国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

電子發燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>新品快訊>SK8855/SK8850 Multimedia Contr

SK8855/SK8850 Multimedia Contr

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦
熱點推薦

CES 2025 :AI影響下的存儲技術產品走向

電子發燒友網報道(文/黃晶晶)2025年1月在CES展上,存儲大廠紛紛秀肌肉,而他們無一例外地展示了其存儲之于AI應用的實力。SK海力士、三星、美光等廠商帶來了最新的技術和產品,他們引領著AI存儲
2025-01-13 09:11:133033

XINGLIGHT成興光- 推出幻彩新品,迎合幻彩領域照明應用新趨勢爆發!

成興光深耕LED領域12年,基于技術沉淀與市場洞察,推出WS2812B幻彩系列和SK6812B幻彩系列產品,既精準響應行業趨勢,更直擊市場痛點,以真實可靠的性能數據和全場景適配能力,成為商業工程、家居裝飾、新興應用領域的優選方案。
2025-12-30 09:44:02575

英偉達、SK海力士與群聯電子共同開發AI固態硬盤

行業芯事行業資訊
電子發燒友網官方發布于 2025-12-24 13:38:26

今日看點:Cadence 以臺積電 N3P 制程流片第三代 UCIe IP;JBD推出“走鵑Ⅰ”彩色光引擎

英偉達、SK海力士與群聯電子共同開發AI固態硬盤 ? 日前,據報道,英偉達與韓國SK海力士共同開發新型人工智能固態硬盤,群聯電子也參與開發。這款AI專用固態硬盤的效能預計將達到當前AI服務器所用
2025-12-24 10:39:13942

三星美光缺貨怎么辦|紫光國芯國產存儲芯片現貨供應替代方案

缺貨先說說為什么會出現這種局面。三星和SK海力士從2024年底就開始減產NAND閃存,幅度還不小。SK海力士2025年NAND晶圓出貨量從2024年的201萬顆降
2025-12-16 14:34:16434

編碼板CM2001M與模組CM8855EM:構建防無人機閉環防御,筑牢低空安全防線

模組的性能直接決定了防御體系的可靠性與高效性。CM2001M MIPI編碼板與模組CM8855EM構建的“探測-識別-干擾”閉環防御鏈條,為防無人機領域提供了高性能解決方案。 CM2001M:毫秒級感知的“視覺神經” CM2001M MIPI編碼板以“低延時、高兼
2025-12-02 17:26:42670

愛芯元智邊緣AI芯片AX8850完成Qwen3-VL多模態大模型適配

已適配 Qwen3-VL-2B/4B/8B 到 AX8850 開發板和 M.2 算力卡,可在本地完成圖片內容理解和視頻概要生成,可配合“樹莓派5”使用。
2025-11-26 13:57:232373

SK海力士HBS存儲技術,基于垂直導線扇出VFO封裝工藝

電子發燒友網綜合報道,據韓媒報道,存儲行業巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發的這項HBS技術采用了創新的芯片堆疊方案。根據規劃,該技術將通過一種名為
2025-11-14 09:11:212446

SK海力士發布未來存儲路線圖

電子發燒友網綜合報道,近日,韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上,SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全線AI存儲創造者”(Full
2025-11-08 10:49:083180

看點:英偉達將在韓國部署26萬枚GPU 中國服務器龍頭超聚變籌備上市 中芯國際控股公司增資至59.5億美元

給大家帶來一些業界新聞: 英偉達將在韓國部署26萬枚GPU 據外媒報道,在10月31日,英偉達公司宣布將與韓國政府及三星電子、SK集團、現代汽車集團、NaverCloud一起合作在韓國部署26萬枚
2025-10-31 11:46:28474

?DRV8850 低電壓H橋驅動器技術文檔總結

DRV8850器件為消費類產品、玩具和其他低壓或電池供電的運動控制應用提供電機驅動器和LDO穩壓器解決方案。該器件具有一個 H 橋驅動器,用于驅動直流電機、一個音圈執行器、一個步進電機繞組、一個
2025-10-17 14:30:31545

星海SK系列肖特基二極管SMBG、SMBX、SMC三種封裝選型建議

本文將帶來星海SK系列肖特基二極管SMBG、SMBX、SMC三種封裝選型建議,幫助您為項目選擇最合適的器件。SMBG封裝尺寸適中:體積相對較小,適合在空間有限的P
2025-10-16 16:08:09742

基于樹莓派5+LLM8850 Card的高性能AI加速解決方案

在推廣的過程中,樹莓派生態客戶反饋希望能提供一種兼容原裝Raspberry PI HAT的M.2 2242的AI Card版本。經過國內優秀的AIOT硬件設計公司M5Stack長達幾個月的反復設計,終于在本周正式上架了LLM?8850?Card,非常和Raspberry PI 5匹配。
2025-10-14 11:25:401412

RT-Thread生成玄鐵RISC-V BSP的CDK工程開發指南 | 技術集結

內核提供了完整的BSP支持,相關代碼位于bsp/xuantie目錄下。類似ARM芯片常用的MDK(Keil)環境,RISC-V芯片也可通過玄鐵提供的CDK(C-SK
2025-09-28 10:06:374109

新品 | LLM-8850 Card, AX8850邊緣設備AI加速卡

LLM?8850?Card是一款面向邊緣設備的M.2M-KEY2242?AI加速卡,把42?mm的袖珍體積與AxeraAX8850?SoC的24?TOPS?@?INT8算力結合起來,為
2025-09-26 18:18:54694

SK海力士ZUFS 4.1閃存,手機端AI運行時間縮短47%!

電子發燒友網綜合報道,SK海力士宣布,已正式向客戶供應其全球率先實現量產的移動端NAND閃存解決方案產品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作,于今年6月成功完成了該產品的客戶驗證
2025-09-19 09:00:003507

SK3562-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

### 1. 產品簡介(SK3562-VB)SK3562-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為大功率、高壓應用設計。它具有較高的最大漏源電壓(VDS)為650V,適用于
2025-09-17 15:10:14

全球首款HBM4量產:2.5TB/s帶寬超越JEDEC標準,AI存儲邁入新紀元

電子發燒友網報道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲器(HBM4)的開發,并同步進入量產階段,成為首家向英偉達等核心客戶交付 HBM4 的存儲廠商。 ? 據悉,SK
2025-09-17 09:29:085962

SK海力士宣布量產HBM4芯片,引領AI存儲新變革

在人工智能(AI)技術迅猛發展的當下,數據處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國半導體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產品
2025-09-16 17:31:141362

美對華芯片管制再升級!

當地時間 8 月 29 日,根據美國《聯邦公報》發布的通知顯示,美國商務部工業與安全局(BIS)修訂《出口管理條例》(EAR),將英特爾半導體(大連)有限公司(已被 SK 海力士收購,按原計劃今年
2025-09-02 17:40:11655

非對稱密鑰生成和轉換規格詳解

(Modulus),是私鑰和公鑰的公共參數。 sk:私鑰指數(privateExponent),公式中常寫作d。 pk:公鑰指數(publicExponent),公式中常寫作e。 當創建非對稱密鑰生成器
2025-09-01 07:50:53

美撤銷三家在華半導體企業授權 包括英特爾 SK海力士 三星

據央視報道;在8月29日,美國商務部撤銷英特爾半導體(大連)、三星中國半導體及SK海力士半導體(中國)的經驗證最終用戶授權。中方商務部回應稱美方此舉系出于一己之私;美方將出口管制工具化,將對全球半導體產業鏈供應鏈穩定產生重要不利影響,中方對此表示反對。 ?
2025-08-31 20:44:16825

CYT2B7串口接收會漏接數據怎么解決?

串口中斷方式接收會漏接數據如串口工具發送 :1234567芯片接收到 :1357硬件是CYTVII-B-E-1M-SK開發板軟件是SDL v8.3 中的串口例程輪詢模式接收正常,中斷1BYTE模式接收不正常
2025-08-14 07:29:56

SK海力士高管預測:HBM將以每年30%速度增長

行業芯事行業資訊
電子發燒友網官方發布于 2025-08-11 13:44:09

2SK543-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

2SK543-VB品牌: VBsemi**參數:**- 封裝: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 額定電壓: 20V- 額定電流: 6A- RDS(ON): 24mΩ @ VGS
2025-08-09 10:13:33

2SK520-VB一款SOT23封裝P—Channel場效應MOS管

2SK520-VB,品牌VBsemi,SOT23封裝,P—Channel溝道,-30V,-5.6A,RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V,Vth=-1V。**詳細參數
2025-08-09 10:01:55

2SK3577-T1B-A-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

產品型號: 2SK3577-T1B-A-VB品牌: VBsemi參數: - 封裝類型: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大漏極電壓: 30V- 最大漏極電流: 6.5A-
2025-08-09 09:55:02

2SK3576-T1B-A-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

**2SK3576-T1B-A-VB 詳細參數說明和應用簡介:**- **品牌:** VBsemi- **型號:** 2SK3576-T1B-A-VB- **封裝:** SOT23**參數
2025-08-08 18:00:22

2SK3408-T2B-A-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

**2SK3408-T2B-A-VB 詳細參數說明:**- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23- **類型:** N—Channel 溝道 MOSFET- **最大耐壓
2025-08-08 17:54:04

2SK3408-T1B-A-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

參數說明:- 型號: 2SK3408-T1B-A-VB- 品牌: VBsemi- 封裝: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大電壓: 60V- 最大電流: 4A- RDS(ON)(導
2025-08-08 17:46:51

2SK3290BNTL-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

型號:2SK3290BNTL-VB品牌:VBsemi封裝:SOT23參數:- N-Channel溝道- 額定電壓(VDS):30V- 額定電流(ID):6.5A- 開啟電阻(RDS(ON)):30m
2025-08-08 17:44:30

2SK3000-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

詳細參數說明:- 產品型號: 2SK3000-VB- 品牌:VBsemi- 封裝:SOT23- 類型:N—Channel溝道- 額定電壓:30V- 額定電流:6.5A- 開態電阻(RDS
2025-08-08 17:41:00

2SK2980ZZ-TR-E-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

2SK2980ZZ-TR-E-VB  品牌: VBsemi**詳細參數說明:**- 封裝類型:SOT23- 溝道類型:N—Channel- 最大漏極電壓:30V- 最大漏極電流:6.5A-
2025-08-08 17:36:41

2SK2969-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

**詳細參數說明:**- **型號:** 2SK2969-VB- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23- **溝道類型:** N-Channel- **額定電壓:** 30V-
2025-08-08 17:33:55

2SK2911-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

**2SK2911-VB 詳細參數說明:**- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23- **溝道類型:** N-Channel- **最大承受電壓:** 100V- **最大
2025-08-08 17:30:25

2SK2910-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

**產品型號:** 2SK2910-VB**品牌:** VBsemi**參數:**- 封裝:SOT23- 溝道類型:N—Channel- 最大電壓:20V- 最大電流:6A- 導通電阻:RDS
2025-08-08 17:28:21

2SK2909-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

2SK2909-VB是VBsemi品牌的N-Channel溝道MOSFET,采用SOT23封裝。主要參數包括工作電壓20V、電流承受能力6A、導通電阻RDS(ON)=24mΩ(在VGS=4.5V
2025-08-08 17:26:11

2SK2731T146-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

**2SK2731T146-VB參數:**- 額定電壓(VDS):30V- 額定電流(ID):6.5A- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):30mΩ(VGS=10V,VGS=20V)- 閾值電壓
2025-08-08 17:23:39

2SK2273-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓: Vth = 0.45~1V應用簡介:2SK2273-VB是一款N-Channel溝道MOSFET,適用于SOT23封裝。主要應用
2025-08-08 17:21:38

2SK209-VB一款SOT23封裝P—Channel場效應MOS管

**VBsemi 2SK209-VB MOSFET****詳細參數說明:**- 品牌: VBsemi- 產品型號: 2SK209-VB- 封裝: SOT23- 極性: P—Channel- 最大漏極
2025-08-08 17:17:33

2SK2009-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

VBsemi 2SK2009-VB是一款N-Channel溝道MOSFET,以下是詳細參數說明和應用簡介:- **電壓規格:** 30V- **電流規格:** 6.5A- **導通電阻(RDS
2025-08-08 17:15:20

2SK1849-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

**2SK1849-VB 詳細參數說明:**- **品牌:** VBsemi- **型號:** 2SK1849-VB- **封裝:** SOT23- **溝道類型:** N-Channel-
2025-08-08 17:13:07

2SK1848-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

**2SK1848-VB**- **品牌:** VBsemi- **參數:** - 封裝:SOT23 - 溝道類型:N—Channel - 最大承受
2025-08-08 17:10:38

2SK1847-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

**VBsemi 2SK1847-VB 詳細參數說明和應用簡介:****產品型號:** 2SK1847-VB**品牌:** VBsemi**參數:**- **封裝類型:** SOT23- **溝道
2025-08-08 17:08:22

2SK1657-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

產品型號: 2SK1657-VB品牌: VBsemi參數: - 封裝類型: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大漏極電壓: 30V- 最大漏極電流: 6.5A- 開啟電阻
2025-08-08 17:05:16

2SK1582-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

VBsemi 2SK1582-VB 參數:- 封裝:SOT23- 類型:N-通道MOSFET- 漏極-源極電壓(Vds):30V- 連續漏極電流(Id):6.5A- 導通電阻(RDS(ON)):在
2025-08-08 17:02:46

2SK1215-VB一款SOT23封裝N—Channel場效應MOS管

2SK1215-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝N-Channel溝道場效應晶體管。以下是詳細參數和應用簡介:**詳細參數:**- 封裝:SOT23- 極性:N-Channel- 額定電壓
2025-08-08 16:59:42

強強合作 Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動高帶寬閃存技術標準化

Sandisk閃迪公司(NASDAQ:SNDK)正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄(Memorandum of Understanding,MOU),雙方將攜手制定高帶寬閃存
2025-08-08 13:37:381847

SK海力士:HBM貢獻半數利潤,年內供應LPDDR服務器模組

電子發燒友網綜合報道,SK海力士截至2025年6月30日的2025財年第二季度財務報告顯示,公司2025財年第二季度營業收入為22.232萬億韓元,營業利潤為9.2129萬億韓元,凈利潤為
2025-08-07 09:30:066211

請問K210如何配置I2S讀取MIC陣列數據?

[ARG_sk9822_dat].u_int, FUNC_GPIOHS0 + SK9822_DAT_GPIONUM); fpioa_set_function(args[ARG_sk9822_clk].u_int
2025-08-05 07:26:18

Texas Instruments 適用于AM64x Sitalog ?處理器的SK-AM64B入門套件數據手冊

Texas Instruments適用于AM64x Sitara?處理器的SK-AM64B入門套件是一個獨立的測試和開發平臺,是加速設計原型階段的理想選擇。AM64x處理器由一個雙核64位ARM
2025-07-28 10:20:08576

SK集團旗下三家ICT企業攜手舉行電腦捐贈

近日,SK集團旗下在錫三家ICT企業,SK海力士半導體(中國)有限公司,英普賽信息技術(無錫)有限公司,愛思開希恩希系統(北京)有限公司在旺莊街道建發社區籌建組社區黨群服務中心舉行SK海力士幸福未來教育成長中心2號店啟動儀式。
2025-07-24 11:38:17838

SK海力士的未來愿景

1969年,40萬名科技工作者憑借堅韌不拔的協作精神,成功完成登月計劃“阿波羅11號任務”,開啟了人類探索宇宙的新紀元。2003年,來自6個國家20多家研究機構的科學家,歷經13年通力合作,完成了“人類基因組計劃”,重塑了現代醫學格局。當人類團結一心,便能夠不斷創造新的輝煌。
2025-07-21 15:57:13742

SK海力士321層4D NAND的誕生

SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領域持續創新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:591508

SK海力士在微細工藝技術領域的領先實力

SK海力士的成功神話背后,離不開眾多核心技術的支撐,其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理,SK海力士憑借壓倒性的技術實力,引領著全球半導體行業的發展。這一切的基礎正源于“一個團隊”協作精神(One-Team Spirit)。
2025-07-03 12:29:501591

SK海力士HBM技術的發展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021665

SK海力士攜HBM4及面向AI的存儲器產品組合亮相2025國際電腦展

SK海力士于5月20日至23日舉辦的2025年臺北國際電腦展(COMPUTEX Taipei 2025,以下簡稱COMPUTEX)上,展示了其涵蓋AI服務器、個人電腦和移動設備等多個領域的豐富
2025-06-05 14:13:561805

SK海力士宋清基TL榮庸發明日銅塔產業勛章

SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發明日紀念儀式”上,來自HBM開發部門的宋清基TL榮庸銅塔產業勛章。
2025-06-03 09:36:481001

SK海力士向無錫首個應急救援驛站捐贈AED設備

近日,SK海力士向無錫市首個應急救援驛站(山水城(雪浪街道)石塘社區)捐贈自動體外除顫儀(AED)設備,助力提升基層應急救援能力,為居民生命健康筑起堅實屏障。
2025-05-28 15:36:51761

SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領跑者

近年來,SK海力士屢獲創新成果,這些成就皆得益于“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)”。無論是創下歷史最佳業績、開發出全球領先產品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商,這些
2025-05-23 13:54:361014

SK海力士UFS 4.1來了,基于321層1Tb TLC 4D NAND閃存

電子發燒友網綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008530

愛芯元智發布邊緣智能芯片AX8850

”為主題,愛芯元智聯合創始人、副總裁劉建偉受邀出席,不僅帶來最新算力產品AX8850,也對當下邊緣計算需求對具身智能發展的推動給出了深層思考。
2025-05-16 10:59:561406

愛芯元智AX8850:以邊緣算力,讓具身智能觸手可及

”的創新IC新品推介。受主辦方邀請,愛芯元智半導體股份有限公司聯合創始人、副總裁劉建偉帶來了《AX8850:以邊緣算力,讓具身智能觸手可及》為主題的分享。 ? 愛芯元智成立于2019年5月,致力于打造世界領先的人工智能感知與邊緣計算芯片,服務
2025-05-13 18:16:077297

SK海力士以基于AI/DT的智能工廠推動HBM等核心產品的營收增長

近日,SK海力士宣布,在首爾江南區韓國科學技術會館舉行的“2025年科學?信息通訊日紀念儀式”上,公司數字化轉型組織的都承勇副社長榮獲了科學技術信息通信部頒發的銅塔產業勛章。
2025-05-09 10:29:10969

HBM重構DRAM市場格局,2025年首季DRAM市占排名

增長42.5%至267.29億美元,環比減少8.5%。 ? 然而不可忽視的是,在2025年一季度,SK海力士憑借在HBM領域的絕對優勢,終結三星長達四十多年的市場統治地位,以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。 ? ? 其實從2024年SK海力士與三星在DRAM上的差距就已經開始
2025-05-06 15:50:231210

英偉達供應商SK海力士盈利大增158%

得益于AI需求的有力推動;高帶寬內存(HBM)需求持續暴漲,這帶動了英偉達供應商SK海力士盈利大增158%。 據SK海力士公布的財務業績數據顯示,在2025年第一季度SK海力士的營收增長42%;達到
2025-04-24 10:44:261231

SK6812燈珠的控制,選擇了PWM+DMA的方式,遇到的問題求解決

最近在搞SK6812燈珠的控制,選擇了PWM+DMA的方式,在執行HAL_TIM_PWM_Start_DMA的時候能看到長度和數據都是我配置的值: 但是輸出的波形就是不對: DMA循環單次都試過
2025-04-23 07:44:27

SK海力士強化HBM業務實力的戰略規劃

隨著人工智能技術的迅猛發展,作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現了顯著的增長,為SK海力士在去年實創下歷史最佳業績做出了不可或缺的重要貢獻。業內普遍認為,SK海力士的成長不僅體現在銷售額的大幅提升上,更彰顯了其在引領AI時代技術變革方面所發揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59991

混合鍵合技術將最早用于HBM4E

電子發燒友網綜合報道,據韓媒報道,SK海力士副總裁李圭(音譯)近日在學術會議上表示,SK海力士正在推行混合鍵合在 HBM 上的應用。目前正處于研發階段,預計最早將應用于HBM4E。 ? 據介紹,目前
2025-04-17 00:05:001060

工業級遠程無線開關控制模塊--輕松實現一對多MESH組網

SK200PRO-U作為一款工業級遠程無線單路開關控制模塊,其強大的驅動力、高效的抗干擾能力以及多重安全保護設計,集成了 LoRa 擴頻調制技術和 MESH 自組網功能,具有高效、穩定、靈活的特點。
2025-04-07 11:46:20747

SK海力士已完成收購英特爾NAND業務部門的第二(最終)階段交易

3 月 28 日消息,根據 SK 海力士向韓國金融監管機構 FSS 披露的文件,該企業已在當地時間今日完成了收購英特爾 NAND 閃存及 SSD 業務案的第二階段,交易正式完成。 這筆交易
2025-03-28 19:27:581227

今日看點丨美國將召開聽證會,或對中國成熟制程芯片加征關稅;三星電子正開發下一代封裝材料“玻璃中介

1. 250 億韓元! SK Keyfoundry 收購碳化硅廠商 SK Powertech ? SK Keyfoundry宣布決定以250億韓元的價格從SK Inc.收購SK Powertech
2025-03-10 11:15:49749

SK海力士將關閉CIS圖像傳感器部門 轉向AI存儲器領域

3 月 6 日消息,綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道,SK 海力士今日在內部宣布將關閉其 CIS(CMOS 圖像傳感器)部門, 該團隊的員工將轉崗至 AI 存儲器領域 。SK
2025-03-06 18:26:161078

LPDDR4 16Gb 技術文檔詳解:SK hynix H9HCNNNBKUMLXR 規格書

本文詳細介紹了 SK hynix 公司生產的 LPDDR4 16Gb(x16,2 Channel,1 CS)內存芯片 H9HCNNNBKUMLXR 的技術規格書。該文檔提供了芯片的詳細參數、功能描述
2025-03-03 14:07:05

突破70%!消息稱SK海力士HBM4測試良率再創新高

行業芯事行業資訊
電子發燒友網官方發布于 2025-02-27 13:44:50

消息稱SK海力士即將完成收購英特爾NAND業務

行業芯事行業資訊
電子發燒友網官方發布于 2025-02-26 13:37:12

紫光展銳V8850芯片榮獲國密一級安全認證

近日,紫光展銳宣布其蜂窩物聯網芯片V8850成功榮獲國密一級安全認證。這一殊榮標志著紫光展銳V8850芯片在安全性能方面達到了行業領先水平,并獲得了權威機構的認可。 紫光展銳一直以來都致力于物聯網
2025-02-20 09:43:541198

SK海力士斥資千億擴建M15X晶圓廠,年底將投產HBM

據韓媒報道,SK海力士計劃于今年3月向其位于韓國的M15X晶圓廠派遣大量工程師,為該廠投產高頻寬內存(HBM)做最后準備。這一舉措標志著M15X晶圓廠投產的準備工作已進入沖刺階段,預計將于2025年第四季度正式投產。
2025-02-18 14:46:031275

SK海力士加速M15X晶圓廠投產準備

據最新報道,SK 海力士為滿足市場對高帶寬存儲器(HBM)的旺盛需求,正緊鑼密鼓地為M15X晶圓廠的投產做全面準備。公司計劃于今年3月向M15X工廠派遣工程師團隊,以確保工廠能夠順利啟動并投入生產
2025-02-18 11:16:58884

SK海力士與三星或停用中國EDA軟件

據韓國媒體報道,SK海力士已啟動對中國半導體電子設計自動化(EDA)軟件的緊急審查程序。此舉被視為對美國特朗普政府針對中國實施額外制裁的回應。 分析指出,近期中國EDA公司華大九天的韓國分公司被美國
2025-02-18 10:51:541079

SK海力士緊急審查中國EDA軟件使用

據韓國媒體報道,韓國半導體行業的巨頭SK海力士,為應對美國可能出臺的新政策,已開始對其所使用的中國半導體電子設計自動化(EDA)軟件進行緊急審查。這一舉措反映了全球半導體產業在地緣政治緊張局勢下
2025-02-18 09:47:04827

紫光展銳V8850榮獲國密一級安全認證

近日,紫光展銳蜂窩物聯網芯片V8850榮獲國密一級認證,標志著展銳V8850在安全能力方面獲得權威認可,位居行業領先水平。這是紫光展銳繼短距物聯網芯片V5663在2020獲得ARM PSA
2025-02-15 14:53:111479

Microchip APTGT150SK60T1G是一款功能強悍的功率模塊

APTGT150SK60T1G型號簡介       APTGT150SK60T1G是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊宛如一位技藝高超的舞者
2025-02-12 15:25:53

三星與SK海力士實施NAND閃存“自然減產”

據外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉換實現“自然減產”。 據業內消息透露,自去年年底以來,三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13856

Microchip APTGT75SK120TG是一款可以高頻切換的功率模塊

 APTGT75SK120TG型號簡介       APTGT75SK120TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊它如同一位優雅
2025-02-10 16:36:36

Microchip APTGT100SK170TG是一款穩定可靠的功率模塊

APTGT100SK170TG型號簡介       APTGT100SK170TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊猶如精密的時鐘,確保了
2025-02-08 17:44:28

SK 海力士發布2024財年財務報告

SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務報告,數據顯示,該公司在過去一年中取得了令人矚目的業績。 2024年全年,SK 海力士營收達到了661929億韓元(約
2025-02-08 16:22:381657

Microchip APTGT600SK60G是一款安全穩定的功率模塊

APTGT600SK60G型號簡介       APTGT600SK60G是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊如同一位英雄,揮舞著利劍,劈開
2025-02-08 09:26:02

SK海力士2024財年業績創新高,發放1500%績效獎金

近日,SK海力士發布了其截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務報告,業績表現出色。 數據顯示,SK海力士在2024年全年營收達到了661929億韓元(當前約合3346.71億元
2025-01-24 14:00:261054

SK海力士在CXL技術領域的研發進展

挑戰傳統,打破限制,勇攀高峰,打破常規者們在尋求開創性解決方案的過程中重塑規則。繼SK海力士品牌短片《誰是打破常規者》播出后,將推出一系列文章,展示公司在重塑技術、重新定義行業標準方面采取的各種“打破常規”的創新舉措。本系列第七篇文章將深入探討SK海力士在CXL技術領域的研發進展。
2025-01-24 10:25:271219

SK海力士創歷史最佳年度業績

SK海力士近日發布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務報告,數據顯示公司再創佳績。2024財年,SK海力士的營業收入高達66.1930萬億韓元,營業利潤達到23.4673萬億韓元,凈利潤更是攀升至19.7969萬億韓元,這一成績刷新了公司歷史上的最佳年度業績記錄。
2025-01-23 15:49:102056

SK海力士計劃減產NAND Flash存儲器以應對市場下滑

產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產決定。據悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產量削減10%。這一決定無疑將對市場產生深遠影響。 根據機構先前發布的報告,SK海力士在NAND Flash存儲器領
2025-01-20 14:43:551095

Microchip APTGT50SK170TG是一款高開關頻率的功率模塊

APTGT50SK170TG型號簡介       APTGT50SK170TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊具有低電壓降和低尾電流的優勢
2025-01-15 15:21:31

DSO753SK/DSO753SJ/DSO753SD:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器

深圳鴻合智遠|DSO753SK/DSO753SJ/DSO753SD:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-15 09:55:201047

Microchip APTGT50SK120TG是一款耐高溫的功率模塊

APTGT50SK120TG型號簡介       APTGT50SK120TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊采用先進的快速溝槽 + 場
2025-01-14 16:05:04

DSO533SK/DSO533SJ:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器

深圳鴻合智遠|DSO533SK/DSO533SJ:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-14 10:53:57809

表面貼裝差分輸出晶體振蕩器

深圳鴻合智遠|DSO223SK/DSO323SK/DSO223SJ/DSO323SJ/DSO223SD/DSO323SD:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-11 10:12:421008

SK海力士增產HBM DRAM,應對AI芯片市場旺盛需求

SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存(HBM)的DRAM產能,目標是將每月產能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外,其他領先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091301

SK海力士在CES 2025展示面向人工智能的存儲技術

SK海力士重返拉斯維加斯,參加2025年國際消費類電子產品展覽會(Consumer Electronics Show,以下簡稱“CES”),并展示其顛覆行業的面向人工智能的存儲創新技術。CES 2025于1月7日至10日舉行,匯聚了全球領先科技公司的頂尖人才與突破性技術,共同引領未來科技的發展潮流。
2025-01-07 16:20:461440

2025年CES展:英偉達CEO黃仁勛將發表演講并可能進行HBM對談

的專題演講外,有傳聞稱黃仁勛還將與SK集團的會長崔泰源進行一場視頻對談。這場對談預計將聚焦于高頻寬記憶體(HBM)的最新發展,特別是英偉達與SK海力士在新一代HBM4方面的合作。據媒體報道,去年11月崔泰源曾透露,英偉達已要求SK海力士提前半年出貨新一代
2025-01-06 13:54:105989

已全部加載完成