在全球碳中和戰略深入推進的關鍵節點，第三代半導體正成為突破能源轉換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來科技有限公司Gen3 技術平臺650/700V系列場效應晶體管（FET）近期正式宣布全面推廣上市！該系列產品將從器件可靠性、效率最大化、應用集成度等方面重新定義功率半導體性能邊界，其核心突破將為消費電子、新能源汽車、光伏逆變器等多領域帶來革命性的能效躍升。

Gen3 技術平臺亮點

技術躍升（相較 Gen2）：打破性能邊界的六大核心突破

卓越柵極性能：兼容傳統驅動架構

Gen3 技術平臺采用創新柵極設計，實現所有寬禁帶器件中最強的柵極魯棒性，柵極驅動簡單且與傳統 Si MOSFET 完全兼容。這一特性使現有產線無需大規模改造即可實現技術升級，顯著降低客戶導入成本。

超低反向電壓降：同規格產品最低水平

Gen3 技術平臺實現同規格產品最低的反向電壓降特性，較行業平均水平降低25%，顯著減少續流損耗。在高頻開關應用中，這一優勢可使整體系統效率提升0.3-0.5個百分點，特別適用于新能源汽車主逆變器和高頻 DC/DC 轉換器。

芯片面積持續優化：DPW 相對 Gen2 優化33%

通過引入新工藝設備，Gen3 平臺成功攻克了老產線的制造桎梏。我們采用更緊湊的互連結構與低延遲柵極優化布線，顯著降低了互連部分占地面積。憑借工藝與結構的協同創新，平臺 DPW 相對提升33%，FOM 相對優化15%，達成了更小尺寸與更強性能的完美統一。

產品效率躍升：器件損耗相對降低5%**

在約2500W的輸出功率（P-out）下，效率高達99.3%，進一步實現性能躍升。（**是指在測試電路 Boost 半橋升壓電路 240Vin-400Vout 中得到）

熱性能優化：持續穩定運行的最優解

在最大輸出功率約7700W的嚴苛條件下，相同 Rds(on) 器件實測溫升降低8.6℃，相對降幅高達66%。顯著提升系統在持續高功率運行時的穩定性和壽命。

ESD 能力增強：較上一代相對提升50%，全面實現≥2000V（HBM&CDM）

封裝類型：近20種封裝滿足全場景應用

Gen3 技術平臺提供全面的封裝解決方案，覆蓋從消費電子到工業級應用的全場景需求：

支持包含TO-247-3/4L、TO-220、TO-252-3/4L、DFN8x8-8L、PQFN8x8-2L、TOLL、TOLT、TO-247PLUS-4L、QDPAK等全系列近20種封裝。

八項核心技術特點：構建差異化競爭優勢

D-mode GaN 低損耗封裝：采用創新封裝結構，寄生電感降低30%，高頻開關性能優異；

調速 GaN 功率器件：可靈活調節開通速度而不增加開通延時，同時不犧牲效率，適配不同應用場景的動態需求；

無損電流采樣器件：集成高精度電流檢測功能，無需額外采樣電阻，提高系統效率；

合封 IC 技術：將驅動電路與功率器件集成，簡化外圍設計，縮小應用體積；

ESD 增強設計：全面實現 HBM 與 CDM 模式下≥2000V的靜電防護能力，可靠性進一步鞏固；

雙向器件結構：單一芯片實現雙向導電功能，簡化雙向變流器拓撲；

內絕緣封裝技術：模塊內部集成隔離設計，提高系統安全性，降低散熱需求；

車規級可靠性：完全符合汽車 AEC-Q101 標準。

應用領域：多元生態場景釋放能效革命紅利

Gen3 技術平臺憑借卓越性能，已覆蓋多個戰略領域，將為各行業帶來更多顛覆性的能效提升。

【消費電子】

鎵未來已與聯想、大疆、LG、惠普、臺達、小米等多家 PD 快充適配器頭部企業達成量產合作，助力多款“小體積、大能量”適配器走進用戶生活，持續推動高效、高速的科技發展浪潮。

【工業與能源】

鎵未來憑借業界首款3.6kW雙向儲能逆變器及效率高達98%的3kW通訊電源等成果，奠定了在工業與能源領域的穩固地位。

【交通電動化】

鎵未來 G3E65R009 系列——全球 Rdson 最小的650V氮化鎵分立器件，IDS (pulse)實測可達1500A，是全球通流能力最大的 GaN 分立器件，目前已與多家頭部車廠及供應商開啟研發驗證。

此外，鎵未來 Gen3 系列產品的應用已廣泛覆蓋LED 照明、高性能計算、家電與電機等多個領域。同時，面對 AI 等智能化領域的快速發展，公司正通過持續的技術迭代與產業升級，積極開拓新的合作機會與技術切入點。

鎵未來 Gen3 系列產品憑借其卓越的可靠性、更高效率與更小體積，正日益成為電源設計工程師的優選方案，助力合作伙伴實現更高效、更便攜、更穩定的產業升級。

關于鎵未來

珠海鎵未來科技有限公司是行業領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術企業，致力于第三代半導體硅基氮化鎵(GaN-on-Si)器件的研發與產業化，在國內率先實現全功率范圍氮化鎵器件的量產。其開發的產品具有使用簡單(兼容 Si MOSFET 驅動)、可靠性高、性能參數領先等優點，包含 PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252-3L/4L 等貼片類以及TO-220(F)、TO-247-3L/4L 等插件類在內的全系列封裝外型，是高效、節能、環保的新一代功率器件。豐富的應用方案包括 PD 快充適配器、PC 電源、電動工具充電器、電機驅動、超薄 TV 電源、新國標 EBIKE 電源、LED 驅動電源、儲能雙向逆變器、電池化成電源、ICT 服務器電源、算力電源、車載雙向 DC-DC 等。

自2020年成立以來，鎵未來申請和已獲專利近60項，并獲得多項榮譽與資質，包括：2022年度本土創新創業團隊一等獎、國家級“高新技術企業”、廣東省“創新型中小企業”、廣東省“專精特新”中小企業、“氮化鎵器件900V系列產品”與“650V/035mΩ大功率產品”被評為省名優高新產品、澳門 BEYOND Award 消費科技創新大獎、2023年度創客廣東半導體與集成電路專題賽企業組一等獎、2022~2023連續兩年獲得中國半導體市場最佳產品和最佳解決方案獎、2023~2025連續三年獲得最佳功率器件/寬禁帶器件獎。

鎵未來總部位于橫琴粵澳深合區，致力于新一代功率氮化鎵芯片的設計與開發；深圳子公司則聚焦在產品的應用和市場拓展，在上海的分公司和杭州的華東應用中心，可以為客戶提供全方位的售前售后支持。鎵未來以“打造和普及一流的氮化鎵產品”為使命，立志為業界提供“最好用最可靠”的氮化鎵產品。