SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術的支撐，其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術實力，引領著全球半導體行業的發展。這一切的基礎正源于“一個團隊”協作精神（One-Team Spirit）。

本系列第三篇文章將深入探討SK海力士在微細工藝技術領域的領先實力，并回顧“一個團隊”協作精神在DRAM發展過程中的關鍵節點上所發揮的重要作用。

微細工藝，半導體創新的真正核心

微細工藝作為縮小半導體電路線寬的關鍵技術，一直以來都被視為技術革新的必要條件，而非可選項。至今，它仍被認為是提升競爭力的核心要素。

微細工藝之所以重要，是因為它直接關系到半導體性能與生產效率。這項技術使得半導體體積更小，從而在同等尺寸的晶圓上能夠制造出更多的芯片。同時，單個芯片中可集成的晶體管數量隨之增加，這提升了單位面積內的數據處理能力。此外，晶體管等元件的微型化也有效降低了芯片的整體功耗與發熱量。

SK海力士憑借“一個團隊”協作精神，成功將細微工藝推向全球頂尖水平，全面提升了數據處理速度、能效及產品可靠性。

微細工藝能夠縮小芯片尺寸并實現元件高密度集成，大幅提升半導體性能

所謂技術極限，就是用來突破的

SK海力士在微細工藝技術領域的發展歷程，堪稱一場與“極限”的較量。盡管起步較晚，SK海力士于1983年才首次涉足半導體產業，但僅用短短四年時間，便于1987年成功開發出1微米（μm）1工藝，其直徑約為發絲直徑的百分之一。

1微米：百萬分之一米。數值越小，表明工藝精細化程度越高。

公司并未就此止步，而是繼續加大研發投入。即便在1997年亞洲金融危機（IMF）期間，SK海力士依然取得了突破性進展，成功開發出相當于發絲直徑1/800的0.18微米工藝，再次令業界矚目。

21世紀初，微細工藝經歷了持續的迭代升級，邁入了納米時代，其精度也提升到十億分之一米的納米（nm）級別。SK海力士通過持續縮小電路線寬，分別在2006年實現了60納米級、2009年實現40納米級、2010年實現30納米級、2012年實現20納米級以及2018年實現10納米級工藝，展現了卓越的技術實力。

一直以來，半導體行業普遍遵循“摩爾定律”（Moore’s Law），即集成電路密度（微細化程度）每隔兩年將翻一倍。然而，隨著工藝復雜性和制程難度的不斷增加，業界對于技術已接近極限的擔憂也日益加劇。

然而，SK海力士通過持續的技術挑戰與開發，于2024年成功實現了全球首個第六代10納米級（1c）2技術的突破，展示了10納米（僅相當于發絲直徑的萬分之一）出頭的超微細化存儲工藝技術。基于該技術，SK海力士在性能方面取得了顯著提升，相較于上一代1b工藝，其運行速度提高了11%，能效則提升了9%。

2第六代10納米級(1c)技術:10納米級DRAM工藝技術按照1x-1y-1z-1a-1b-1c順序開發。

1c DRAM的研發成功具有里程碑式的意義，原因在于其恰逢技術難度急劇上升的分界點。此階段已經超越了單純縮小電路線寬的范疇，面臨著小到原子單位的物理極限、電子遷移的不確定性、數據信號串擾等諸多挑戰。為突破這些瓶頸，SK海力士積極引入極紫外（EUV）技術，通過利用更短波長的光源，實現了更高精度的細微電路繪制與成型，從而攻克難關，成功開發出1c工藝。

此外，SK海力士在雙倍數據速率（DDR, Double Data Rate）技術領域也不斷取得突破，持續推動DRAM的性能提升，其重要成就包括：1998年量產64Mb（兆位）SDRAM、2003年全球首次開發出1Gb（千兆位）DDR2、2007年成為全球首家獲得DDR3認證的企業、2009年推出44納米級DDR3 DRAM、2011年成功開發出30納米級2Gb DDR4 DRAM、2013年業內首次開發出20納米級LPDDR4 DRAM、2018年推出第二代10納米級16Gb DDR5 DRAM，2020年成為全球首家發布DDR5 DRAM產品的企業。SK海力士不斷刷新引領市場的技術紀錄。

推動SK海力士持續突破技術壁壘、不斷向前發展的根本動力，正是全體成員秉持的“一個團隊”協作精神。

全體成員秉持“一個團隊”協作精神，SK海力士持續刷新微細工藝引領市場的技術紀錄

以完美協同，共創里程碑式成就

微細工藝的實現并非依賴于某一特定團隊或個人的技術能力，而是需要多個專業團隊之間的緊密協作。在指甲大小的芯片內，需要集成數十億個電容器和晶體管等元件，并確保其正常運行。這一目標的達成，離不開各領域專家的共同努力與協同合作。

其中，這一領域的前沿技術研發由SK海力士未來技術研究院、DRAM產品規劃及開發等部門主導，他們肩負著開拓未知領域的先鋒使命。如今SK海力士已公開面世的技術成果，早在數年前就經過了他們的深入思考與嚴密論證，1c技術的誕生也是源于這些基礎性工作的積累。

將上述技術轉化為實體產品的制造工藝部門也擔負重任。為了使電路圖形進一步微細化，必須借助在晶圓上精密繪制圖案的光刻工序。近年來，隨著極紫外（EUV）技術的應用，半導體制造實現了更高精度的線路繪制，從而顯著提升了半導體的集成度。

要實現如此微細的立體電路結構，必須通過刻蝕工藝對電路周邊部位進行精密處理，以去除多余的材料。這一工序旨在僅保留實現微細化所必要的部分，任何細微失誤都可能直接影響產品良率與品質。

在晶圓上涂敷具有電氣特性的薄膜，為下一道工序鋪設“基底”的沉積工藝同樣至關重要。特別是為了實現超微細化電路，原子層沉積（ALD，Atomic Layer Deposition）技術被廣泛應用，該技術能夠以原子級精度對薄膜進行精確調控。

此外，還有擴散工藝，能夠在微細圖案上將所需物質（離子）按照指定深度精確注入指定位置。同時，通過刻蝕與拋光工藝，可以徹底去除晶圓上的微小雜質，并對其表面進行精細打磨。這些工藝在半導體制程中發揮著重要作用。接下來進入到封裝與測試（ P&T，Package & Test）過程，包括芯片間的電氣連接、芯片內部的散熱控制以及樣品測試等流程。這些技術是突破微細化工藝的核心關鍵，確保新技術能夠可靠運行。

一款產品從研發到最終問世，整個工藝流程的每道環節都需要交叉重復數百次。在此過程中，任何微小的失誤都將直接影響技術的成敗。因此，各部門必須保持近乎完美的精密協作，并通過持續溝通實現互補優化。而SK海力士能夠率先在全球范圍內首創1c技術，其核心成功要素正是全體成員所展現出的“一個團隊”協作精神。

一款產品的誕生，離不開各工藝間數百次的精密打磨與團隊間的高度協作

相比上一代技術，1c技術在性能、品質和生產效率等方面均實現了顯著提升，有望引領新一代存儲器技術的革新。此外，該技術可廣泛應用于所有下一代DRAM產品，包括面向AI的存儲器HBM、服務器和數據中心模塊、移動端LPDDR和圖形用GDDR等，預計將在市場上產生深遠影響。

SK海力士從不滿足于當前的技術成就，而是依托全公司上下“一個團隊”協作精神體系，持續優化并提升微細工藝技術實力。通過這一戰略舉措，公司旨在進一步鞏固其在DRAM市場的領導地位，并持續強化作為客戶最信賴的“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”的核心競爭力。