在第三代半導(dǎo)體加速滲透的浪潮中，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)堅(jiān)持研發(fā)創(chuàng)新，推出行業(yè)領(lǐng)先的SiC Trench MOS，不僅彰顯了技術(shù)突破的實(shí)力，更成為企業(yè)價(jià)值增長、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵錨點(diǎn)。

定義業(yè)界標(biāo)桿

公司SiC Trench MOS行業(yè)領(lǐng)先

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體核心材料，在電力電子器件領(lǐng)域的價(jià)值日益凸顯。其中，SiC Trench MOS因多重優(yōu)勢，被視為下一代功率器件的重要方向，但受限于制造工藝，長期以來產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程緩慢。

聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)以創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng)，推出SiC溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET（Trench MOS），其工藝在成本和性能上已處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

什么是溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET？相較于傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)，溝槽結(jié)構(gòu)通過將柵極埋入基體形成垂直溝道，寄生電容更小，開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗顯著降低；同時(shí)，通過優(yōu)化溝道設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)更高溝道遷移率，進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻，在充電樁、光伏逆變器、電動(dòng)汽車等場景中，展現(xiàn)出突出的應(yīng)用價(jià)值。

產(chǎn)能前瞻布局

筑牢技術(shù)落地的根基

技術(shù)突破的同時(shí)，公司在產(chǎn)能端開展前瞻布局。公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)位于德國漢堡晶圓廠的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線將在第四季度完成SiC和GaN中試產(chǎn)線建設(shè)；同時(shí)，控股股東先行代建的臨港晶圓廠正導(dǎo)入新一代IGBT及BCD工藝。這些產(chǎn)線的落地，將為公司新產(chǎn)品的工藝與成本改善提供支撐，同時(shí)助力公司在GaN、SiC、IGBT等領(lǐng)域形成技術(shù)與產(chǎn)能的聯(lián)動(dòng)優(yōu)勢，推動(dòng)“技術(shù)創(chuàng)新—規(guī)模效應(yīng)”的良性循環(huán)。盡管新產(chǎn)品在公司業(yè)務(wù)中占比尚小，但隨著研發(fā)的有序推進(jìn)，有望為未來發(fā)展注入新動(dòng)力。

目前，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)自有工廠滿產(chǎn)運(yùn)行，臨港晶圓廠等第三方代工廠訂單充足，三季度訂單持續(xù)向好，為全年增長打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

業(yè)績穩(wěn)健增長

彰顯市場高度認(rèn)可

研發(fā)與產(chǎn)能上的持續(xù)深耕，正在轉(zhuǎn)化為實(shí)實(shí)在在的業(yè)績?cè)鲩L。

2025年以來，聞泰半導(dǎo)體業(yè)務(wù)景氣度持續(xù)回升：一季度收入同比增長超8%，經(jīng)營性凈利潤同比增長超65%；二季度延續(xù)增長態(tài)勢，收入、凈利潤同比及環(huán)比均實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長，且凈利潤增速高于收入增速，反映出公司在出貨量提升與成本管控上的雙重成效。

伴隨全球?qū)Ω咝拾雽?dǎo)體器件的需求增長，功率半導(dǎo)體有望在新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心、機(jī)器人等領(lǐng)域拓展更大空間。隨著市場趨勢對(duì)半導(dǎo)體的依賴性增強(qiáng)，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)未來幾年的增長趨勢是積極的。

SiC Trench MOS的推出，是聞泰科技在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要突破。聞泰科技正以其為支點(diǎn)，持續(xù)深耕SiC、GaN、IGBT等前沿領(lǐng)域，通過構(gòu)建領(lǐng)先的制造能力，在技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)落地中不斷創(chuàng)造價(jià)值，為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入持續(xù)動(dòng)力。