電子發燒友網報道(文/黃晶晶)2025年1月在CES展上,存儲大廠紛紛秀肌肉,而他們無一例外地展示了其存儲之于AI應用的實力。SK海力士、三星、美光等廠商帶來了最新的技術和產品,他們引領著AI存儲
2025-01-13 09:11:13
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成興光深耕LED領域12年,基于技術沉淀與市場洞察,推出WS2812B幻彩系列和SK6812B幻彩系列產品,既精準響應行業趨勢,更直擊市場痛點,以真實可靠的性能數據和全場景適配能力,成為商業工程、家居裝飾、新興應用領域的優選方案。
2025-12-30 09:44:02
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英偉達、SK海力士與群聯電子共同開發AI固態硬盤 ? 日前,據報道,英偉達與韓國SK海力士共同開發新型人工智能固態硬盤,群聯電子也參與開發。這款AI專用固態硬盤的效能預計將達到當前AI服務器所用
2025-12-24 10:39:13
942 缺貨先說說為什么會出現這種局面。三星和SK海力士從2024年底就開始減產NAND閃存,幅度還不小。SK海力士2025年NAND晶圓出貨量從2024年的201萬顆降
2025-12-16 14:34:16
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模組的性能直接決定了防御體系的可靠性與高效性。CM2001M MIPI編碼板與模組CM8855EM構建的“探測-識別-干擾”閉環防御鏈條,為防無人機領域提供了高性能解決方案。 CM2001M:毫秒級感知的“視覺神經” CM2001M MIPI編碼板以“低延時、高兼
2025-12-02 17:26:42
670 已適配 Qwen3-VL-2B/4B/8B 到 AX8850 開發板和 M.2 算力卡,可在本地完成圖片內容理解和視頻概要生成,可配合“樹莓派5”使用。
2025-11-26 13:57:23
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電子發燒友網綜合報道,據韓媒報道,存儲行業巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發的這項HBS技術采用了創新的芯片堆疊方案。根據規劃,該技術將通過一種名為
2025-11-14 09:11:21
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電子發燒友網綜合報道,近日,韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上,SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全線AI存儲創造者”(Full
2025-11-08 10:49:08
3180 給大家帶來一些業界新聞: 英偉達將在韓國部署26萬枚GPU 據外媒報道,在10月31日,英偉達公司宣布將與韓國政府及三星電子、SK集團、現代汽車集團、NaverCloud一起合作在韓國部署26萬枚
2025-10-31 11:46:28
474 DRV8850器件為消費類產品、玩具和其他低壓或電池供電的運動控制應用提供電機驅動器和LDO穩壓器解決方案。該器件具有一個 H 橋驅動器,用于驅動直流電機、一個音圈執行器、一個步進電機繞組、一個
2025-10-17 14:30:31
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本文將帶來星海SK系列肖特基二極管SMBG、SMBX、SMC三種封裝選型建議,幫助您為項目選擇最合適的器件。SMBG封裝尺寸適中:體積相對較小,適合在空間有限的P
2025-10-16 16:08:09
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在推廣的過程中,樹莓派生態客戶反饋希望能提供一種兼容原裝Raspberry PI HAT的M.2 2242的AI Card版本。經過國內優秀的AIOT硬件設計公司M5Stack長達幾個月的反復設計,終于在本周正式上架了LLM?8850?Card,非常和Raspberry PI 5匹配。
2025-10-14 11:25:40
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內核提供了完整的BSP支持,相關代碼位于bsp/xuantie目錄下。類似ARM芯片常用的MDK(Keil)環境,RISC-V芯片也可通過玄鐵提供的CDK(C-SK
2025-09-28 10:06:37
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LLM?8850?Card是一款面向邊緣設備的M.2M-KEY2242?AI加速卡,把42?mm的袖珍體積與AxeraAX8850?SoC的24?TOPS?@?INT8算力結合起來,為
2025-09-26 18:18:54
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電子發燒友網綜合報道,SK海力士宣布,已正式向客戶供應其全球率先實現量產的移動端NAND閃存解決方案產品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作,于今年6月成功完成了該產品的客戶驗證
2025-09-19 09:00:00
3507 ### 1. 產品簡介(SK3562-VB)SK3562-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為大功率、高壓應用設計。它具有較高的最大漏源電壓(VDS)為650V,適用于
2025-09-17 15:10:14
電子發燒友網報道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲器(HBM4)的開發,并同步進入量產階段,成為首家向英偉達等核心客戶交付 HBM4 的存儲廠商。 ? 據悉,SK
2025-09-17 09:29:08
5962 在人工智能(AI)技術迅猛發展的當下,數據處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國半導體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產品
2025-09-16 17:31:14
1362 當地時間 8 月 29 日,根據美國《聯邦公報》發布的通知顯示,美國商務部工業與安全局(BIS)修訂《出口管理條例》(EAR),將英特爾半導體(大連)有限公司(已被 SK 海力士收購,按原計劃今年
2025-09-02 17:40:11
655 (Modulus),是私鑰和公鑰的公共參數。
sk:私鑰指數(privateExponent),公式中常寫作d。
pk:公鑰指數(publicExponent),公式中常寫作e。
當創建非對稱密鑰生成器
2025-09-01 07:50:53
據央視報道;在8月29日,美國商務部撤銷英特爾半導體(大連)、三星中國半導體及SK海力士半導體(中國)的經驗證最終用戶授權。中方商務部回應稱美方此舉系出于一己之私;美方將出口管制工具化,將對全球半導體產業鏈供應鏈穩定產生重要不利影響,中方對此表示反對。 ?
2025-08-31 20:44:16
825 串口中斷方式接收會漏接數據如串口工具發送 :1234567芯片接收到 :1357硬件是CYTVII-B-E-1M-SK開發板軟件是SDL v8.3 中的串口例程輪詢模式接收正常,中斷1BYTE模式接收不正常
2025-08-14 07:29:56
2SK543-VB品牌: VBsemi**參數:**- 封裝: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 額定電壓: 20V- 額定電流: 6A- RDS(ON): 24mΩ @ VGS
2025-08-09 10:13:33
2SK520-VB,品牌VBsemi,SOT23封裝,P—Channel溝道,-30V,-5.6A,RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V,Vth=-1V。**詳細參數
2025-08-09 10:01:55
產品型號: 2SK3577-T1B-A-VB品牌: VBsemi參數: - 封裝類型: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大漏極電壓: 30V- 最大漏極電流: 6.5A-
2025-08-09 09:55:02
**2SK3576-T1B-A-VB 詳細參數說明和應用簡介:**- **品牌:** VBsemi- **型號:** 2SK3576-T1B-A-VB- **封裝:** SOT23**參數
2025-08-08 18:00:22
**2SK3408-T2B-A-VB 詳細參數說明:**- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23- **類型:** N—Channel 溝道 MOSFET- **最大耐壓
2025-08-08 17:54:04
參數說明:- 型號: 2SK3408-T1B-A-VB- 品牌: VBsemi- 封裝: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大電壓: 60V- 最大電流: 4A- RDS(ON)(導
2025-08-08 17:46:51
型號:2SK3290BNTL-VB品牌:VBsemi封裝:SOT23參數:- N-Channel溝道- 額定電壓(VDS):30V- 額定電流(ID):6.5A- 開啟電阻(RDS(ON)):30m
2025-08-08 17:44:30
詳細參數說明:- 產品型號: 2SK3000-VB- 品牌:VBsemi- 封裝:SOT23- 類型:N—Channel溝道- 額定電壓:30V- 額定電流:6.5A- 開態電阻(RDS
2025-08-08 17:41:00
2SK2980ZZ-TR-E-VB 品牌: VBsemi**詳細參數說明:**- 封裝類型:SOT23- 溝道類型:N—Channel- 最大漏極電壓:30V- 最大漏極電流:6.5A-
2025-08-08 17:36:41
**詳細參數說明:**- **型號:** 2SK2969-VB- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23- **溝道類型:** N-Channel- **額定電壓:** 30V-
2025-08-08 17:33:55
**2SK2911-VB 詳細參數說明:**- **品牌:** VBsemi- **封裝:** SOT23- **溝道類型:** N-Channel- **最大承受電壓:** 100V- **最大
2025-08-08 17:30:25
**產品型號:** 2SK2910-VB**品牌:** VBsemi**參數:**- 封裝:SOT23- 溝道類型:N—Channel- 最大電壓:20V- 最大電流:6A- 導通電阻:RDS
2025-08-08 17:28:21
2SK2909-VB是VBsemi品牌的N-Channel溝道MOSFET,采用SOT23封裝。主要參數包括工作電壓20V、電流承受能力6A、導通電阻RDS(ON)=24mΩ(在VGS=4.5V
2025-08-08 17:26:11
**2SK2731T146-VB參數:**- 額定電壓(VDS):30V- 額定電流(ID):6.5A- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):30mΩ(VGS=10V,VGS=20V)- 閾值電壓
2025-08-08 17:23:39
=4.5V, VGS=8V- 閾值電壓: Vth = 0.45~1V應用簡介:2SK2273-VB是一款N-Channel溝道MOSFET,適用于SOT23封裝。主要應用
2025-08-08 17:21:38
**VBsemi 2SK209-VB MOSFET****詳細參數說明:**- 品牌: VBsemi- 產品型號: 2SK209-VB- 封裝: SOT23- 極性: P—Channel- 最大漏極
2025-08-08 17:17:33
VBsemi 2SK2009-VB是一款N-Channel溝道MOSFET,以下是詳細參數說明和應用簡介:- **電壓規格:** 30V- **電流規格:** 6.5A- **導通電阻(RDS
2025-08-08 17:15:20
**2SK1849-VB 詳細參數說明:**- **品牌:** VBsemi- **型號:** 2SK1849-VB- **封裝:** SOT23- **溝道類型:** N-Channel-
2025-08-08 17:13:07
**2SK1848-VB**- **品牌:** VBsemi- **參數:** - 封裝:SOT23 - 溝道類型:N—Channel - 最大承受
2025-08-08 17:10:38
**VBsemi 2SK1847-VB 詳細參數說明和應用簡介:****產品型號:** 2SK1847-VB**品牌:** VBsemi**參數:**- **封裝類型:** SOT23- **溝道
2025-08-08 17:08:22
產品型號: 2SK1657-VB品牌: VBsemi參數: - 封裝類型: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大漏極電壓: 30V- 最大漏極電流: 6.5A- 開啟電阻
2025-08-08 17:05:16
VBsemi 2SK1582-VB 參數:- 封裝:SOT23- 類型:N-通道MOSFET- 漏極-源極電壓(Vds):30V- 連續漏極電流(Id):6.5A- 導通電阻(RDS(ON)):在
2025-08-08 17:02:46
2SK1215-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝N-Channel溝道場效應晶體管。以下是詳細參數和應用簡介:**詳細參數:**- 封裝:SOT23- 極性:N-Channel- 額定電壓
2025-08-08 16:59:42
Sandisk閃迪公司(NASDAQ:SNDK)正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄(Memorandum of Understanding,MOU),雙方將攜手制定高帶寬閃存
2025-08-08 13:37:38
1847 電子發燒友網綜合報道,SK海力士截至2025年6月30日的2025財年第二季度財務報告顯示,公司2025財年第二季度營業收入為22.232萬億韓元,營業利潤為9.2129萬億韓元,凈利潤為
2025-08-07 09:30:06
6211 [ARG_sk9822_dat].u_int, FUNC_GPIOHS0 + SK9822_DAT_GPIONUM);
fpioa_set_function(args[ARG_sk9822_clk].u_int
2025-08-05 07:26:18
Texas Instruments適用于AM64x Sitara?處理器的SK-AM64B入門套件是一個獨立的測試和開發平臺,是加速設計原型階段的理想選擇。AM64x處理器由一個雙核64位ARM
2025-07-28 10:20:08
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近日,SK集團旗下在錫三家ICT企業,SK海力士半導體(中國)有限公司,英普賽信息技術(無錫)有限公司,愛思開希恩希系統(北京)有限公司在旺莊街道建發社區籌建組社區黨群服務中心舉行SK海力士幸福未來教育成長中心2號店啟動儀式。
2025-07-24 11:38:17
838 1969年,40萬名科技工作者憑借堅韌不拔的協作精神,成功完成登月計劃“阿波羅11號任務”,開啟了人類探索宇宙的新紀元。2003年,來自6個國家20多家研究機構的科學家,歷經13年通力合作,完成了“人類基因組計劃”,重塑了現代醫學格局。當人類團結一心,便能夠不斷創造新的輝煌。
2025-07-21 15:57:13
742 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領域持續創新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:59
1508 SK海力士的成功神話背后,離不開眾多核心技術的支撐,其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理,SK海力士憑借壓倒性的技術實力,引領著全球半導體行業的發展。這一切的基礎正源于“一個團隊”協作精神(One-Team Spirit)。
2025-07-03 12:29:50
1591 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:02
1665 SK海力士于5月20日至23日舉辦的2025年臺北國際電腦展(COMPUTEX Taipei 2025,以下簡稱COMPUTEX)上,展示了其涵蓋AI服務器、個人電腦和移動設備等多個領域的豐富
2025-06-05 14:13:56
1805 
SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發明日紀念儀式”上,來自HBM開發部門的宋清基TL榮庸銅塔產業勛章。
2025-06-03 09:36:48
1001 近日,SK海力士向無錫市首個應急救援驛站(山水城(雪浪街道)石塘社區)捐贈自動體外除顫儀(AED)設備,助力提升基層應急救援能力,為居民生命健康筑起堅實屏障。
2025-05-28 15:36:51
761 近年來,SK海力士屢獲創新成果,這些成就皆得益于“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)”。無論是創下歷史最佳業績、開發出全球領先產品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商,這些
2025-05-23 13:54:36
1014 電子發燒友網綜合報道,SK海力士宣布公司成功開發出搭載全球最高321層1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND閃存的移動端解決方案產品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:00
8530 ”為主題,愛芯元智聯合創始人、副總裁劉建偉受邀出席,不僅帶來最新算力產品AX8850,也對當下邊緣計算需求對具身智能發展的推動給出了深層思考。
2025-05-16 10:59:56
1406 ”的創新IC新品推介。受主辦方邀請,愛芯元智半導體股份有限公司聯合創始人、副總裁劉建偉帶來了《AX8850:以邊緣算力,讓具身智能觸手可及》為主題的分享。 ? 愛芯元智成立于2019年5月,致力于打造世界領先的人工智能感知與邊緣計算芯片,服務
2025-05-13 18:16:07
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近日,SK海力士宣布,在首爾江南區韓國科學技術會館舉行的“2025年科學?信息通訊日紀念儀式”上,公司數字化轉型組織的都承勇副社長榮獲了科學技術信息通信部頒發的銅塔產業勛章。
2025-05-09 10:29:10
969 增長42.5%至267.29億美元,環比減少8.5%。 ? 然而不可忽視的是,在2025年一季度,SK海力士憑借在HBM領域的絕對優勢,終結三星長達四十多年的市場統治地位,以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。 ? ? 其實從2024年SK海力士與三星在DRAM上的差距就已經開始
2025-05-06 15:50:23
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得益于AI需求的有力推動;高帶寬內存(HBM)需求持續暴漲,這帶動了英偉達供應商SK海力士盈利大增158%。 據SK海力士公布的財務業績數據顯示,在2025年第一季度SK海力士的營收增長42%;達到
2025-04-24 10:44:26
1231 最近在搞SK6812燈珠的控制,選擇了PWM+DMA的方式,在執行HAL_TIM_PWM_Start_DMA的時候能看到長度和數據都是我配置的值:
但是輸出的波形就是不對:
DMA循環單次都試過
2025-04-23 07:44:27
隨著人工智能技術的迅猛發展,作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現了顯著的增長,為SK海力士在去年實創下歷史最佳業績做出了不可或缺的重要貢獻。業內普遍認為,SK海力士的成長不僅體現在銷售額的大幅提升上,更彰顯了其在引領AI時代技術變革方面所發揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59
991 電子發燒友網綜合報道,據韓媒報道,SK海力士副總裁李圭(音譯)近日在學術會議上表示,SK海力士正在推行混合鍵合在 HBM 上的應用。目前正處于研發階段,預計最早將應用于HBM4E。 ? 據介紹,目前
2025-04-17 00:05:00
1060 SK200PRO-U作為一款工業級遠程無線單路開關控制模塊,其強大的驅動力、高效的抗干擾能力以及多重安全保護設計,集成了 LoRa 擴頻調制技術和 MESH 自組網功能,具有高效、穩定、靈活的特點。
2025-04-07 11:46:20
747 
3 月 28 日消息,根據 SK 海力士向韓國金融監管機構 FSS 披露的文件,該企業已在當地時間今日完成了收購英特爾 NAND 閃存及 SSD 業務案的第二階段,交易正式完成。 這筆交易
2025-03-28 19:27:58
1227 
1. 250 億韓元! SK Keyfoundry 收購碳化硅廠商 SK Powertech ? SK Keyfoundry宣布決定以250億韓元的價格從SK Inc.收購SK Powertech
2025-03-10 11:15:49
749 3 月 6 日消息,綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道,SK 海力士今日在內部宣布將關閉其 CIS(CMOS 圖像傳感器)部門, 該團隊的員工將轉崗至 AI 存儲器領域 。SK
2025-03-06 18:26:16
1078 本文詳細介紹了 SK hynix 公司生產的 LPDDR4 16Gb(x16,2 Channel,1 CS)內存芯片 H9HCNNNBKUMLXR 的技術規格書。該文檔提供了芯片的詳細參數、功能描述
2025-03-03 14:07:05
近日,紫光展銳宣布其蜂窩物聯網芯片V8850成功榮獲國密一級安全認證。這一殊榮標志著紫光展銳V8850芯片在安全性能方面達到了行業領先水平,并獲得了權威機構的認可。 紫光展銳一直以來都致力于物聯網
2025-02-20 09:43:54
1198 據韓媒報道,SK海力士計劃于今年3月向其位于韓國的M15X晶圓廠派遣大量工程師,為該廠投產高頻寬內存(HBM)做最后準備。這一舉措標志著M15X晶圓廠投產的準備工作已進入沖刺階段,預計將于2025年第四季度正式投產。
2025-02-18 14:46:03
1275 據最新報道,SK 海力士為滿足市場對高帶寬存儲器(HBM)的旺盛需求,正緊鑼密鼓地為M15X晶圓廠的投產做全面準備。公司計劃于今年3月向M15X工廠派遣工程師團隊,以確保工廠能夠順利啟動并投入生產
2025-02-18 11:16:58
884 據韓國媒體報道,SK海力士已啟動對中國半導體電子設計自動化(EDA)軟件的緊急審查程序。此舉被視為對美國特朗普政府針對中國實施額外制裁的回應。 分析指出,近期中國EDA公司華大九天的韓國分公司被美國
2025-02-18 10:51:54
1079 據韓國媒體報道,韓國半導體行業的巨頭SK海力士,為應對美國可能出臺的新政策,已開始對其所使用的中國半導體電子設計自動化(EDA)軟件進行緊急審查。這一舉措反映了全球半導體產業在地緣政治緊張局勢下
2025-02-18 09:47:04
827 近日,紫光展銳蜂窩物聯網芯片V8850榮獲國密一級認證,標志著展銳V8850在安全能力方面獲得權威認可,位居行業領先水平。這是紫光展銳繼短距物聯網芯片V5663在2020獲得ARM PSA
2025-02-15 14:53:11
1479 APTGT150SK60T1G型號簡介 APTGT150SK60T1G是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊宛如一位技藝高超的舞者
2025-02-12 15:25:53
據外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉換實現“自然減產”。 據業內消息透露,自去年年底以來,三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13
856 APTGT75SK120TG型號簡介 APTGT75SK120TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊它如同一位優雅
2025-02-10 16:36:36
APTGT100SK170TG型號簡介 APTGT100SK170TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊猶如精密的時鐘,確保了
2025-02-08 17:44:28
SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務報告,數據顯示,該公司在過去一年中取得了令人矚目的業績。 2024年全年,SK 海力士營收達到了661929億韓元(約
2025-02-08 16:22:38
1657 APTGT600SK60G型號簡介 APTGT600SK60G是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊如同一位英雄,揮舞著利劍,劈開
2025-02-08 09:26:02
近日,SK海力士發布了其截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務報告,業績表現出色。 數據顯示,SK海力士在2024年全年營收達到了661929億韓元(當前約合3346.71億元
2025-01-24 14:00:26
1054 挑戰傳統,打破限制,勇攀高峰,打破常規者們在尋求開創性解決方案的過程中重塑規則。繼SK海力士品牌短片《誰是打破常規者》播出后,將推出一系列文章,展示公司在重塑技術、重新定義行業標準方面采取的各種“打破常規”的創新舉措。本系列第七篇文章將深入探討SK海力士在CXL技術領域的研發進展。
2025-01-24 10:25:27
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SK海力士近日發布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務報告,數據顯示公司再創佳績。2024財年,SK海力士的營業收入高達66.1930萬億韓元,營業利潤達到23.4673萬億韓元,凈利潤更是攀升至19.7969萬億韓元,這一成績刷新了公司歷史上的最佳年度業績記錄。
2025-01-23 15:49:10
2056 產品價格。 繼美光和三星宣布減產計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產決定。據悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產量削減10%。這一決定無疑將對市場產生深遠影響。 根據機構先前發布的報告,SK海力士在NAND Flash存儲器領
2025-01-20 14:43:55
1095 APTGT50SK170TG型號簡介 APTGT50SK170TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊具有低電壓降和低尾電流的優勢
2025-01-15 15:21:31
深圳鴻合智遠|DSO753SK/DSO753SJ/DSO753SD:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-15 09:55:20
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APTGT50SK120TG型號簡介 APTGT50SK120TG是Microchip推出的一款功率模塊,這款功率模塊采用先進的快速溝槽 + 場
2025-01-14 16:05:04
深圳鴻合智遠|DSO533SK/DSO533SJ:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-14 10:53:57
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深圳鴻合智遠|DSO223SK/DSO323SK/DSO223SJ/DSO323SJ/DSO223SD/DSO323SD:表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-11 10:12:42
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SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存(HBM)的DRAM產能,目標是將每月產能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外,其他領先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:09
1301 SK海力士重返拉斯維加斯,參加2025年國際消費類電子產品展覽會(Consumer Electronics Show,以下簡稱“CES”),并展示其顛覆行業的面向人工智能的存儲創新技術。CES 2025于1月7日至10日舉行,匯聚了全球領先科技公司的頂尖人才與突破性技術,共同引領未來科技的發展潮流。
2025-01-07 16:20:46
1440 的專題演講外,有傳聞稱黃仁勛還將與SK集團的會長崔泰源進行一場視頻對談。這場對談預計將聚焦于高頻寬記憶體(HBM)的最新發展,特別是英偉達與SK海力士在新一代HBM4方面的合作。據媒體報道,去年11月崔泰源曾透露,英偉達已要求SK海力士提前半年出貨新一代
2025-01-06 13:54:10
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