伦伦影院久久影视,天天操天天干天天射,ririsao久久精品一区 ,一本大道香蕉大久在红桃,999久久久免费精品国产色夜,色悠悠久久综合88,亚洲国产精品久久无套麻豆,亚洲香蕉毛片久久网站,一本一道久久综合狠狠老

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

SK海力士宋清基TL榮庸發明日銅塔產業勛章

SK海力士 ? 來源:SK海力士 ? 2025-06-03 09:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發明日紀念儀式”上,來自HBM開發部門的宋清基TL榮庸銅塔產業勛章。

此次“第60屆發明日紀念儀式”由韓國特許廳主辦,旨在表彰那些通過創新發明為國家產業發展做出突出貢獻的人士。

SK海力士的宋清基TL憑借在下一代HBM1產品研發、混合鍵合2(Hybrid Bonding)技術驗證及專利布局、集成PIM3技術的GDDR6-AiM4開發與專利化、推動DRAM技術在國際半導體標準化組織(JEDEC)的標準化進程,促進 CXL5原型產品的開發與專利布局,以及積極開展公司內外存儲器半導體技術培訓工作方面做出的卓越貢獻,榮獲銅塔產業勛章。

1高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory):一種高附加值、高性能存儲器,通過垂直互聯多個DRAM芯片, 與DRAM相比可顯著提升數據處理速度。HBM DRAM產品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)、HBM4(第六代)的順序開發,HBM4E(第 7 代)是目前正在開發的新品。

2混合鍵合(Hybrid Bonding) :一種無需凸點便可將芯片直接連接在一起從而實現更高帶寬和容量的技術。通過這一措施,芯片整體厚度將變得更薄,可以實現更高堆疊。目前該技術正在考慮用于16層及以上的HBM產品。

3PIM(Processing-In-Memory) :一種在存儲器中增加計算功能,解決AI和大數據處理中數據傳輸瓶頸,并大幅提升速度性能的新一代存儲技術。

4AiM(Accelerator-in-Memory) :SK海力士采用了PIM技術的半導體產品,其中包括GDDR6-AiM。

5CXL (Compute Express Link):新一代接口,可在計算機系統中高效鏈接存儲器、存儲設備和處理器,靈活擴展容量和帶寬。

宋TL于2005年加入SK海力士,在存儲器設計研究領域深耕20余年,從DDR2開發起,先后參與了多項DRAM產品的研發工作。在此期間,他不僅推動了由JEDEC規定的存儲器技術標準化進程,還成功申請并注冊了300余項專利,覆蓋HBM及新一代存儲器技術等多個領域。

目前,多款基于這些專利技術的產品已實現商業化,正在持續創造經濟效益。同時,多項前沿技術構想被業界廣泛視為是搶占未來市場先機的關鍵創新。

SK海力士表示:“宋TL在專利開發與普及應用方面所做的努力,為提升國家與企業的競爭力提供了重要支撐”。同時強調:”我們將繼續積極支持成員們的研發工作,進一步鞏固韓國半導體行業長期以來積累的領先地位?!?/p>

本文采訪了宋清基TL,深入了解他研發的心路歷程以及本次獲獎感言。

從下一代HBM到PIM與CXL技術,為存儲器技術創新做出重要貢獻

“我認為這份榮譽應該屬于所有致力于推進前瞻性技術開發的SK海力士成員。正如公司長期以來引領市場一樣,我期待今后我們的技術領導力也能繼續保持?!?/p>

宋清基TL此次榮獲銅塔產業勛章的核心功績之一在于,他在新一代HBM開發中發揮了關鍵作用。尤為值得一提的是,他還主導提出了針對全球大型科技客戶定制化設計需求的定制化(Custom)HBM相關的技術方案。

“可以預見,在不久的將來,滿足客戶需求的定制化HBM時代將正式到來。這不僅關乎提升產品性能,更是在重新定義存儲器與邏輯半導體之間的界限?!?/p>

對此,宋TL提出在連接HBM與邏輯半導體的基礎裸片(Base-die)中,引入支持高速運行功能并兼容LPDDR等異構存儲器的新一代接口技術。他成功申請了多項專利,包括集成存儲控制器電源管理技術等。同時,他還提出了可提升下一代HBM帶寬的技術方案,為產品性能突破提供了新的技術路徑。

此外,宋TL還在實現下一代高容量HBM產品的“混合鍵合(Hybrid Bonding)”技術開發方面做出了重要貢獻。

“為了創建更高層數的HBM,我們必須突破傳統堆疊工藝的局限性。我們需要開發一種超越單純堆疊技術的全新堆疊結構,同時要綜合考慮電信號的穩定性與散熱控制。為此,我們進行了大量的模擬分析和實驗研究。”

他在新一代半導體技術——PIM和CXL領域持續開展前沿性研究工作,相關技術成果已在多項國際權威學術大會上展示,引起了業界的廣泛關注。

“PIM是一種集成自身計算能力的存儲器,我們開發的GDDR6-AiM正是基于這一技術的首個成功實踐。當存儲器本身具備自主運算能力時,可大幅減少傳統系統中存在的數據傳輸瓶頸問題。新一代存儲器正從被動存儲單元向融合運算與互聯的靈活架構演進。我們認為PIM與CXL將成為引領這一變革的關鍵技術?!?/p>

300余項專利申請的意義:“保護技術創新價值與創新本身同等重要”

推動SK海力士主力產品DRAM技術標準化工作,也是宋TL的重要貢獻之一。從DDR2到DDR6,他深度參與了JEDEC標準化進程的推進,并主導了多項功能定義與驗證工作。

“標準化工作與新技術開發一樣,是一個困難而復雜的過程。它不僅需要在產品性能與穩定性之間尋求平衡,還需要與全球各產業鏈協調各方的技術路線。正是由于這樣的努力,公平競爭與產業協作才得以實現。我認為,標準化工作是確保我們創新成果獲得應有認可的必要環節?!?br /> “專利是我們辛勤付出的有力證明,更是保護已掌握核心技術的最可靠途徑。隨著半導體行業競爭日益激烈,專利的重要性愈發凸顯。我認為,獲得專利不僅關乎SK海力士的企業利益,更有利于維護韓國的技術主權。此次榮獲銅塔產業勛章,是對我們長期努力的高度認可,我感到非常高興。”

此外,宋TL極致力于在公司內外進行技術傳播。憑借豐富的開發經驗,他不僅在公司內部提供指導,還面向特許廳審查員開展講座,積極分享技術保護和戰略性專利方面的知識與經驗。

最后,他將此次獲獎稱為“責任的新起點”,并表達了自己對未來的愿景。

“獲得銅塔產業勛章對我來說是莫大的榮譽,同時也讓我再次深刻感受到技術所肩負的重要使命。未來,我將繼續全力以赴,專注技術研發,并努力將其傳承給下一代。”

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 存儲器
    +關注

    關注

    39

    文章

    7750

    瀏覽量

    172097
  • SK海力士
    +關注

    關注

    0

    文章

    1008

    瀏覽量

    41866
  • HBM
    HBM
    +關注

    關注

    2

    文章

    432

    瀏覽量

    15875

原文標題:SK海力士宋清基TL榮庸發明日銅塔產業勛章:“以HBM和下一代存儲器相關的300多項專利推動技術創新”

文章出處:【微信號:SKhynixchina,微信公眾號:SK海力士】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SK海力士攜AI存儲器產品亮相NVIDIA GTC 2026

    韓國首爾,2026年3月17日——SK海力士(簡稱‘公司’,https://www.skhynix.com)17日宣布,將于3月16日至19日(當地時間)參加在美國加利福尼亞州圣何塞舉行的“英偉達GTC 2026(GPU技術大會)”。
    的頭像 發表于 03-17 16:54 ?647次閱讀
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>攜AI存儲器產品亮相NVIDIA GTC 2026

    SK海力士與閃迪公司啟動HBF全球標準化制定工作

    SK海力士(或‘公司’)26日宣布,于當地時間25日在美國加利福尼亞州米爾皮斯的閃迪公司總部,與閃迪公司聯合舉辦“HBF規格標準化聯盟啟動會”,正式發布面向AI推理時代的下一代存儲器解決方案HBF(High Bandwidth
    的頭像 發表于 02-28 16:23 ?423次閱讀

    KV緩存黑科技!SK海力士“H3存儲架構”,HBM和HBF技術加持!

    據韓國經濟日報報道,SK海力士近日在IEEE(電氣與電子工程師協會)全球半導體大會上發表論文,提出了一種全新的存儲架構。據悉,該架構名為“H3(hybrid semiconductor
    的頭像 發表于 02-12 17:01 ?7664次閱讀
    KV緩存黑科技!<b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>“H3存儲架構”,HBM和HBF技術加持!

    人均64萬!SK海力士發出史上最高年終獎

    電子發燒友網綜合報道 近日,SK海力士宣布將向全體3.3萬名員工發放人均1.36億韓元(約合64萬元人民幣)的績效獎金,這一金額較往年大幅提升,創下公司歷史以來最高記錄。 引 ? 那么此次巨額年終獎
    的頭像 發表于 01-21 09:11 ?2629次閱讀

    SK海力士HBS存儲技術,基于垂直導線扇出VFO封裝工藝

    電子發燒友網綜合報道,據韓媒報道,存儲行業巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發的這項HBS技術采用了創新的芯片堆疊方案。根據規劃,該技術
    的頭像 發表于 11-14 09:11 ?3895次閱讀
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>HBS存儲技術,基于垂直導線扇出VFO封裝工藝

    SK海力士發布未來存儲路線圖

    電子發燒友網綜合報道,近日,韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上,SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全線AI存儲創造者”(Full
    的頭像 發表于 11-08 10:49 ?3728次閱讀

    SK海力士ZUFS 4.1閃存,手機端AI運行時間縮短47%!

    電子發燒友網綜合報道,SK海力士宣布,已正式向客戶供應其全球率先實現量產的移動端NAND閃存解決方案產品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作,于今年6月成功完成了該產
    的頭像 發表于 09-19 09:00 ?4110次閱讀

    SK海力士321層4D NAND的誕生

    SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領域持續創新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱NAND
    的頭像 發表于 07-10 11:37 ?1892次閱讀

    SK海力士在微細工藝技術領域的領先實力

    SK海力士的成功神話背后,離不開眾多核心技術的支撐,其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理,SK海力士憑借壓倒性的技術實力,引領著全球半導體
    的頭像 發表于 07-03 12:29 ?2005次閱讀

    SK海力士HBM技術的發展歷史

    SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK
    的頭像 發表于 06-18 15:31 ?2234次閱讀

    SK海力士向無錫首個應急救援驛站捐贈AED設備

    近日,SK海力士向無錫市首個應急救援驛站(山水城(雪浪街道)石塘社區)捐贈自動體外除顫儀(AED)設備,助力提升基層應急救援能力,為居民生命健康筑起堅實屏障。
    的頭像 發表于 05-28 15:36 ?938次閱讀

    SK海力士如何成為面向AI的存儲器市場領跑者

    近年來,SK海力士屢獲創新成果,這些成就皆得益于“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)”。無論是創下歷史最佳業績、開發出全球領先產品,還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商,這些
    的頭像 發表于 05-23 13:54 ?1861次閱讀

    SK海力士以基于AI/DT的智能工廠推動HBM等核心產品的營收增長

    近日,SK海力士宣布,在首爾江南區韓國科學技術會館舉行的“2025年科學?信息通訊日紀念儀式”上,公司數字化轉型組織的都承勇副社長榮獲了科學技術信息通信部頒發的
    的頭像 發表于 05-09 10:29 ?1261次閱讀

    英偉達供應商SK海力士盈利大增158%

    得益于AI需求的有力推動;高帶寬內存(HBM)需求持續暴漲,這帶動了英偉達供應商SK海力士盈利大增158%。 據SK海力士公布的財務業績數據顯示,在2025年第一季度
    的頭像 發表于 04-24 10:44 ?1668次閱讀

    SK海力士強化HBM業務實力的戰略規劃

    隨著人工智能技術的迅猛發展,作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現了顯著的增長,為SK海力士在去年實創下歷史最佳業績做出了不可或缺的重要貢獻。業內普遍認為,SK海力士
    的頭像 發表于 04-18 09:25 ?1397次閱讀