項(xiàng)核心技術(shù)特點(diǎn)：構(gòu)建差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

D-mode GaN 低損耗封裝：采用創(chuàng)新封裝結(jié)構(gòu)，寄生電感降低30%，高頻開(kāi)關(guān)性能優(yōu)異；

調(diào)速 GaN 功率器件：可靈活調(diào)節(jié)開(kāi)通速度而不增加開(kāi)通延時(shí)，同時(shí)不犧牲效率，適配不同應(yīng)用場(chǎng)景的動(dòng)態(tài)需求；

無(wú)損電流采樣器件：集成高精度電流檢測(cè)功能，無(wú)需額外采樣電阻，提高系統(tǒng)效率；

合封 IC 技術(shù)：將驅(qū)動(dòng)電路與功率器件集成，簡(jiǎn)化外圍設(shè)計(jì)，縮小應(yīng)用體積；

ESD 增強(qiáng)設(shè)計(jì)：全面實(shí)現(xiàn) HBM 與 CDM 模式下≥2000V的靜電防護(hù)能力，可靠性進(jìn)一步鞏固；

雙向器件結(jié)構(gòu)：?jiǎn)我恍酒瑢?shí)現(xiàn)雙向?qū)щ姽δ埽?jiǎn)化雙向變流器拓?fù)洌?/p>

內(nèi)絕緣封裝技術(shù)：模塊內(nèi)部集成隔離設(shè)計(jì)，提高系統(tǒng)安全性，降低散熱需求；

車規(guī)級(jí)可靠性：完全符合汽車 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)。

應(yīng)用領(lǐng)域：多元生態(tài)場(chǎng)景釋放能效革命紅利

Gen3 技術(shù)平臺(tái)憑借卓越性能，已覆蓋多個(gè)戰(zhàn)略領(lǐng)域，將為各行業(yè)帶來(lái)更多顛覆性的能效提升。

【消費(fèi)電子】

鎵未來(lái)已與聯(lián)想、大疆、LG、惠普、臺(tái)達(dá)、小米等多家 PD 快充適配器頭部企業(yè)達(dá)成量產(chǎn)合作，助力多款“小體積、大能量”適配器走進(jìn)用戶生活，持續(xù)推動(dòng)高效、高速的科技發(fā)展浪潮。

【工業(yè)與能源】

鎵未來(lái)憑借業(yè)界首款3.6kW雙向儲(chǔ)能逆變器及效率高達(dá)98%的3kW通訊電源等成果，奠定了在工業(yè)與能源領(lǐng)域的穩(wěn)固地位。

【交通電動(dòng)化】

鎵未來(lái) G3E65R009 系列——全球 Rdson 最小的650V氮化鎵分立器件，IDS (pulse)實(shí)測(cè)可達(dá)1500A，是全球通流能力最大的 GaN 分立器件，目前已與多家頭部車廠及供應(yīng)商開(kāi)啟研發(fā)驗(yàn)證。

此外，鎵未來(lái) Gen3 系列產(chǎn)品的應(yīng)用已廣泛覆蓋LED 照明、高性能計(jì)算、家電與電機(jī)等多個(gè)領(lǐng)域。同時(shí)，面對(duì) AI 等智能化領(lǐng)域的快速發(fā)展，公司正通過(guò)持續(xù)的技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)升級(jí)，積極開(kāi)拓新的合作機(jī)會(huì)與技術(shù)切入點(diǎn)。

鎵未來(lái) Gen3 系列產(chǎn)品憑借其卓越的可靠性、更高效率與更小體積，正日益成為電源設(shè)計(jì)工程師的優(yōu)選方案，助力合作伙伴實(shí)現(xiàn)更高效、更便攜、更穩(wěn)定的產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

關(guān)于鎵未來(lái)

珠海鎵未來(lái)科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè)，致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵(GaN-on-Si)器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)全功率范圍氮化鎵器件的量產(chǎn)。其開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品具有使用簡(jiǎn)單(兼容 Si MOSFET 驅(qū)動(dòng))、可靠性高、性能參數(shù)領(lǐng)先等優(yōu)點(diǎn)，包含 PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252-3L/4L 等貼片類以及TO-220(F)、TO-247-3L/4L 等插件類在內(nèi)的全系列封裝外型，是高效、節(jié)能、環(huán)保的新一代功率器件。豐富的應(yīng)用方案包括 PD 快充適配器、PC 電源、電動(dòng)工具充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、超薄 TV 電源、新國(guó)標(biāo) EBIKE 電源、LED 驅(qū)動(dòng)電源、儲(chǔ)能雙向逆變器、電池化成電源、ICT 服務(wù)器電源、算力電源、車載雙向 DC-DC 等。

自2020年成立以來(lái)，鎵未來(lái)申請(qǐng)和已獲專利近60項(xiàng)，并獲得多項(xiàng)榮譽(yù)與資質(zhì)，包括：2022年度本土創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)一等獎(jiǎng)、國(guó)家級(jí)“高新技術(shù)企業(yè)”、廣東省“創(chuàng)新型中小企業(yè)”、廣東省“專精特新”中小企業(yè)、“氮化鎵器件900V系列產(chǎn)品”與“650V/035mΩ大功率產(chǎn)品”被評(píng)為省名優(yōu)高新產(chǎn)品、澳門 BEYOND Award 消費(fèi)科技創(chuàng)新大獎(jiǎng)、2023年度創(chuàng)客廣東半導(dǎo)體與集成電路專題賽企業(yè)組一等獎(jiǎng)、2022~2023連續(xù)兩年獲得中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)最佳產(chǎn)品和最佳解決方案獎(jiǎng)、2023~2025連續(xù)三年獲得最佳功率器件/寬禁帶器件獎(jiǎng)。

鎵未來(lái)總部位于橫琴粵澳深合區(qū)，致力于新一代功率氮化鎵芯片的設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)；深圳子公司則聚焦在產(chǎn)品的應(yīng)用和市場(chǎng)拓展，在上海的分公司和杭州的華東應(yīng)用中心，可以為客戶提供全方位的售前售后支持。鎵未來(lái)以“打造和普及一流的氮化鎵產(chǎn)品”為使命，立志為業(yè)界提供“最好用最可靠”的氮化鎵產(chǎn)品。